【技术实现步骤摘要】
基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器
本专利技术属于光电子器件领域,具体涉及基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器。
技术介绍
电光调制器在信号处理和微波光子学中有着非常重要的应用,其通过施加电压改变材料的光学性质来改变入射光束的幅度或相位。在短脉冲的产生、信号的解复用、数据编码、光互联、波长交换、光分插复用等领域有着广泛的应用,是未来高速光通信系统的核心器件之一,有着极为广阔的应用空间。目前,高功率激光系统的前端预放系统中所用的偏振控制器是手动偏振控制器,不能实时调整偏振态的改变,而且一般的光调制器中包含有起偏元件,必然会导致输出脉冲幅度的变化,影响系统输出能量的稳定性。虽然现在已经有实现偏振无关调制的调制器,但其器件尺寸较大,不容易集成,不利于集成光学的发展。此外,现有波导型调制器有着较大的插入损耗,而且接入光路时波导不匹配或者光耦合会导致向后散射可能会对入射光源造成严重损害。调制光的另一种方法依赖于光纤作为有源调制器的直接操纵,实现低的插入损耗。光纤调制器可以通过光路的物理修改来实现,例如加热光纤的芯。这里值得注意的是,先前报道的绝缘体上硅器件 ...
【技术保护点】
基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器,包括基底层(1),其特征在于,基底层(1)为凹槽型,光纤(2)放置在基底层(1)的凹槽中,光纤(2)的一段侧面被抛光形成凹槽抛光面,光纤(2)的凹槽抛光面包括光纤纤芯(21)抛光面和光纤包层(22)抛光面;在光纤的凹槽抛光面上依次设置有完全覆盖光纤纤芯(21)抛光面的第一隔离介质层(3)、氧化铟锡层(4)、第二隔离介质层(5)、金属铝层(6),凹槽抛光面一端的氧化锡铟层(4)连接第一电极(7),凹槽抛光面另一端的金属铝层(6)连接第二电极。
【技术特征摘要】
1.基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器,包括基底层(1),其特征在于,基底层(1)为凹槽型,光纤(2)放置在基底层(1)的凹槽中,光纤(2)的一段侧面被抛光形成凹槽抛光面,光纤(2)的凹槽抛光面包括光纤纤芯(21)抛光面和光纤包层(22)抛光面;在光纤的凹槽抛光面上依次设置有完全覆盖光纤纤芯(21)抛光面的第一隔离介质层(3)、氧化铟锡层(4)、第二隔离介质层(5)、金属铝层(6),凹槽抛光面一端的氧化锡铟层(4)连接第一电极(7),凹槽抛光面另一端的金属铝层(6)连接第二电极。2.根据权利要求1所述的基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器,其特征在于,凹槽抛光面的第一隔离介质层(3)、氧化铟锡层(4)均延伸至基底层,延伸至基底层(1)上的氧化铟锡层(4)上设置第一电极(7);凹槽抛光面另一端的第一隔离介质层(3)、氧化铟锡层(4)和金属...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘永,夏瑞杰,刘天良,叶胜威,陆荣国,张雅丽,张尚剑,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
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