具有在多个位置处进料的稀释气体流的经调温的导气管制造技术

本发明专利技术涉及一种在衬底(20)上沉积一个或多个特别是有机层的装置或方法，包括具有蒸发器(1',11')的工艺气体源(1,11)，在该蒸发器(1',11')中源调温器(2,12)产生源温度(T1,T1')，其中，向该蒸发器(1',11')中通入运载气体输入管线(4,14)，以将气态原料进料到第一输送管线(5,15)中，其中第一输送管线(5,15)可用管线调温器(7,17)调温，并且向第一输送管线(5,15)中通入第一稀释气体输入管线(8,18)，以将稀释气体流进料到第一输送管线(5,15)中，并且包括借助气体入口调温器(32)可调温至气体入口温度(T5)的气体入口机构(31)，该气体入口机构与第一输送管线(8,18)成管线连接，用该气体入口机构可将气态原料进料到工艺室(30)中，该工艺室具有承受器(35)，该承受器可借助承受器调温器(27)以这样的方式调温至承受器温度(T6)，使得位于承受器(35)上的衬底(20)上借助气态原料生长层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有在多个位置处进料的稀释气体流的经调温的导气管本专利技术涉及一种在衬底上沉积一个或多个特别是有机层的装置和方法，包括具有蒸发器的工艺气体源，在该蒸发器中的固态或液态原料可通过供应由源调温器产生的热而在源温度下蒸发成气态原料，其中，向该蒸发器中通入运载气体输入管线，以便供应用于将气态原料从蒸发器输送到第一输送管线中的运载气体流，其中第一输送管线可用管线调温器调温至管线温度，并且向第一输送管线中通入第一稀释气体输入管线，以将稀释气体流进料到第一输送管线中，其中第一稀释气体输入管线设置在管线调温器的上游，并且包括借助气体入口调温器可调温至气体入口温度的气体入口机构，该气体入口机构与第一输送管线成管线连接，其中另一稀释气体输入管线在气体入口调温器的上游处通入到气体入口机构中以将稀释气体流进料到气体入口机构中，用该气体入口机构可将气态原料进料到工艺室中，该工艺室具有承受器和控制器，该承受器可借助承受器调温器以这样的方式调温至承受器温度，使得位于承受器上的衬底上借助气态原料生长层，该控制器被配置成，将源调温器调温至源温度，将管线调温器调温至管线温度，将气体入口调温器调温至气体入口温度，并将承受器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在衬底(20)上沉积一个或多个特别是有机层的装置，包括具有蒸发器(1',11')的工艺气体源(1,11)，在所述蒸发器(1',11')中的固态或液态原料可通过供应由源调温器(2,12)产生的热而在源温度(T1,T1')下蒸发成气态原料，其中，向所述蒸发器(1',11')中通入运载气体输入管线(4,14)，以便供应用于将气态原料从蒸发器(1',11')输送到第一输送管线(5,15)中的运载气体流，其中第一输送管线(5,15)可用管线调温器(7,17)调温至管线温度(T2,T2')，并且向第一输送管线(5,15)中通入第一稀释气体输入管线(8,18)，以将稀释气体流进料到第一输送管线(5,15...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.24 DE 102014115497.51.一种在衬底(20)上沉积一个或多个特别是有机层的装置，包括具有蒸发器(1',11')的工艺气体源(1,11)，在所述蒸发器(1',11')中的固态或液态原料可通过供应由源调温器(2,12)产生的热而在源温度(T1,T1')下蒸发成气态原料，其中，向所述蒸发器(1',11')中通入运载气体输入管线(4,14)，以便供应用于将气态原料从蒸发器(1',11')输送到第一输送管线(5,15)中的运载气体流，其中第一输送管线(5,15)可用管线调温器(7,17)调温至管线温度(T2,T2')，并且向第一输送管线(5,15)中通入第一稀释气体输入管线(8,18)，以将稀释气体流进料到第一输送管线(5,15)中，其中第一稀释气体输入管线(8,18)设置在管线调温器(7,17)的上游，并且包括借助气体入口调温器(32)可调温至气体入口温度(T5)的气体入口机构(31)，所述气体入口机构与第一输送管线(8,18)成管线连接，其中另一稀释气体输入管线(34)在气体入口调温器(32)的上游处通入到气体入口机构(31)中以将稀释气体流进料到气体入口机构(31)中，用所述气体入口机构可将气态原料进料到工艺室(30)中，所述工艺室具有承受器(35)和控制器，所述承受器可借助承受器调温器(27)以这样的方式调温至承受器温度(T6)，使得位于承受器(35)上的衬底(20)上借助气态原料生长层，所述控制器被配置成，将源调温器(2,12)调温至源温度(T1,T1')，将管线调温器(7,17)调温至管线温度(T2,T2')，将气体入口调温器(32)调温至气体入口温度(T5)，并将承受器调温器(27)调温至承受器温度(T6)，其特征在于，所述控制器被这样配置，使得在沉积所述层的过程中，源温度(T1,T1')大于管线温度(T2,T2')，管线温度(T2,T2')大于气体入口温度(T5)，气体入口温度(T5)大于承受器温度(T6)。2.一种在至少一个衬底(20)上沉积一个或多个特别是有机层的方法，包括具有蒸发器(1',11')的工艺气体源(1,11)，在所述蒸发器(1',11')中将固态或液态原料通过供应由源调温器(2,12)产生的热而在源温度(T1,T1')下蒸发成气态原料，其中，向所述蒸发器(1',11')中通入运载气体输入管线(4,14)，向所述运载气体输入管线(4,14)中进料用于将气态原料从蒸发器(1',11')输送到第一输送管线(5,15)中的第一运载气体流，其中第一输送管线(5,15)可用管线调温器(7,17)调温至管线温度(T2,T2')，并且向第一输送管线(5,15)中通入第一稀释气体输入管线(8,18)，用第一稀释气体输入管线(8,18)将稀释气体流进料到第一输送管线(5,15)中，其中第一稀释气体输入管线(8,18)设置在管线调温器(7,17)的上游，并且包括借助气体入口调温器(32)调温至气体入口温度(T5)的气体入口机构(31)，所述气体入口机构与第一输送管线(8,18)成管线连接，其中另一稀释气体输入管线(34)在气体入口调温器(32)的上游处通入到气体入口机构(31)中以将稀释气体流进料到气体入口机构(31)中，用所述气体入口机构可将气态原料进料到工艺室(30)中，所述工艺室具有承受器(35)和控制器，所述承受器可借助承受器调温器(27)以这样的方式调温至承受器温度(T6)，其中在位于承受器(35)上的至少一个衬底(20)上借助所述气态原料生长层，其特征在于，在沉积所述层的过程中，源温度(T1,T1')大于管线温度(T2,T2')，管线温度(T2,T2')大于气体入口温度(T5)，气体入口温度(T5)大于承受器温度(T6)。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于具有第二蒸发器(11')的工艺气体源”，在所述第二液体蒸发器(11')中固态或液态的第二原料可通过供应由第二源调温器(12)产生的热而在第...

【专利技术属性】
技术研发人员：M格斯多夫，M道尔斯伯格，B帕加达拉戈皮，M朗，
申请(专利权)人：艾克斯特朗欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE