一种低应力铜铬钛硅合金带材及其制备方法技术

本发明专利技术属于新材料领域，具体为一种引线框架、电焊电极、高温模具等电子材料用的低应力铜铬钛硅合金带材及其制备方法。一种低应力铜铬钛硅合金带材，Cr含量为0.15‑0.4%，Ti含量为0.01‑0.4%，Si含量为0.02‑0.07%，其余部分为铜及不可避免的杂质，制备方法，包括以下步骤：将合金成分混合均匀后进行铸造，制备铸锭；铸锭经热轧后冷却淬火，热轧开始温度为910‑1020℃，轧后温度为700‑800℃，轧后带坯以10‑100℃/S的冷却速度进行淬火；铣面：去除表面氧化皮及表面缺陷；冷轧：将带材轧制到符合要求的尺寸厚度；退火：进行时效退火，温度350‑600℃；保温时间15s‑100s；拉矫：矫正板型，消除残余应力。本发明专利技术提供了一种低应力、高导电、高导热及耐热性好的铜铬钛硅合金带材。

Low stress copper chromium titanium silicon alloy strip and preparation method thereof

The invention belongs to the field of new materials, in particular to a low stress copper chromium titanium silicon alloy strip used for an electronic material such as a lead frame, an electrode for welding and a high temperature die, and a preparation method thereof. A low stress chromium titanium silicon copper alloy strip, the content of Cr is 0.15 0.4%, the content of Ti is 0.01 0.4%, the content of Si is 0.02 0.07%, the remaining part of the copper and unavoidable impurities. The preparation method comprises the following steps: mixing casting alloy composition, preparation of cast ingot; the ingot cooling quenching after hot rolling, hot rolling start temperature is 910 1020 DEG C, after rolling temperature is 700 800 DEG C, after rolling strip for quenching cooling rate of 10 to 100 DEG /S; milling: to remove the surface oxide skin and surface defect of cold rolled strip rolling;: to meet the thickness requirements; annealing: aging annealing temperature of 350 DEG C, 600 15s 100s; holding time; straightening: correction plate, eliminate residual stress. The invention provides a copper chromium titanium silicon alloy strip with low stress, high conductivity, high heat conductivity and good heat resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种低应力铜铬钛硅合金带材及其制备方法
本专利技术属于新材料领域，具体为一种引线框架、电焊电极、高温模具等电子材料用的低应力铜铬钛硅合金带材及其制备方法。
技术介绍
随着电子信息产品向小型化、薄型化和智能化方向发展以及集成电路向大规模和超大规模方向发展，产品在冲压或蚀刻后不能有形变，对产品的内应力有了更高要求。
技术实现思路
本专利技术目的是要提供一种低应力、高导电、高导热及耐热性好的铜铬钛硅合金带材，进而提供了一种低应力铜铬钛硅合金带材及其制备方法。本专利技术采用的技术方案是：一种低应力铜铬钛硅合金带材，Cr含量为0.15-0.4%，Ti含量为0.01-0.4%，Si含量为0.02-0.07%，其余部分为铜及杂质。上述的一种低应力铜铬钛硅合金带材的制备方法，包括以下步骤：（1）将合金成分混合均匀后进行铸造，制备铸锭；（2）铸锭经热轧后冷却淬火，热轧开始温度为910-1020℃，轧后温度为700-800℃，轧后带坯以10-100℃/S的冷却速度进行淬火；（3）铣面：去除表面氧化皮及表面缺陷；（4）冷轧：将带材轧制到符合要求的尺寸厚度；（5）退火：进行时效退火，温度350-600℃；保温时间15s-100s；（6）拉矫：矫正板型，消除残余应力。上述的一种低应力铜铬钛硅合金带材的制备方法，成品轧制过程中总加工率控制范围10-50%；单道次加工率控制范围10-20%；并且控制每道次轧制力波动范围不超过15%。本专利技术提供了一种低应力、高导电、高导热及耐热性好的铜铬钛硅合金带材。具体实施方式实施例1：一种低应力铜铬钛硅合金带材的制备方法，包括以下步骤：将其他组分加入熔融的铜液，待混合均匀后，进行铸锭。铸锭经950℃热轧，700℃轧后带坯（16mm）以25℃/S的冷却速度进行淬火。去除表面氧化皮及表面缺陷。一次冷轧至1.5mm，进行退火（500℃，10h），二次冷轧至0.4mm，进行时效析出强化退火（500℃，6h），三次冷轧至0.15mm，冷轧道次0.4-0.3-0.23-0.18-0.15；进行去应力退火（360℃，保温时间60s）。经过拉矫后得到带材成品。实施例2：一种低应力铜铬钛硅合金带材的制备方法，包括以下步骤：将其他组分加入熔融的铜液，待混合均匀后，进行铸锭。铸锭经950℃热轧，700℃轧后带坯（16mm）以25℃/S的冷却速度进行淬火。去除表面氧化皮及表面缺陷。一次冷轧至1.5mm，进行退火（500℃，10h），二次冷轧至0.3mm，进行时效析出强化退火（500℃，6h），三次冷轧至0.15mm，冷轧道次0.3-0.22-0.175-0.15。进行去应力退火（400℃，保温时间50s）。经过拉矫后得到带材成品。实施例3：一种低应力铜铬钛硅合金带材的制备方法，包括以下步骤：将其他组分加入熔融的铜液，待混合均匀后，进行铸锭。铸锭经950℃热轧，700℃轧后带坯（16mm）以25℃/S的冷却速度进行淬火。去除表面氧化皮及表面缺陷。一次冷轧至2.0mm，进行退火（500℃，10h），二次冷轧至1.0mm，进行退火（450℃，10h），三次冷轧至0.3mm，进行时效析出强化退火（500℃，6h），四次冷轧至0.15mm，冷轧道次0.3-0.22-0.175-0.15；进行去应力退火（400℃，保温时间50s）。经过拉矫后得到带材成品。实施例4：一种低应力铜铬钛硅合金带材的制备方法，包括以下步骤：将其他组分加入熔融的铜液，待混合均匀后，进行铸锭。铸锭经910℃热轧，800℃轧后带坯（16mm）以10℃/S的冷却速度进行淬火。去除表面氧化皮及表面缺陷。一次冷轧至2.0mm，进行退火（500℃，10h），二次冷轧至1.0mm，进行退火（450℃，10h），三次冷轧至0.3mm，进行时效析出强化退火（500℃，6h），最后冷轧至0.15mm，冷轧道次0.3-0.22-0.175-0.15。进行去应力退火（350℃，保温时间15s）。经过拉矫后得到带材成品。实施例5：一种低应力铜铬钛硅合金带材的制备方法，包括以下步骤：将其他组分加入熔融的铜液，待混合均匀后，进行铸锭。铸锭经1020℃热轧，750℃轧后带坯（16mm）以100℃/S的冷却速度进行淬火。去除表面氧化皮及表面缺陷。一次冷轧至2.0mm，进行退火（500℃，10h），二次冷轧至1.0mm，进行退火（450℃，10h），三次冷轧至0.3mm，进行时效析出强化退火（500℃，6h），最后冷轧至0.15mm，冷轧道次0.3-0.22-0.175-0.15。进行去应力退火（600℃，保温时间100s）。经过拉矫后得到带材成品。实施例6：一种低应力铜铬钛硅合金带材的制备方法，包括以下步骤：将其他组分加入熔融的铜液，待混合均匀后，进行铸锭。铸锭经980℃热轧，770℃轧后带坯（16mm）以75℃/S的冷却速度进行淬火。去除表面氧化皮及表面缺陷。一次冷轧至2.0mm，进行退火（500℃，10h），二次冷轧至1.0mm，进行退火（450℃，10h），三次冷轧至0.3mm，进行时效析出强化退火（500℃，6h），最后冷轧至0.15mm，冷轧道次0.3-0.22-0.175-0.15。进行去应力退火（500℃，保温时间30s）。经过拉矫后得到带材成品。实施例7：一种低应力铜铬钛硅合金带材的制备方法，包括以下步骤：将其他组分加入熔融的铜液，待混合均匀后，进行铸锭。铸锭经1000℃热轧，720℃轧后带坯（16mm）以50℃/S的冷却速度进行淬火。去除表面氧化皮及表面缺陷。一次冷轧至2.0mm，进行退火（500℃，10h），二次冷轧至1.0mm，进行退火（450℃，10h），三次冷轧至0.3mm，进行时效析出强化退火（500℃，6h），最后冷轧至0.15mm，冷轧道次0.3-0.22-0.175-0.15。进行去应力退火（550℃，保温时间80s）。经过拉矫后得到带材成品。成品轧制过程：总加工率控制范围10-50%；单道次加工率控制范围10-20%；并且控制每道次轧制力波动范围不超过15%。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低应力铜铬钛硅合金带材，其特征在于Cr含量为0.15‑0.4%，Ti含量为0.01‑0.4%，Si含量为0.02‑0.07%，其余部分为铜及杂质。

【技术特征摘要】
1.一种低应力铜铬钛硅合金带材，其特征在于Cr含量为0.15-0.4%，Ti含量为0.01-0.4%，Si含量为0.02-0.07%，其余部分为铜及杂质。2.如权利要求1所述的一种低应力铜铬钛硅合金带材的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将合金成分混合均匀后进行铸造，制备铸锭；（2）铸锭经热轧后冷却淬火，热轧开始温度为910-1020℃，轧后温度为700-800℃，轧后带坯以10-100℃/S...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈清香，张文芹，张斌，王建荣，韩彩香，景洁，李素云，郑小英，邢卫东，王满丰，
申请(专利权)人：太原晋西春雷铜业有限公司，
类型：发明
国别省市：山西,14