表面辅助激光解吸电离法、质量分析方法和质量分析装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一个方面所涉及的表面辅助激光解吸电离法包括：第一工序，其准备具有设置有从一个面(21a)贯通到另一个面(21b)的多个贯通孔(S)的基板(21)、和至少覆盖一个面(21a)的导电层(23)的试样支撑体(2)；第二工序，其将试样(10)载置于试样台(1)，且以另一个面(21b)与试样(10)相对的方式将试样支撑体(2)配置于试样(10)上；和第三工序，其通过向一个面(21a)照射激光(L)，使利用毛细管现象从另一个面(21b)侧经由贯通孔(S)而移动至一个面(21a)侧的试样(10)电离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面辅助激光解吸电离法、质量分析方法和质量分析装置
本专利技术涉及表面辅助激光解吸电离法、质量分析方法和质量分析装置。
技术介绍
目前，作为为了进行质量分析等而使生物体试样等试样电离的方法，已知有基质辅助激光解吸电离法(MALDI：Matrix-AssistedLaserDesorption/Ionization)。MALDI是通过将吸收紫外线激光的称为基质的低分子量的有机化合物与试样混合并向其照射激光而使试样电离的方法。根据该方法，能够无损地使对热不稳定的物质或高分子量物质电离(所谓软电离)。然而，在MALDI中，发生来自基质的背景噪声。因此，作为不使用基质而进行电离的方法，已知有通过使用表面具有微细的凹凸结构的基板而使试样电离的表面辅助激光解吸电离法(SALDI：Surface-AssistedLaserDesorption/Ionization)。例如，作为利用SALDI的试样的电离方法，存在使用表面具有微细的凹部的阳极氧化多孔氧化铝和阳极氧化多孔硅等作为试样保持面的方法(参照下述专利文献1和2)。在该电离方法中，向具有微细的凹部的试样保持面滴下分析对象的试样，在干燥后照射激光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面辅助激光解吸电离法，其特征在于，包括：第一工序，其准备试样支撑体，所述试样支撑体具有设置有从一个面贯通到另一个面的多个贯通孔的基板、和由导电性材料构成且至少覆盖所述一个面的导电层；第二工序，其将试样载置于试样台，且以所述另一个面与所述试样相对的方式将所述试样支撑体配置于所述试样上；和第三工序，其通过向所述一个面照射激光，从而使利用毛细管现象从所述另一个面侧经由所述贯通孔而移动至所述一个面侧的所述试样电离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.03 JP 2015-1735901.一种表面辅助激光解吸电离法，其特征在于，包括：第一工序，其准备试样支撑体，所述试样支撑体具有设置有从一个面贯通到另一个面的多个贯通孔的基板、和由导电性材料构成且至少覆盖所述一个面的导电层；第二工序，其将试样载置于试样台，且以所述另一个面与所述试样相对的方式将所述试样支撑体配置于所述试样上；和第三工序，其通过向所述一个面照射激光，从而使利用毛细管现象从所述另一个面侧经由所述贯通孔而移动至所述一个面侧的所述试样电离。2.如权利要求1所述的表面辅助激光解吸电离法，其特征在于，所述基板通过将阀金属或硅阳极氧化而形成。3.如权利要求1或2所述的表面辅助激光解吸电离法，其特征在于，所述贯通孔的宽度为1～700nm。4.如权利要求1～3中任一项所述的表面辅助激光解吸电离法，其特征在于，所述基板的厚度为5～10μm。5.如权利要求1～4中任一项所述的表面辅助激光解吸电离法，其特征在于，所述试样支撑体还具有安装于所述基板的所述一个面的外缘部的框体。6.如权利要求1～5中任一项所述的表面辅助激光解吸电离法，其特征在于，在所述第二工序中，所述试样支撑体被固定于所述试样台。7.一种表面辅助激光解吸电离法，其特征在于，包括：第一工序，其准备试样支撑体，所述试样支撑体具有由导电性材料构成且设置有从一个面贯通到另一个面的多个贯通孔的基板；第二工序，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤康秀，小谷政弘，大村孝幸，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP