像素补偿电路及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了像素补偿电路及显示装置。第一、第三、第四、第五开关的控制端分别连发光控制端、控制信号、第一及第二扫描信号；第二开关的控制端连第二及第一开关的第二端；驱动开关的控制端连第三开关的第二端，第一端连第一开关的第二端，第二端连第四开关的第二端及第五开关的第一端；第五开关的第二端连有机发光二极管的阳极；第二开关的第二端经第一电容连第三开关的第二端；第二开关的第二端经第二电容接收第二复位信号。

【技术实现步骤摘要】
像素补偿电路及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种像素补偿电路及显示装置。
技术介绍
在显示装置领域，由于OLED显示装置相对LCD显示装置具有色域广、对比度高、节能、可折叠性等优点，在新世代显示装置中具有强有力的竞争力。此外，AMOLED技术是柔性显示重点发展方向之一。如图1所示，现有AMOLED显示装置的基本驱动电路包括一个开关薄膜晶体管T1、一个驱动薄膜晶体管T2和一个存储电容Cst，有机发光二极管OLED的驱动电流由驱动薄膜晶体管T1控制，其电流大小为：IOLED＝k(Vgs-Vth)2，其中，k为驱动薄膜晶体管T1的电流放大系数，由驱动薄膜晶体管T1本身特性决定，Vth为驱动薄膜晶体管T1的阈值电压，由于驱动薄膜晶体管T1的阈值电压Vth容易漂移，导致有机发光二极管OLED的驱动电流不稳定，影响面板画质。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种像素补偿电路及显示装置，以避免阈值电压漂移造成有机发光二极管的电流不稳定，以此提升面板画质。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种像素补偿电路，包括：第一可控开关，所述第一可控开关包括控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素补偿电路，其特征在于，所述像素补偿电路包括：第一可控开关，所述第一可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第一可控开关的第一端连接第一电压端，所述第一可控开关的控制端连接发光控制端；第二可控开关，所述第二可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第二可控开关的控制端连接所述第二可控开关的第二端及所述第一可控开关的第二端，所述第二可控开关的第一端接收第一复位信号；第三可控开关，所述第三可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第三可控开关的控制端接收控制信号，所述第三可控开关的第一端接收数据信号；驱动开关，所述驱动开关包括控制端、第一端及第二端，所述驱动开关的控制端连接所述第三可控开关的第二...

【技术特征摘要】
1.一种像素补偿电路，其特征在于，所述像素补偿电路包括：第一可控开关，所述第一可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第一可控开关的第一端连接第一电压端，所述第一可控开关的控制端连接发光控制端；第二可控开关，所述第二可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第二可控开关的控制端连接所述第二可控开关的第二端及所述第一可控开关的第二端，所述第二可控开关的第一端接收第一复位信号；第三可控开关，所述第三可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第三可控开关的控制端接收控制信号，所述第三可控开关的第一端接收数据信号；驱动开关，所述驱动开关包括控制端、第一端及第二端，所述驱动开关的控制端连接所述第三可控开关的第二端，所述驱动开关的第一端连接所述第一可控开关的第二端；第四可控开关，所述第四可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第四可控开关的控制端接收第一扫描信号，所述第四可控开关的第一端连接第二电压端，所述第四可控开关的第二端连接所述驱动开关的第二端；第五可控开关，所述第五可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第五可控开关的控制端接收第二扫描信号，所述第五可控开关的第一端连接所述驱动开关的第二端；有机发光二极管，所述有机发光二极管包括阳极及阴极，所述阳极连接所述第五可控开关的第二端，所述阴极连接第三电压端；第一电容，所述第一电容包括第一端及第二端，所述第一电容的第一端连接所述第二可控开关的第二端，所述第一电容的第二端连接所述第三可控开关的第二端；及第二电容，所述第二电容包括第一端及第二端，所述第二电容的第一端连接所述第二可控开关的第二端，所述第二电容的第二端接收第二复位信号。2.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，所述驱动开关、所述第一可控开关、所述第二可控开关、所述第四可控开关及所述第五可控开关均为PMOS型晶体管，所述驱动开关、所述第一可控开关、所述第二可控开关、所述第四可控开关及所述第五可控开关的控制端、第一端及第二端分别对应所述PMOS型晶体管的栅极、漏极及源极。3.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，所述第三可控开关为PMOS型晶体管，所述第三可控开关的控制端接收的控制信号为第三扫描信号，所述第三可控开关的控制端、第一端及第二端分别对应所述PMOS型晶体管的栅极、源极及漏极。4.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，所述第三可控开关为NMOS型晶体管，所述第三可控开关的控制端接收的控制信号为所述发光控制端输出的控制信号，所述第三可控开关的控制端、第一端及第二端分别对应所述NMOS型晶体管的栅极、源极及漏极。5.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，所述第二电压端的电压设定值小于所述第三电压端的电压设定值，所述有机发光二极管为主动阵列有机发光二极管，所述第一电容及所述第二电容为存储电容。6.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘婕，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42