一种用于可停机芯片的偏置电流和上电复位电路制造技术

本发明专利技术提出了一种用于可停机芯片的偏置电流和上电复位电路，属于模拟集成电路技术领域。该用于可停机芯片的偏置电流和上电复位电路包括相互连接的上电复位电路和电流偏置电路，电流偏置电路包括相互连接的启动电路和偏置电流产生电路。上电复位电路在上电时，确保停机信号的逻辑为非停机逻辑，直至在此过程中启动电路对偏置电流产生电路充电至可停机芯片摆脱简并偏置点。上电复位电路还用于在上电结束后产生上电复位信号，并监听外部停机信号，并在外部停机信号的逻辑为停机逻辑时，使偏置电流产生电路进入高阻状态，可停机芯片进入停机状态。本发明专利技术能够确保芯片正常启动和停机，大大提高了芯片停机和启动的可靠性。

Bias current and power on reset circuit for a stop chip

The invention provides a bias current and power on reset circuit for a stop chip, belonging to the technical field of analog integrated circuits. The bias current for the chip can be shutdown and power on reset circuit includes interconnected power on reset circuit and current bias circuit, current bias circuit includes connected start-up circuit and bias circuit. The power on reset circuit ensures that the logic of the stop signal is non stop logic during power up until the start-up circuit charges the bias current generation circuit to the stop chip to get rid of the offset point. Power on reset circuit is used to generate power on reset signal in power after the end of the stop signal and an external monitor, and the external stop signal logic to the shutdown logic, the bias current generating circuit into a high impedance state, can stop chip into shutdown state. The invention can ensure the normal startup and shutdown of the chip, and greatly improves the reliability of the chip stopping and starting.

【技术实现步骤摘要】
一种用于可停机芯片的偏置电流和上电复位电路
本专利技术属于模拟集成电路
，涉及一种电路，尤其是偏置电流和上电复位电路。
技术介绍
偏置电路和上电复位电路为现代芯片中不可或缺的组成部分，分别为芯片中其他电路提供电压/电流偏置和复位逻辑，避免逻辑状态不稳定。如今，低功耗设计在集成电路设计领域成为重要规范。对于偏置电路和上电复位电路等常见的长时间连续工作的电路，低功耗的需求要求他们具有停机和再启动功能。通常，电路的停机由停机信号来控制，但在上电过程中，在上电复位电路发出上电复位信号之前，芯片中的逻辑(包括停机信号)处于逻辑不稳定状态。由于停机信号同时控制偏置电路和上电复位电路的停机，这就可能造成在上电复位电路产生复位信号之前，停机信号已经为停机有效的状态(通常为逻辑1)，从而偏置电路和上电复位电路无法正常工作，整个芯片无法完成上电进入正常工作模式。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够确保芯片正常启动和停机的偏置电流和上电复位电路。为了达到上述目的，本专利技术的解决方案是：一种用于可停机芯片的偏置电流和上电复位电路，包括相互连接的上电复位电路和电流偏置电路，所述电流偏置电路包括相互连接的启动电路和偏置电流产生电路；所述上电复位电路在上电时，确保停机信号的逻辑为非停机逻辑，直至在此过程中所述启动电路对所述偏置电流产生电路充电至所述可停机芯片摆脱简并偏置点；所述上电复位电路还用于在上电结束后产生上电复位信号，并监听外部停机信号，并在所述外部停机信号的逻辑为停机逻辑时，使所述偏置电流产生电路进入高阻状态，所述可停机芯片进入停机状态。所述上电复位电路产生内部停机信号，并且将所述内部停机信号与所述外部停机信号经过逻辑运算产生停机信号。所述启动电路包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5，NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M6；其中：PMOS管M1的栅极连接内部停机信号端，源极连接电源，漏极连接PMOS管M2的源极；PMOS管M2的源极连接PMOS管M1的漏极，栅极与漏极相连并一同连接NMOS管M3的漏极；PMOS管M5的源极连接电源，栅极连接反内部停机信号端，漏极连接所述偏置电流产生电路的第一电压偏置端；所述反内部停机信号端的信号逻辑与所述内部停机信号端的信号逻辑相反；NMOS管M3的漏极连接PMOS管M2的漏极，栅极连接所述偏置电流产生电路的第二电压偏置端，源极接地；NMOS管M4的源极接地，栅极连接内部停机信号端，漏极连接NMOS管M3的漏极；NMOS管M6的栅极连接NMOS管M3的漏极，源极接地，漏极连接第一电压偏置端。所述偏置电流产生电路包括电阻R1，PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M12，NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11，PNP型三极管Q1、PNP型三极管Q2；其中：电阻R1一端连接NMOS管M9的源极，另一端连接PNP型三极管Q1的发射极；PMOS管M7的源极连接电源，栅极与漏极相连产生第一偏置电压；PMOS管M8的源极连接电源，栅极连接第一电压偏置端，漏极连接NMOS管M10的漏极；NMOS管M9的源极连接电阻R1的一端，栅极连接第二电压偏置端，漏极连接PMOS管M7的漏极；NMOS管M10的源极连接PNP型三极管Q2的发射极，栅极与漏极相连产生第二偏置电压，并一同连接PMOS管M8的漏极；NMOS管M11的源极接地，栅极连接所述内部停机信号端，漏极连接第二电压偏置端；PNP型三极管Q1的发射极连接电阻R1的另一端，基极和集电极接地；PNP型三极管Q2的发射极连接NMOS管M10的源极，基极和集电极接地；PMOS管M12的源极连接电源，栅极连接第一电压偏置端，漏极输出电流并连接所述上电复位电路。或者，所述偏置电流产生电路包括电阻R1，PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M12，NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11，PNP型三极管Q1、PNP型三极管Q2；其中：电阻R1一端连接NMOS管M9的源极，另一端连接PNP型三极管Q1的发射极；PMOS管M7的漏极连接电源，栅极与源极相连产生第一偏置电压；PMOS管M8的漏极连接电源，栅极连接第一电压偏置端，源极连接NMOS管M10的漏极；NMOS管M9的漏极连接电阻R1的一端，栅极连接第二电压偏置端，源极连接PMOS管M7的源极；NMOS管M10的漏极连接PNP型三极管Q2的发射极，栅极与源极相连产生第二偏置电压，并一同连接PMOS管M8的漏极；NMOS管M11的源极接地，栅极连接所述内部停机信号端，漏极连接第二电压偏置端；PNP型三极管Q1的发射极连接电阻R1的另一端，基极和集电极接地；PNP型三极管Q2的发射极连接NMOS管M10的源极，基极和集电极接地；PMOS管M12的源极连接电源，栅极连接第一电压偏置端，漏极输出电流并连接所述上电复位电路。所述上电复位电路包括PMOS管M13、PMOS管M15、NMOS管M14、NMOS管M16，施密特触发器U1，反相器U2、反相器U3、反相器U4、反相器U6、反相器U7、反相器U9、反相器U10，与非门U5和与非门U8；其中：PMOS管M13的源极连接电源，栅极连接反相器U4的输出端，漏极连接PMOS管M12的漏极；NMOS管M14的栅极连接PMOS管M12的漏极，源极和漏极接地；PMOS管M15的栅极连接反相器U2的输出端，源极和漏极连接电源；NMOS管M16的栅极连接反相器U3的输出端，源极和漏极接地；施密特触发器U1的电源正极连接电源，电源负极接地，输入端连接PMOS管M13的漏极，输出端连接反相器U2的输入端；反相器U2的电源正极连接电源，电源负极接地，输入端连接施密特触发器U1的输出端，输出端连接PMOS管M15的栅极和反相器U3的输入端；反相器U3的电源正极连接电源，电源负极接地，输入端连接PMOS管M15的栅极和反相器U2的输出端，输出端连接NMOS管M16的栅极和反相器U4的输入端；反相器U4的电源正极连接电源，电源负极接地，输入端连接NMOS管M16的栅极和反相器U3的输出端，输出端连接PMOS管M13的栅极、与非门U5的第二输入端和反相器U7的输入端；与非门U5的电源正极连接电源，电源负极接地，第一输入端连接施密特触发器U1的输出端，第二输入端连接反相器U4的输出端，输出端连接反相器U6的输入端；反相器U6的电源正极连接电源，电源负极接地，输入端连接与非门U5的输出端，输出端输出上电复位信号；反相器U7的电源正极连接电源，电源负极接地，输入端连接反相器U4的输出端，输出端连接与非门U8的第二输入端；与非门U8的电源正极连接电源，电源负极接地，第一输入端连接外部停机信号端，第二输入端连接反相器U7的输出端，输出端连接反相器U9的输入端；反相器U9的电源正极连接电源，电源负极接地，输入端连接与非门U8的输出端，输出端产生所述内部停机信号；反相器U10的电源正极连接电源，电源负极接地，输入端连接反相器U9的输出端，输出端产生所述反内部停机信号。所述非停机逻辑为0。所述上电复位信号为脉冲信号。所述电流偏置产生电路为正温度系数电流电路。由于采用上述方案，本专利技术的有益效果是：本专利技术提出了一种可停机芯片的偏置电流和上电复位电路，避免本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于可停机芯片的偏置电流和上电复位电路，其特征在于：包括相互连接的上电复位电路和电流偏置电路，所述电流偏置电路包括相互连接的启动电路和偏置电流产生电路；所述上电复位电路在上电时，确保停机信号的逻辑为非停机逻辑，直至在此过程中所述启动电路对所述偏置电流产生电路充电至所述可停机芯片摆脱简并偏置点；所述上电复位电路还用于在上电结束后产生上电复位信号，并监听外部停机信号，并在所述外部停机信号的逻辑为停机逻辑时，使所述偏置电流产生电路进入高阻状态，所述可停机芯片进入停机状态。

【技术特征摘要】
1.一种用于可停机芯片的偏置电流和上电复位电路，其特征在于：包括相互连接的上电复位电路和电流偏置电路，所述电流偏置电路包括相互连接的启动电路和偏置电流产生电路；所述上电复位电路在上电时，确保停机信号的逻辑为非停机逻辑，直至在此过程中所述启动电路对所述偏置电流产生电路充电至所述可停机芯片摆脱简并偏置点；所述上电复位电路还用于在上电结束后产生上电复位信号，并监听外部停机信号，并在所述外部停机信号的逻辑为停机逻辑时，使所述偏置电流产生电路进入高阻状态，所述可停机芯片进入停机状态。2.根据权利要求1所述的可停机芯片的偏置电流和上电复位电路，其特征在于：所述上电复位电路产生内部停机信号，并且将所述内部停机信号与所述外部停机信号经过逻辑运算产生停机信号。3.根据权利要求2所述的可停机芯片的偏置电流和上电复位电路，其特征在于：所述启动电路包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5，NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M6；其中：PMOS管M1的栅极连接内部停机信号端，源极连接电源，漏极连接PMOS管M2的源极；PMOS管M2的源极连接PMOS管M1的漏极，栅极与漏极相连并一同连接NMOS管M3的漏极；PMOS管M5的源极连接电源，栅极连接反内部停机信号端，漏极连接所述偏置电流产生电路的第一电压偏置端；所述反内部停机信号端的信号逻辑与所述内部停机信号端的信号逻辑相反；NMOS管M3的漏极连接PMOS管M2的漏极，栅极连接所述偏置电流产生电路的第二电压偏置端，源极接地；NMOS管M4的源极接地，栅极连接内部停机信号端，漏极连接NMOS管M3的漏极；NMOS管M6的栅极连接NMOS管M3的漏极，源极接地，漏极连接第一电压偏置端。4.根据权利要求2所述的可停机芯片的偏置电流和上电复位电路，其特征在于：所述偏置电流产生电路包括电阻R1，PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M12，NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11，PNP型三极管Q1、PNP型三极管Q2；其中：电阻R1一端连接NMOS管M9的源极，另一端连接PNP型三极管Q1的发射极；PMOS管M7的源极连接电源，栅极与漏极相连产生第一偏置电压；PMOS管M8的源极连接电源，栅极连接第一电压偏置端，漏极连接NMOS管M10的漏极；NMOS管M9的源极连接电阻R1的一端，栅极连接第二电压偏置端，漏极连接PMOS管M7的漏极；NMOS管M10的源极连接PNP型三极管Q2的发射极，栅极与漏极相连产生第二偏置电压，并一同连接PMOS管M8的漏极；NMOS管M11的源极接地，栅极连接所述内部停机信号端，漏极连接第二电压偏置端；PNP型三极管Q1的发射极连接电阻R1的另一端，基极和集电极接地；PNP型三极管Q2的发射极连接NMOS管M10的源极，基极和集电极接地；PMOS管M12的源极连接电源，栅极连接第一电压偏置端，漏极输出电流并连接所述上电复位电路。5.根据权利要求2所述的可停机芯片的偏置电流和上电复位电路，其特征在于：所述偏置电流产生电路包括电阻R1，PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M12，NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11，PNP型三极管Q1、PNP型三极管Q2；其中：电阻R1一端连接NMOS管M9的源极，另一端连接PNP型三极管Q1的发射极；PMOS管M7的漏极连接电源，栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄爱华，王健，余生，
申请(专利权)人：上海趣致网络科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31