半导体器件及其制造方法技术

半导体器件及其制造方法。提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法本申请为申请日为2009年12月25日、申请号为201110144092.7、专利技术名称为“半导体器件及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。申请号为201110144092.7的专利技术专利申请是申请日为2009年12月25日、申请号为200910262560.3、专利技术名称为“半导体器件及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及具有利用薄膜晶体管(下文称为TFT)形成的电路的半导体器件及其制造方法。例如，本专利技术涉及其中安装了以液晶显示面板作为代表的电光器件或包括有机发光元件的发光显示器件作为其部件的电子器件。注意此说明书中的半导体器件指的是可使用半导体特性操作的所有器件，而且光电器件、半导体电路以及电子器件都是半导体器件。
技术介绍
针对多种应用使用多种金属氧化物。氧化铟是众所周知的材料，且用作液晶显示器等所必需的透明电极材料。某些金属氧化物具有半导体特性。具有半导体特性的金属氧化物是一种类型的化合物半导体。化合物半导体是利用结合到一起的两种或多种类型的半导体形成的半导体。一般而言，金属氧化物变成绝缘体。然而，已知金属氧化物根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括电路，所述电路包括：第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；第四晶体管；第五晶体管；第六晶体管；第七晶体管；第八晶体管；其中，所述第一晶体管的源极和漏极之一电连接到第一引线，其中，所述第二晶体管的源极和漏极之一电连接到第二引线，其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个，其中，所述第三晶体管的源极和漏极之一电连接到第三引线，其中，所述第四晶体管的源极和漏极之一电连接到第二引线，其中，所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的栅极，其中，所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的栅极，其中，所述第三晶...

【技术特征摘要】
2008.12.26 JP 2008-3337881.一种半导体器件，包括电路，所述电路包括：第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；第四晶体管；第五晶体管；第六晶体管；第七晶体管；第八晶体管；其中，所述第一晶体管的源极和漏极之一电连接到第一引线，其中，所述第二晶体管的源极和漏极之一电连接到第二引线，其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个，其中，所述第三晶体管的源极和漏极之一电连接到第三引线，其中，所述第四晶体管的源极和漏极之一电连接到第二引线，其中，所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的栅极，其中，所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的栅极，其中，所述第三晶体管的栅极电连接到第三晶体管的源极和漏极中所述一个，其中，所述第四晶体管的栅极电连接到第一晶体管的栅极，其中，所述第五晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第三引线，其中，所述第六晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二引线，其中，所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第六晶体管的源极和漏极中的另一个，其中，所述第六晶体管的栅极电连接到第二晶体管的栅极，其中，所述第七晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二引线，其中，所述第七晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第一晶体管的栅极，其中，所述第八晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二引线，其中，所述第八晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的栅极，以及其中，所述第八晶体管的栅极电连接到所述第五晶体管的栅极，其中，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管中的每一个包括：具有沟道形成区的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括In-Sn-Zn-O基半导体。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管中的每一个为底栅型n沟道晶体管。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于还包括所述氧化物半导体层上的绝缘薄膜，所述绝缘薄膜包括选自由氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧氮化铝、和氧化钽组成的组中的材料。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管中的每一个包括形成在所述氧化物半导体层上的源电极和漏电极。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体层为非晶。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体层包含绝缘杂质。7.一种半导体器件，包括反相器电路，所述反相器电路包括：第一晶体管；第二晶体管；以及其中，所述第一晶体管的源极电连接到第二晶体管的漏极，其中，所述第一晶体管的栅极电连接到第一晶体管的源极，其中，所述第一晶体管和第二晶体管中的每一个包括：具有沟道形成区的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括In-Sn-Zn-O基半导体。8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管中的每一个为底栅型n沟道晶体管。9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于还包括所述氧化物半导体层上的绝缘薄膜，其中所述绝缘薄膜包括选自由氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧氮化铝、和氧化钽组成的组中的材料。10.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管中...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，坂田淳一郎，小山润，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP