一种I类冶金键合二极管设计与制造技术制造技术

本发明专利技术公开了一种I类冶金键合二极管设计与制造技术，包括台面管芯，台面管芯上的两侧均设置有纯化层，台面管芯的两侧均固定连接有镀银钨柱，并且台面管芯和镀银钨柱的表面均固定连接有玻壳，玻壳的两侧且与镀银钨柱相对应的位置通过合金焊材均固定连接有紫铜丁头引线，涉及电子元件的设计与制造技术领域。该I类冶金键合二极管设计与制造技术，改变了现有的I类冶金键合的体积也相对较大的问题，产品的质量轻，其可靠性能高，更好的满足了各种环境和质量等级要求，达到了I类冶金键合的效果，根据过往的生产统计，提高了检验效率，降低了制造成本，使用本发明专利技术制造技术后，材料费用大大减少，增加了公司收益。

Design and fabrication technology of I type metallurgical bonding diode

The invention discloses a I metallurgical bonding diode design and manufacturing technology, which comprises a table top tube core tube on both sides of the mesa core are arranged on both sides of the table purification layer, the tube core is fixedly connected with the silver tungsten column, surface and table of tubes and silver tungsten columns are fixedly connected with glass, glass both sides of the silver and tungsten corresponding position by welding are fixedly connected with the copper Ding head lead, design and manufacture and relates to the technical field of electronic components. The I class metallurgical bonding diode design and manufacturing technology, changed the existing I metallurgical bonding volume is relatively large, the quality of the product is light, its high reliability, better meet the various environment and quality requirements, reached I metallurgical bonding effect, according to the production statistics of the past and improves the test efficiency, reduce manufacturing cost and manufacturing technology of the invention, the material cost is greatly reduced, increasing the revenue of the company.

【技术实现步骤摘要】
一种I类冶金键合二极管设计与制造技术
本专利技术涉及电子元件的设计与制造
，具体为一种I类冶金键合二极管设计与制造技术。
技术介绍
二极管是电子元件当中一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。美军标定义的冶金键合产品分为三类，I类是银、硅合金冶金键合，Ⅱ类是用合金焊片焊接的冶金键合，Ⅲ类是压接结构。目前国内大多数厂商采用的都是Ⅱ类、Ⅲ类键合封装形式，而国外目前已经开始普遍采用I类冶金键合封装，I类冶金键合封装的产品芯片与钨柱表面不加焊片，其可靠性要比Ⅱ类、Ⅲ类键合封装的产品高很多，而且我国的I类冶金键合并没有十分的普及，I类冶金键合的体积也相对较大，产品的质量重，其可靠性低下，无法满足各种环境和质量等级要求，达不到I类冶金键合的效果。
技术实现思路
（一）解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种I类冶金键本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种I类冶金键合二极管，包括台面管芯（1），所述台面管芯（1）上的两侧均设置有纯化层（2），其特征在于：所述台面管芯（1）的两侧均固定连接有镀银钨柱（3），并且台面管芯（1）和镀银钨柱（3）的表面均固定连接有玻壳（4），所述玻壳（4）的两侧且与镀银钨柱（3）相对应的位置通过合金焊材（5）均固定连接有紫铜丁头引线（6）。

【技术特征摘要】
1.一种I类冶金键合二极管，包括台面管芯（1），所述台面管芯（1）上的两侧均设置有纯化层（2），其特征在于：所述台面管芯（1）的两侧均固定连接有镀银钨柱（3），并且台面管芯（1）和镀银钨柱（3）的表面均固定连接有玻壳（4），所述玻壳（4）的两侧且与镀银钨柱（3）相对应的位置通过合金焊材（5）均固定连接有紫铜丁头引线（6）。2.根据权利要求1所述的一种I类冶金键合二极管，其特征在于：所述台面管芯（1）和镀银钨柱（3）以及玻壳（4）和紫铜丁头引线（6）均通过高温烧结在一起。3.根据权利要求1所述的一种I类冶金键合二极管，其特征在于：所述台面管芯（1）的两面做Al-Ag金属化。4.根据权利要求1所述的一种I类冶金键合二极管制造技术，其特征在于：包括以下步骤：S1、台面管芯（1）的制造：将N型单晶通过扩散、光刻、台面腐蚀、CVD、蒸发、划片工艺制成台面管芯（1），扩散采用表面涂B30的方式，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志福，
申请(专利权)人：朝阳无线电元件有限责任公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21