具有由半导体材料制成的涂层的钙钛矿颗粒制造技术

本发明专利技术涉及包含ABX3和/或AB2X4型钙钛矿晶体的经涂覆的颗粒，其制备方法，以及该经涂覆的颗粒在层和探测器如X射线探测器、伽马射线探测器或UV探测器、或太阳能电池中的用途，其中A表示元素周期表的第4周期起的至少一种一价、二价或三价元素及其混合物；B表示一价阳离子，其体积参数对于相应的元素A足以形成钙钛矿晶格；以及X选自卤素和拟卤素的阴离子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有由半导体材料制成的涂层的钙钛矿颗粒本专利技术涉及包含ABX3和/或AB2X4型钙钛矿晶体的经涂覆的颗粒，其制备方法，以及该经涂覆的颗粒在X射线探测器、伽马射线探测器、UV探测器或太阳能电池中的用途，其中A表示元素周期表的第4周期起的至少一种一价、二价或三价元素和/或它们的混合物；B表示一价阳离子，其体积参数对于相应的元素A足以形成钙钛矿晶格；以及X选自卤素和拟卤素的阴离子。本专利技术针对用于数码X射线探测器的新型制备方法，正如特别地在医学诊断中应用的那些。这种探测器的大小通常在20x20cm2和43x43cm2之间。如今的现有技术提供了基于非晶硅(间接转换)和非晶硒(直接转换)的探测器。直接转换(左)和间接转换(右)的原理示于图1中。对于直接转换I，X射线量子1激发粒子2，其中产生电子/空穴对2a,2b，其然后迁移至电极4(阳极或阴极，例如像素电极)并在那里被探测到。对于间接转换II，X射线量子1激发粒子2，该粒子继而发射具有较低能量的的射线2‘(例如可见光、UV或IR射线)，该射线借助于光电探测器3(例如光电二极管)来探测。间接的X射线转换涉及闪烁体层(例如具有不同掺杂物质如铽、本文档来自技高网...

【技术保护点】
包含ABX3和/或AB2X4型钙钛矿晶体的经涂覆的颗粒，其中A表示元素周期表的第4周期起的至少一种一价、二价或三价元素和/或它们的混合物，优选地Sn、Ba、Pb、Bi；B表示一价阳离子，其体积参数对于相应的元素A足以形成钙钛矿晶格，优选地一价的、含氨基基团的、带正电的碳化合物，进一步优选地脒鎓离子、胍鎓离子、异硫脲鎓离子、甲脒鎓离子，以及伯、仲、叔和季有机铵离子，特别优选地具有1至10个碳原子；以及X选自卤素和拟卤素的阴离子，优选地选自Cl、Br和I及其混合物，其中包含钙钛矿晶体的核涂覆有至少一种半导体材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.11 DE 102014225543.01.包含ABX3和/或AB2X4型钙钛矿晶体的经涂覆的颗粒，其中A表示元素周期表的第4周期起的至少一种一价、二价或三价元素和/或它们的混合物，优选地Sn、Ba、Pb、Bi；B表示一价阳离子，其体积参数对于相应的元素A足以形成钙钛矿晶格，优选地一价的、含氨基基团的、带正电的碳化合物，进一步优选地脒鎓离子、胍鎓离子、异硫脲鎓离子、甲脒鎓离子，以及伯、仲、叔和季有机铵离子，特别优选地具有1至10个碳原子；以及X选自卤素和拟卤素的阴离子，优选地选自Cl、Br和I及其混合物，其中包含钙钛矿晶体的核涂覆有至少一种半导体材料。2.根据权利要求1所述的经涂覆的颗粒，其中所述核具有0.01至200μm、优选地0.1至100μm、进一步优选地1至10μm的直径和/或其中具有所述至少一种半导体材料的涂层具有1至1500nm、优选地10至100nm、进一步优选地20至50nm的厚度。3.根据权利要求1或2所述的经涂覆的颗粒，其中所述核进一步包含至少一种闪烁体。4.根据权利要求3所述的经涂覆的颗粒，其中所述至少一种闪烁体在所述核中被钙钛矿晶体包覆。5.根据前述权利要求之一所述的经涂覆的颗粒，其中所述半导体材料包含至少一种电子传导材料和/或空穴传导材料。6.制备包含ABX3和/或AB2X4型钙钛矿晶体的经涂覆的颗粒的方法，其中A表示元素周期表的第4周期起的至少一种一价、二价或三价元素和/或它们的混合物，优选地Sn、Ba、Pb、Bi；B表示一价阳离子，其体积参数对于相应的元素A足以形成钙钛矿晶格，优选地一价的、含氨基基团的、带正电的碳化合物，进一步优选地脒鎓离子、胍鎓离子、异硫脲鎓离子、甲脒鎓离子，以及伯、仲、叔和季有机铵离子，特别优选地具有1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：R费希尔，A卡尼茨，O施密特，SF泰德，
申请(专利权)人：西门子保健有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE