制造图案化基底的方法技术

提供了制造图案化基底的方法。该方法可以应用于装置如电子器件或集成电路的制造过程，或者应用于另一些用途例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头或有机发光二极管；并且该方法可用于在用来制造离散磁道介质如集成电路、位元图案化介质和/或磁存储装置如硬盘驱动器的表面上构造图案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造图案化基底的方法
本申请要求2014年9月30日提交的韩国专利申请第2014-0131964号、2015年6月4日提交的韩国专利申请第2015-0079469号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175411号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175414号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175410号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175415号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175412号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175413号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175407号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175406号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175400号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175401号和2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175402号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。本申请涉及制造图案化基底的方法。背景技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造图案化基底的方法，包括：形成包含嵌段共聚物的聚合物膜，在所述嵌段共聚物中自组装结构定向于经氧等离子体处理的基底的表面上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.30 KR 10-2014-0131964;2014.12.08 KR 10-2011.一种制造图案化基底的方法，包括：形成包含嵌段共聚物的聚合物膜，在所述嵌段共聚物中自组装结构定向于经氧等离子体处理的基底的表面上。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底是金属基底。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包含选自以下的一种或更多种金属：金、铜、钛、镍、银，铝、锗、钨、锡、锑、铟、镉、钯、铅和铂，或者所述一种或更多种金属的氧化物、氮化物或硫化物。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧等离子体以30W至2000W的RF功率、5毫托至300毫托的工艺压力和20sccm至100sccm的氧流量施用。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合物膜形成为与所述经氧等离子体处理的基底的所述表面接触。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述自组装结构包含垂直取向的嵌段共聚物。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述自组装结构是层状结构。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和不同于所述第一嵌段的第二嵌段，其中所述第一嵌段示出了在GIWAXS光谱的12nm-1至16nm-1的散射矢量的衍射图案的-90度至-70度方位角处和70度至90度方位角处的峰。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段，其中所述第一嵌段通过差示扫描量热法(DSC)分析示出了-80℃至200℃范围内的熔融转变峰或各向同性转变峰。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段，其中所述第一嵌段通过XRD分析示出了在0.5nm-1至10nm-1的散射矢量(q)范围内半峰全宽(FWHM)为0.2nm-1至0.9nm-1的峰。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段，其中所述第一嵌段包含侧链，并且所述侧链的成链原子数目(n)和通过在所述第一嵌段上进行的XRD分析获得的散射矢量(q)满足方程式2：[方程式2]3nm-1至5nm-1＝nq/(2×π)在方程式2中，n为所述侧链的成链原子数目，q是其中通过在包含所述侧链的嵌段上进行的XRD分析显示出峰的最小散射矢量(q)，或显示出具有最大峰面积的峰的散射矢量(q)。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段，其中所述第一嵌段与所述第二嵌...

【专利技术属性】
技术研发人员：具世真，李美宿，柳亨周，金廷根，尹圣琇，朴鲁振，李济权，崔银英，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国,KR