转gshB基因提高龙葵毛状根Cd富集的方法技术

本发明专利技术公开一种转gshB基因提高龙葵毛状根Cd富集的方法，通过构建植物过表达载体将gshB基因转入发根农杆菌A4获得转gshB基因侵染菌液，然后转gshB基因侵染菌液与龙葵外植体共培养，诱导出含有gshB基因的龙葵毛状根，对获得的转gshB基因龙葵毛状根扩大培养，并进行分子鉴定和荧光检测。本发明专利技术进一步对获得的转gshB基因龙葵毛状根的Cd富集含量测定表明所能富集的Cd的含量最高可达野生龙葵植株的2倍。本发明专利技术不仅可以解决龙葵植株栽培周期长、受气候及地理条件制约等问题，并且可高效大量地富集重金属Cd，为利用龙葵毛状根富集重金属Cd提供材料支撑，具有广阔的开发和应用前景。

【技术实现步骤摘要】
转gshB基因提高龙葵毛状根Cd富集的方法
本专利技术涉及植物生物
更具体地，涉及一种转gshB基因提高龙葵毛状根镉富集的方法。
技术介绍
龙葵是茄属茄科一年生草本植物，几乎全中国都有分布，广泛分布于亚、欧、美洲的温带至热带地区。目前，世界范围内已经发现的重金属超富集植物有400多种，在已发现的超富集植物中，Cd超富集植物总体上很少，目前仅报道遏蓝菜(ThlaspiarvenseL)、宝山堇菜(Violabaoshanensis)、油菜(BrassicacampestrisL.)、东南景天(Sedumalfredii)、龙葵(SolanumnigrumL.)、商陆(PhytolaccaacinosaRoxb)、红菾菜(Betavulgarisvar.cicla)等Cd超富集植物。在这些植物中，遏蓝菜是研究最多的，但遏蓝菜对Cd的富集不具备特异性。龙葵因其分布广泛、生命力强、对Cd的富集更专一等优势得到越来越多的关注。随着工农业的迅速发展和城市人口的剧增，环境污染问题与日剧增，环境问题越来越受到人们的重视，污染环境的修复方法也成为全球关注的热点。在各种各样的环境污染治理技术中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种转gshB基因提高龙葵毛状根Cd富集的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备龙葵外植体；(2)制备转gshB基因侵染菌液：将gshB基因与真核表达载体PBI121‑gfp连接，将连接产物用热激法转化发根农杆菌A4感受态细胞；涂平板，挑取阳性克隆，转入含有卡那抗性的YMA液体培养基扩增培养，得到转gshB基因侵染菌液；(3)共培养诱导转gshB基因龙葵毛状根：将转gshB基因侵染菌液与龙葵外植体进行共培养；(4)除菌培养：将共培养后的龙葵外植体转移到已湿润的滤纸上于28℃弱散射光培养2d，随后转入含有500mg/L的头孢噻肟钠的MS培养基上进行除菌培养，一周后转到不含头孢噻肟钠的MS固体...

【技术特征摘要】
1.一种转gshB基因提高龙葵毛状根Cd富集的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备龙葵外植体；(2)制备转gshB基因侵染菌液：将gshB基因与真核表达载体PBI121-gfp连接，将连接产物用热激法转化发根农杆菌A4感受态细胞；涂平板，挑取阳性克隆，转入含有卡那抗性的YMA液体培养基扩增培养，得到转gshB基因侵染菌液；(3)共培养诱导转gshB基因龙葵毛状根：将转gshB基因侵染菌液与龙葵外植体进行共培养；(4)除菌培养：将共培养后的龙葵外植体转移到已湿润的滤纸上于28℃弱散射光培养2d，随后转入含有500mg/L的头孢噻肟钠的MS培养基上进行除菌培养，一周后转到不含头孢噻肟钠的MS固体培养基上，一个月后龙葵外植体愈伤处会长出的细长毛状根；(5)毛状根液体培养基的扩大培养：将毛状根转入MS液体培养基中，扩大培养；(6)转gshB基因龙葵毛状根的检测。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(2)所述扩增培养是在28℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：晏琼，陈友明，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：发明
国别省市：北京,11