双模式离子迁移谱仪制造技术

一种离子迁移谱仪，包括：第一离子源(102‑1，108‑1)，用于提供将被分析的正离子，被布置成提供电场的电场施加器，该电场被配置成按照第一方向向适用于检测所述正离子的第一离子检测器(106‑1，110‑1)移动所述正离子，以及第二离子源(102‑2，108‑2)，用于提供将被分析的负离子其中所述电场施加器被布置成按照与所述第一方向相反的方向向第一离子源(102‑1，108‑1)并向适用于检测所述负离子的第二离子检测器(106‑1，110‑1)移动所述负离子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】双模式离子迁移谱仪
本公开涉及离子迁移谱分析方法和装置，以及尤其涉及用于飞行时间离子迁移谱分析的方法和装置，并且还尤其针对在双模式离子迁移谱单体(cell)中使用的方法和装置。
技术介绍
离子迁移谱仪(IMS)可以通过使材料离子化并测量所得到的离子在已知电场下行进已知距离所花费的时间来从感兴趣样本中识别材料。每个离子的飞行时间可以通过检测器来测量，并且飞行时间与离子通过气体的迁移率相关联。离子的迁移率与其质量和碰撞截面有关。因此，通过测量检测器中离子的飞行时间，推断离子的身份是可行的。这些飞行时间可以图形地或数字地被显示为等离子图。不同材料产生不同的带电离子。离子迁移谱仪可以被用于筛选违禁品诸如爆炸物和麻醉品的痕迹。麻醉品通常可以在以正模式操作的IMS中可检测，而麻醉品可以在负模式中可检测。一些化学武器制剂可以在正模式中被检测，以及其它违禁品可以在负模式中被检测。因此一些IMS设备包括正模式单体和负模式单体二者。在空间资源和电力资源不受限制的情况下，提供正模式IMS单体和负模式IMS单体二者是没有问题的。在手持式设备中，对设备的大小和重量都存在约束。在IMS电源单元中使用的材料的介电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括：第一离子源，用于提供将被分析的正离子，被布置成提供电场的电场施加器，该电场被配置成按照第一方向向适用于检测所述正离子的第一离子检测器移动所述正离子，以及第二离子源，用于提供将被分析的负离子，其中所述电场施加器被布置成以不同于所述第一方向的第二方向向所述第一离子源并向适用于检测所述负离子的第二离子检测器移动所述负离子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.29 GB 1417185.41.一种离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括：第一离子源，用于提供将被分析的正离子，被布置成提供电场的电场施加器，该电场被配置成按照第一方向向适用于检测所述正离子的第一离子检测器移动所述正离子，以及第二离子源，用于提供将被分析的负离子，其中所述电场施加器被布置成以不同于所述第一方向的第二方向向所述第一离子源并向适用于检测所述负离子的第二离子检测器移动所述负离子。2.根据权利要求1所述的离子迁移谱仪，其中所述第一离子源包括第一离子发生器，该第一离子发生器被配置成通过将离子化能量施加至气态流体来提供离子，且所述离子迁移谱仪包括控制器，该控制器被配置成基于所述第一离子发生器的操作的定时来选择所述第二检测器的操作的定时。3.根据前述权利要求中任一者所述的离子迁移谱仪，其中所述第二离子源包括第二离子发生器，该第二离子发生器被配置成通过将离子化能量施加至气态流体来提供离子，且所述离子迁移谱仪包括控制器，该控制器被配置成基于所述第二离子发生器的操作的定时来选择所述第一检测器的操作的定时。4.根据前述权利要求中任一者所述的离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括第一离子门和第二离子门，所述第一离子门被布置成控制离子从所述第一离子源通向所述第一检测器，以及所述第二离子门被布置成控制离子从所述第二离子源向所述第二检测器的流动。5.根据权利要求4所述的离子迁移谱仪，其中所述第二检测器被耦合以检测到达所述第一离子门的离子。6.根据权利要求5所述的离子迁移谱仪，其中所述第一离子门可操作于门控模式以控制离子从所述第一离子源通向所述第一检测器，以及所述第一离子门可操作于离子检测模式以收集将被检测的离子。7.根据权利要求1至4中任一者所述的离子迁移谱仪，其中所述第一离子源包括第一排斥极，该第一排斥极可操作用于将正离子向着所述第一检测器移动，并且进一步可操作用于检测负离子的到达。8.根据权利要求7所述的离子迁移谱仪，其中所述第二检测器包括所述第一排斥极。9.根据权利要求7或8所述的离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括第一屏蔽电极，该第一屏蔽电极被布置成抑制从所述第二离子源行进的离子在到达所述第一排斥极之前从所述第一排斥极感应电流。10.根据前述权利要求中的任一者所述的离子迁移谱仪，其中所述第一离子源和所述第二离子源通过漂移区域彼此分离。11.根据权利要求10所述的离子迁移谱仪，其中所述电场施加器被布置成以提供电压分布，该电压分布关于所述漂移室的中点对称。12.根据权利要求11所述的离子迁移谱仪，其中在所述漂移室的中点处的电压分布是基于参考电压的。13.根据权利要求10、11或12所述的离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括所述漂移区域中的漂移气体入口，该漂移气体入口被布置成提供向所述第一离子源和向所述第二离子源的漂移气体流。14.根据权利要求13所述的离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括第一漂移气体出口，该第一漂移气体出口被布置成使得漂移气体从所述漂移气体入口流至所述第一离子源并流出所述第一漂移气体出口。15.根据权利要求13或14所述的离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括第二漂移气体出口，该第二漂移气体出口被布置成使得漂移气体从所述漂移气体入口流至所述第二离子源并流出所述第二漂移气体出口。16.根据前述权利要求中任一者所述的离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括布置成提供气态流体流通过第一入口和第二入口的流通道，该第一入口被布置成将来自所述流的将被离子化的样本提供至所述第一离子源，该第二入口被布置成将来自所述流的将被离子化的样本提供至所述第二离子源。17.根据权利要求16所述的离子迁移谱仪，其中所述第一入口和所述第二入口包括孔和膜中的一者。18.根据前述权利要求中的任一者所述的离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括控制器，该控制器被配置成基于来自所述第一离子源和所述第二离子源中一者的离子释放的定时来控制来自所述第一离子源和所述第二离子源中相应的另一者的离子释放。19.根据权利要求18所述的离子迁移谱仪，其中控制所述离子释放包括控制离子门的操作。20.根据前述权利要求中任一者所述的离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括布置在所述第一离子源和所述第二离子源之间的离子改性器。21.根据权利要求20所述的离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括控制器，该控制器被配置成基于来自所述第一离子源和所述第二离子源中至少一者的离子释放的定时来操作所述离子改性器。22.一种包括用于离子迁移谱仪的离子门和离子检测器的装置，所述离子门包括第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·A·芒罗，
申请(专利权)人：史密斯探测沃特福特有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB