太阳能电池的制造方法及太阳能电池技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池的制造方法及太阳能电池
本专利技术涉及具有选择发射极构造的太阳能电池的制造方法及太阳能电池。
技术介绍
在结晶系硅太阳能电池单元中，为了提高光电转换效率，利用有选择发射极构造。选择发射极构造是在形成于硅基板的杂质的扩散区域在与电极连接的区域以比受光部高的浓度形成有表面杂质浓度的构造。在选择发射极构造中，硅基板与电极的接触电阻降低。进而，通过使受光部的杂质扩散浓度变低，能够抑制受光部处的载流子的复合，实现光电转换效率的提高。一般作为形成选择发射极构造的方法，在专利文献1中公开有如下方法：通过丝网印刷法将糊等涂布在半导体基板上，在受光面侧选择性地形成以高浓度扩散有硼等的杂质的扩散层。另外，作为其它方法，在专利文献2中公开有利用离子注入法而形成发射极层的方法。专利文献1：日本特开2010－56465号公报专利文献2：日本特开2013－128095号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，在上述专利文献1所记载的形成太阳能电池的方法中，为了使扩散有硼的杂质扩散区域与金属电极的设计掩模图案的对齐容易，需要扩大使硼扩散的面积。在高浓度的杂质扩散区域，能够提高由于电...
【技术保护点】
一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：第1工序，其在第1导电型的半导体基板的一面形成第2导电型的杂质以第1浓度被扩散的第1掺杂层、及所述第2导电型的杂质以比所述第1浓度低的第2浓度被扩散且表面粗糙度与所述第1掺杂层不同的第2掺杂层；和第2工序，其在所述第1掺杂层上形成与所述第1掺杂层电连接的金属电极，在所述第2工序中，基于所述第1掺杂层与所述第2掺杂层的光反射率的差来检测所述第1掺杂层的位置，依据检测的所述第1掺杂层的位置来形成所述金属电极,所述第1掺杂层与所述第2掺杂层的光反射率的差为由于所述第1掺杂层与所述第2掺杂层的表面粗糙度的差所产生。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.21 JP 2014-2369201.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：第1工序，其在第1导电型的半导体基板的一面形成第2导电型的杂质以第1浓度被扩散的第1掺杂层、及所述第2导电型的杂质以比所述第1浓度低的第2浓度被扩散且表面粗糙度与所述第1掺杂层不同的第2掺杂层；和第2工序，其在所述第1掺杂层上形成与所述第1掺杂层电连接的金属电极，在所述第2工序中，基于所述第1掺杂层与所述第2掺杂层的光反射率的差来检测所述第1掺杂层的位置，依据检测的所述第1掺杂层的位置来形成所述金属电极,所述第1掺杂层与所述第2掺杂层的光反射率的差为由于所述第1掺杂层与所述第2掺杂层的表面粗糙度的差所产生。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第1工序包括：在所述半导体基板的一面形成第1纹理构造的第3工序；在形成有所述第1纹理构造的所述半导体基板的一面的表层以既定的图案形成所述第1掺杂层的第4工序；对所述半导体基板的一面的除了所述第1掺杂层以外的区域进行蚀刻而形成第1槽开口部的第5工序；和至少在所述第1槽开口部的表层形成所述第2掺杂层的第6工序。3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述第5工序中形成所述第1槽开口部，所述第1槽开口部具有通过湿蚀刻或使用了蚀刻糊的蚀刻对所述纹理构造进行加工而将所述纹理构造的一部分去除的底面。4.根据权利要求2或3所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述第4工序中，在使用具有与所述第1掺杂层的形状对应的开口部的掩模，经由所述开口部通过离子注入法将所述第2导电型的杂质注入到所述半导体基板的一面的表层后，进行所述半导体基板的热处理。5.根据权利要求2或3所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述第4工序中，在使用具有与所述第1掺杂层的形状对应的开口部的掩模，经由所述开口部而将含有所述第2导电型的杂质的糊涂布到所述半导体基板的一面的表层后，进行所述半导体基板的热处理。6.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述半导体基板是单晶硅基板，所述一面是(100)面。7.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：山林弘也，森冈孝之，古畑武夫，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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