用于集成电压调节器的嵌入式薄膜磁载体制造技术

本发明专利技术提供一种电感器，其可包含第一衬底、磁件和导体。所述第一衬底可形成于第二衬底内。所述磁件可连接到所述第一衬底的第一侧。所述导体可形成于所述第二衬底内、所述第二衬底上，或既可形成于所述第二衬底内又可形成于所述第二衬底上。所述导体可具有输入和输出。所述导体可经配置以环绕所述第一衬底，但不与所述第一衬底接触并且不与所述磁件接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于集成电压调节器的嵌入式薄膜磁载体相关申请案的交叉参考本专利申请案主张2014年12月3日申请的标题为“用于集成电压调节器的嵌入式薄膜载体(EmbeddedThinFilmCarrierforIntegratedVoltageRegulator)”的第62/086,947号美国临时专利申请案的优先权，并且所述美国临时专利申请案转让给本受让人并特此明确地以全文引用的方式并入本文中。
本文中所揭示的方面大体上涉及一种用于嵌入式电感器的嵌入式薄膜磁载体，且确切地说(但非排它地)，涉及一种用于集成电压调节器的嵌入式电感器的嵌入式薄膜磁载体。
技术介绍
有源装置的特征大小的减小已使得更多个有源装置能够制造于集成电路芯片上来处理数字数据。然而，有源装置的特征大小的减小同时不仅减小这些装置的操作电压，而且还使这些装置可容许的与标称操作电压的偏差程度变窄。电压调节器将外部电源电压(例如，常规交流电压、电池等)转换成供有源装置使用的直流(DC)电压并且调节这些经转换的电压。现代系统单芯片(SOC)通常具有多个功率域，其中每一域可需要不同的经调节电压(例如，1.0V、1.2V、1.8V等)。这使每一D本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电感器，其包括：第一衬底，其形成于第二衬底内；第一磁件，其连接到所述第一衬底的第一侧；和导体，其形成于所述第二衬底内或所述第二衬底上中的至少一个，具有输入和输出，并且经配置以环绕所述第一衬底，但不与所述第一衬底接触并且不与所述第一磁件接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.03 US 62/086,947;2015.06.18 US 14/743,6231.一种电感器，其包括：第一衬底，其形成于第二衬底内；第一磁件，其连接到所述第一衬底的第一侧；和导体，其形成于所述第二衬底内或所述第二衬底上中的至少一个，具有输入和输出，并且经配置以环绕所述第一衬底，但不与所述第一衬底接触并且不与所述第一磁件接触。2.根据权利要求1所述的电感器，其中所述第一衬底由包括玻璃的材料制成。3.根据权利要求1所述的电感器，其中所述第一衬底由介电材料制成。4.根据权利要求1所述的电感器，其中所述第一衬底由有机材料制成。5.根据权利要求1所述的电感器，其中所述第一衬底由第一材料制成并且所述第二衬底由第二材料制成，所述第二材料不同于所述第一材料。6.根据权利要求1所述的电感器，其中所述第一衬底由具有小于或等于100埃的均方根轮廓粗糙度参数的材料制成。7.根据权利要求1所述的电感器，其中所述第一磁件由包括钴钽锆、钴铁或镍铁合金中的至少一者的材料制成。8.根据权利要求1所述的电感器，其进一步包括：介电件，其连接到所述第一磁件；和第二磁件，其连接到所述介电件。9.根据权利要求1所述的电感器，其进一步包括连接到所述第一衬底的第二侧的第二磁件，所述第二侧与所述第一侧相对。10.根据权利要求1所述的电感器，其中所述导体的至少一个第一部分形成于所述第二衬底的至少一个通孔中。11.根据权利要求10所述的电感器，其中所述导体的至少一个第二部分形成为至少一个传导垫，所述至少一个传导垫形成于所述第二衬底的第一层与所述第二衬底的第二层的结合部处。12.根据权利要求11所述的电感器，其中所述导体的至少一个第三部分形成为所述第二衬底内或所述第二衬底上中的至少一者的至少一个互连件。13.一种电感器，其包括：用于支撑磁体的装置；和用于传导电流的装置，所述用于传导所述电流的装置经配置以环绕所述用于支撑所述磁体的装置，但不与所述用于支撑所述磁体的装置接触并且不与所述磁体接触。14.一种半导体装置，其包括：电感器，其具有第一衬底、磁件和导体，所述磁件连接到所述第一衬底的表面，所述导体经配置以环绕所述第一衬底但不与所述第一衬底接触并且不与所述磁件接触，所述电感器嵌入于第二衬底中；和集成电路，其形成为具有电压调节器和电路，所述集成电路连接到所述第二衬底，所述电路经配置以从所述电压调节器接收电压，所述电压调节器连接到所述电感器。15.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅特·埃蒂尔克，拉温德拉·瓦曼·谢诺伊，赖关余，日塔伊·基姆，唐纳德·威廉·小基德韦尔，乔恩·布拉德利·拉斯特，詹姆斯·托马斯·多伊尔，奥马尔·詹姆斯·贝希尔，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US