一种靶材余量测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及真空磁控镀膜技术领域，公开一种靶材余量测量装置，该靶材余量测量装置包括：主体结构，设有沿第一方向排列的多个测量轨道；每个测量轨道沿第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向；多个顶针，与多个测量轨道一一对应；每个顶针沿第二方向延伸，且第一端限位于与其对应的测量轨道内；每个顶针可沿测量轨道自由移动、且可部分伸出测量轨道；多个滑块，与多个测量轨道一一对应；每个滑块可沿与其对应的测量轨道滑动地设置于测量轨道内、且限位于顶针的第一端一侧；每个滑块与测量轨道之间的静摩擦力大于其自身重力；主尺，设置于主体结构上，且设有沿第二方向排列的刻度线。上述靶材余量测量装置的测量步骤很简单，且测量结果比较精确。

【技术实现步骤摘要】
一种靶材余量测量装置
本专利技术涉及真空磁控镀膜
，特别涉及一种靶材余量测量装置。
技术介绍
在薄膜晶体管(TFT)及液晶显示器制造领域，经常采用物理气相沉积技术，该技术工艺一般是利用磁控溅射设备通过氩(Ar)原子轰击靶材使靶材粒子沉积在基板表面以达到沉积成膜的目的。立式磁控溅射设备是目前比较常用的一种磁控溅射设备；其靶材后方的磁铁可以一定程度上提高靶材的利用率，但是，由于其磁铁的移动会在靶材表面形成凹凸不平的刻蚀曲线，而当刻蚀最深处超过靶材厚度时，会导致靶材击穿而无法使用，因此确定残靶刻蚀剩余量、并根据残靶刻蚀剩余量来相应调整靶材使用周期，对于提高靶材的使用效率、提升产品的良率具有积极意义；上述残靶刻蚀剩余量是指使用过的靶材被消耗最多处剩余靶材的厚度。如图1所示，传统的残靶刻蚀量测量工具是利用具有高摩擦系数的排针100模拟靶材刻蚀曲线；具体操作时，需以一定的作用力将排针100垂直于靶材表面压向靶材，当排针100从被测靶材上移开时，会保留模拟的靶材刻蚀曲线，再在坐标纸上沿排针100的走向画出被排针100模拟出的刻蚀曲线，最后利用坐标纸读出靶材最小剩余量。利用上述残靶刻蚀量测量工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种靶材余量测量装置，其特征在于，包括：主体结构，设有沿第一方向依次排列的多个测量轨道；每个测量轨道沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向；多个顶针，与所述多个测量轨道一一对应；每个顶针沿第二方向延伸，且第一端限位于与其对应的测量轨道内；每个顶针可沿与其对应的测量轨道自由移动、且可部分伸出所述测量轨道；多个滑块，与所述多个测量轨道一一对应；每个滑块可沿与其对应的测量轨道滑动地设置于所述测量轨道内、且限位于与所述测量轨道相对应的顶针的第一端一侧；每个滑块与所述测量轨道之间的静摩擦力大于其自身重力；一主尺，设置于所述主体结构上，且设有沿第二方向排列的刻度线。

【技术特征摘要】
1.一种靶材余量测量装置，其特征在于，包括：主体结构，设有沿第一方向依次排列的多个测量轨道；每个测量轨道沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向；多个顶针，与所述多个测量轨道一一对应；每个顶针沿第二方向延伸，且第一端限位于与其对应的测量轨道内；每个顶针可沿与其对应的测量轨道自由移动、且可部分伸出所述测量轨道；多个滑块，与所述多个测量轨道一一对应；每个滑块可沿与其对应的测量轨道滑动地设置于所述测量轨道内、且限位于与所述测量轨道相对应的顶针的第一端一侧；每个滑块与所述测量轨道之间的静摩擦力大于其自身重力；一主尺，设置于所述主体结构上，且设有沿第二方向排列的刻度线。2.根据权利要求1所述的靶材余量测量装置，其特征在于，还包括：一对位尺，沿第一方向延伸，且可沿第二方向滑动地安装于所述主尺上。3.根据权利要求2所述的靶材余量测量装置，其特征在于，还包括：一归位尺，沿第一方向延伸，且可沿多个测量轨道滑动地安装于所述主体结构上，所述归位尺设置于所述多个滑块背离所述多个顶针的一侧；当所述归位尺沿多个测量轨道滑动时，可推动每个测量轨道内的滑块朝向顶针移动。4.根据权利要求3所述的靶材余量测量装置，其特征在于，所述主体结构上设有允许所述归位尺沿所述多个测量轨道滑动的轨道缝隙；所述归位尺可沿所述轨道缝隙滑动、以推动每个测量轨道内的滑块朝向顶针移动。5.根据权利要求3所述的靶材余量测量装置，其特征在于，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：边松林，张勋泽，肖亮，宣增志，关召军，丁文兵，张方馨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11