图像感测装置制造方法及图纸

技术编号:16042977 阅读:74 留言:0更新日期:2017-08-20 01:25
常规的图像感测装置具有浮置扩散的重置电压的大变化的问题。根据实施例,一种图像感测装置包括在所述浮置扩散被重置时切换要供应给浮置扩散的电压的重置电路。在用于利用光使光电转换元件曝光的曝光时段之前执行的第一重置操作(PD重置)中,所述重置电路向所述浮置扩散供应基于电源电压而产生的第一重置电压。在用于利用所述光使所述光电转换元件曝光的所述曝光时段期间执行的第二重置操作(FD重置)中,所述重置电路向所述浮置扩散供应基于比所述电源电压低的重置校正电压而产生的第二重置电压,然后供应所述第一重置电压。

【技术实现步骤摘要】
图像感测装置相关申请的交叉引用包括本说明书、附图和说明书摘要的于2015年12月28日提交的日本专利申请No.2015-256229的公开内容通过引用整体地结合在本文中。
技术介绍
本专利技术涉及图像感测装置,并且例如,涉及一种在从光电二极管读出电荷信号之前重置电荷被保持的浮置扩散的图像感测装置。目前成像装置(诸如相机)使用CMOS传感器作为图像感测装置并且输出由该图像感测装置获取的图像作为捕获的数据。在日本专利No.4048415中公开了该图像感测装置的示例。日本专利No.4048415中所公开的图像感测装置包括产生与接收光的量相对应的电荷的光电转换元件、将由该光电转换元件产生的电荷转移到浮置扩散的转移门单元、向输出信号线输出与浮置扩散的电压相对应的电信号的放大器以及重置浮置扩散的电压的重置单元。
技术实现思路
日本专利No.4048415的图像感测装置使用源极耦合到浮置扩散并且电源电压被供应给漏极的NMOS晶体管(在下文中,被称为重置晶体管)作为重置单元。并且,在日本专利No.4048415的图像感测装置中,在浮置扩散的电压被重置之前,浮置扩散和光电转换元件被重置的第一重置操作被执行。此后本文档来自技高网...
图像感测装置

【技术保护点】
一种图像感测装置,所述图像感测装置包括:光电转换元件;转移晶体管,所述转移晶体管用于从所述光电转换元件读出电荷;浮置扩散,所述浮置扩散用于保持经由所述转移晶体管读出的所述电荷;重置电路,所述重置电路在所述浮置扩散被重置时切换要供应给所述浮置扩散的电压;输出线,所述输出线用于输出基于保持在所述浮置扩散中的所述电荷而产生的输出信号;以及重置控制电路,所述重置控制电路用于指令由所述重置电路供应给所述浮置扩散的所述电压的切换,并且输出重置控制信号,其中,所述重置电路在用于利用光使所述光电转换元件曝光的曝光时段之前重置所述浮置扩散的第一重置操作中向所述浮置扩散供应基于电源电压的第一重置电压,并且在用于利...

【技术特征摘要】
2015.12.28 JP 2015-2562291.一种图像感测装置,所述图像感测装置包括:光电转换元件;转移晶体管,所述转移晶体管用于从所述光电转换元件读出电荷;浮置扩散,所述浮置扩散用于保持经由所述转移晶体管读出的所述电荷;重置电路,所述重置电路在所述浮置扩散被重置时切换要供应给所述浮置扩散的电压;输出线,所述输出线用于输出基于保持在所述浮置扩散中的所述电荷而产生的输出信号;以及重置控制电路,所述重置控制电路用于指令由所述重置电路供应给所述浮置扩散的所述电压的切换,并且输出重置控制信号,其中,所述重置电路在用于利用光使所述光电转换元件曝光的曝光时段之前重置所述浮置扩散的第一重置操作中向所述浮置扩散供应基于电源电压的第一重置电压,并且在用于利用所述光使所述光电转换元件曝光的所述曝光时段期间重置所述浮置扩散和所述光电转换元件的第二重置操作中,向所述浮置扩散供应基于比所述电源电压低的重置校正电压的第二重置电压并且此后供应所述第一重置电压。2.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中,所述重置电路包括:重置晶体管,在所述重置晶体管中重置电源线被耦合到漏极,源极被耦合到所述浮置扩散,并且所述重置控制信号被供应给栅极,以及重置电压控制电路,所述重置电压控制电路用于切换要经由所述重置电源线供应给所述重置晶体管的所述漏极的电压,并且其中在所述第二重置操作中,所述重置电压控制电路将要供应给所述重置晶体管的所述漏极的所述电压从所述重置校正电压切换到所述电源电压,同时所述重置晶体管通过所述重置控制信号处于导通状态。3.根据权利要求2所述的图像感测装置,其中,所述重置校正电压比通过将所述电源电压减去所述重置晶体管的阈值电压而获得的电压低。4.根据权利要求2所述的图像感测...

【专利技术属性】
技术研发人员:村尾文秀
申请(专利权)人:瑞萨电子株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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