一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法技术

本发明专利技术是一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法，步骤如下：选取甘薯块进行育苗处理，消毒处理后剥离茎尖分生组织，并进行愈伤组织的培养，将愈伤组织转移到MS基本培养基上，诱导育苗的形成并采用巴西牵牛嫁接法对育苗进行病毒检测，去除带有病毒的育苗；将不带病毒的育苗培养在MS基本培养基上，即可实现甘薯茎尖剥离培育脱毒苗。本发明专利技术在甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的步骤中，对甘薯茎尖进行了消毒处理并在超净工作台中对茎尖进行剥离，减少了甘薯茎尖感染病毒，本发明专利技术实现了甘薯茎尖剥离培育脱毒苗，有效防止了甘薯品种的退化，提高了甘薯的单产与质量，同时减少了因甘薯病毒病而造成的经济损失。

Method for cultivating virus-free seedlings of sweet potato stem tip peeling

The present invention relates to a method of peeling potato stem apex of sweet potato, vaccine comprises the following steps: selection of sweet potato seedling block treatment, disinfection treatment after stripping the apical meristem, and cultured callus, the callus was transferred to MS medium, induced the formation of seedlings and seedlings used for virus detection Brazil morning glory grafting, seedling removal with the virus; seedling will not bring virus culture medium on MS, can realize the shoot tip of sweet potato virus free seedling. The present invention in stem apex of sweet potato peel cultivation of virus-free seedlings in the process of sweet potato were disinfected and in the clean workbench for shoot tip stripping, reducing the stem apex of sweet potato virus, the invention realizes the shoot tip of sweet potato cultivation of virus-free seedlings, effectively prevent the degradation of sweet potato varieties. To improve the yield and quality of sweet potato, while reducing the caused economic losses of the sweet potato virus disease.

【技术实现步骤摘要】
一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法
本专利技术涉及一种植物组织培养
，尤其涉及一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法。
技术介绍
甘薯是一种分布广、产量高的块根作物，也是重要的粮食、饲料和工业原料，甘薯是利用块根和茎蔓繁殖的作物，极易受到病毒的继代传染，感染了病毒的甘薯苗会导致甘薯品种退化、单产下降，同时会造成巨大的经济损失，因此，解决防治甘薯病毒病的根本措施是进行茎尖剥离培育脱毒苗。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，而提供一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法。本专利技术为实现上述目的，采用以下技术方案：一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选取无病害、虫害的甘薯块，在室温下进行育苗处理；(2)剪取生长健壮、长度为6～7cm的甘薯茎尖进行消毒处理，并除去茎尖上肉眼可见的叶片，留下约1～2cm的茎尖浸泡在无菌水中备用；(3)在超净工作台中剥离步骤(2)中消毒后的茎尖，用消毒后的解剖刀通过显微镜剥离0.6～0.8mm的茎尖分生组织；(4)将剥离的茎尖分生组织接种在pH＝6.2的MS固体培养基上，培养温度为25～28℃，光照强度为2500～2800lux，采用LED灯照射8～12h/d；(5)茎尖分生组织在MS固体培养基上逐渐形成愈伤组织，继续培养15～18天后，将愈伤组织转移到MS基本培养基上，诱导育苗的形成并采用巴西牵牛嫁接法对育苗进行病毒检测，去除带有病毒的育苗；(6)将不带病毒的育苗培养在MS基本培养基上，培养温度为25～28℃，光照强度为2500lux，采用LED灯照射8～10h/d，5～6周扩繁一次，即可实现甘薯茎尖剥离培育脱毒苗。特别的，所述步骤(2)的消毒处理方法为：先将甘薯茎尖用60～65％的乙醇浸泡60s，然后再用1～1.4％的次氯酸钠浸泡3min，最后用无菌水漂洗干净即可。特别的，所述步骤(5)和步骤(6)中的MS基本培养基的pH值为6.2。本专利技术的有益效果是：本专利技术在甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的步骤中，对甘薯茎尖进行了消毒处理并在超净工作台中对茎尖进行剥离，减少了甘薯茎尖感染病毒，本专利技术实现了甘薯茎尖剥离培育脱毒苗，有效防止了甘薯品种的退化，提高了甘薯的单产与质量，同时减少了因甘薯病毒病而造成的经济损失。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步说明：实施例1一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法，包括如下步骤：(1)选取无病害、虫害的甘薯块，在室温下进行育苗处理；(2)剪取生长健壮、长度为6cm的甘薯茎尖进行消毒处理，先将甘薯茎尖用65％的乙醇浸泡60s，然后再用1％的次氯酸钠浸泡3min，最后用无菌水漂洗干净即可，并除去茎尖上肉眼可见的叶片，留下约1cm的茎尖浸泡在无菌水中备用；(3)在超净工作台中剥离步骤(2)中消毒后的茎尖，用消毒后的解剖刀通过显微镜剥离0.6mm的茎尖分生组织；(4)将剥离的茎尖分生组织接种在pH＝6.2的MS固体培养基上，培养温度为25℃，光照强度为2500lux，采用LED灯照射12h/d；(5)茎尖分生组织在MS固体培养基上逐渐形成愈伤组织，MS基本培养基的pH值为6.2，继续培养15天后，将愈伤组织转移到MS基本培养基上，诱导育苗的形成并采用巴西牵牛嫁接法对育苗进行病毒检测，去除带有病毒的育苗；(6)将不带病毒的育苗培养在MS基本培养基上，MS基本培养基的pH值为6.2，培养温度为25℃，光照强度为2500lux，采用LED灯照射8h/d，6周扩繁一次，即可实现甘薯茎尖剥离培育脱毒苗。实施例2一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法，包括如下步骤：(1)选取无病害、虫害的甘薯块，在室温下进行育苗处理；(2)剪取生长健壮、长度为7cm的甘薯茎尖进行消毒处理，先将甘薯茎尖用60％的乙醇浸泡60s，然后再用1.4％的次氯酸钠浸泡3min，最后用无菌水漂洗干净即可，并除去茎尖上肉眼可见的叶片，留下约2cm的茎尖浸泡在无菌水中备用；(3)在超净工作台中剥离步骤(2)中消毒后的茎尖，用消毒后的解剖刀通过显微镜剥离0.8mm的茎尖分生组织；(4)将剥离的茎尖分生组织接种在pH＝6.2的MS固体培养基上，培养温度为28℃，光照强度为2800lux，采用LED灯照射8h/d；(5)茎尖分生组织在MS固体培养基上逐渐形成愈伤组织，MS基本培养基的pH值为6.2，继续培养18天后，将愈伤组织转移到MS基本培养基上，诱导育苗的形成并采用巴西牵牛嫁接法对育苗进行病毒检测，去除带有病毒的育苗；(6)将不带病毒的育苗培养在MS基本培养基上，MS基本培养基的pH值为6.2，培养温度为28℃，光照强度为2500lux，采用LED灯照射10h/d，5周扩繁一次，即可实现甘薯茎尖剥离培育脱毒苗。上面对本专利技术进行了示例性描述，显然本专利技术具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本专利技术的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进直接应用于其它场合的，均在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选取无病害、虫害的甘薯块，在室温下进行育苗处理；(2)剪取生长健壮、长度为6～7cm的甘薯茎尖进行消毒处理，并除去茎尖上肉眼可见的叶片，留下约1～2cm的茎尖浸泡在无菌水中备用；(3)在超净工作台中剥离步骤(2)中消毒后的茎尖，用消毒后的解剖刀通过显微镜剥离0.6～0.8mm的茎尖分生组织；(4)将剥离的茎尖分生组织接种在pH＝6.2的MS固体培养基上，培养温度为25～28℃，光照强度为2500～2800lux，采用LED灯照射8～12h/d；(5)茎尖分生组织在MS固体培养基上逐渐形成愈伤组织，继续培养15～18天后，将愈伤组织转移到MS基本培养基上，诱导育苗的形成并采用巴西牵牛嫁接法对育苗进行病毒检测，去除带有病毒的育苗；(6)将不带病毒的育苗培养在MS基本培养基上，培养温度为25～28℃，光照强度为2500lux，采用LED灯照射8～10h/d，5～6周扩繁一次，即可实现甘薯茎尖剥离培育脱毒苗。

【技术特征摘要】
1.一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选取无病害、虫害的甘薯块，在室温下进行育苗处理；(2)剪取生长健壮、长度为6～7cm的甘薯茎尖进行消毒处理，并除去茎尖上肉眼可见的叶片，留下约1～2cm的茎尖浸泡在无菌水中备用；(3)在超净工作台中剥离步骤(2)中消毒后的茎尖，用消毒后的解剖刀通过显微镜剥离0.6～0.8mm的茎尖分生组织；(4)将剥离的茎尖分生组织接种在pH＝6.2的MS固体培养基上，培养温度为25～28℃，光照强度为2500～2800lux，采用LED灯照射8～12h/d；(5)茎尖分生组织在MS固体培养基上逐渐形成愈伤组织，继续培养15～18天后，将愈伤组织转移到M...

【专利技术属性】
技术研发人员：王立国，王刚，李燕，李建军，高翔，张嘉，
申请(专利权)人：天津丰华裕隆农业发展有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12