一种具有双向同步整流和死区自调节的变换器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种具有双向同步整流和死区自调节的变换器电路，包括左右对称的V1侧电路和V2侧电路，所述V1侧电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4，V2侧电路包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7和MOS管Q8。本发明专利技术的有益效果是：1.所述发明专利技术专利，在双向DC/DC变换，提出了怎么样去控制双向变换状态下实现同步整流技术，针对LLC拓扑实现双向同步整流，解决了DC/DC双向变换下的同步整流防反灌问题，同时利用双向同步整流技术，很好的实现了死去时间的自调节，解决了LLC定死区时间控制在极限态下可能实现不了ZVS。这既实现双向同步整流防反灌同时实现死区调节，大大提高了电路的效率，可靠性，使得LLC效率做到最优化，也改善了EMC问题。

【技术实现步骤摘要】
一种具有双向同步整流和死区自调节的变换器电路
本专利技术涉及一种变换器电路，具体是一种具有双向同步整流和死区自调节的变换器电路。
技术介绍
DC/DC变换器作为实现不同直流电压的转换，一般传统的DC/DC变换器为单向转换以及非隔离的BUCK-BOOST拓扑的DC/DC变换。现为满足储能，能源的充分利用。在车载以及，电池化成方面，DC/DC双向变换已经迫切需要，传统的非隔离型DC/DC变换器，由于不具备电气隔离在安全方面存在隐患，故隔离型DC/DC双向变换器成为主要研究对象。DC/DC变换器中以LLC拓扑最为优先，LLC拓扑有着几乎全范围内能实现ZVS，并在f＜fr(谐振频率)副边整流管能实现ZCS，其控制方式为PFM，作为天生的抖频模式，可改善电路的EMC。如图1为传统全桥LLCDC/DC变换器，为单向的二极管整流方式。如图2所示，为LLCDC/DC变换器同步整流。传统的二极管整流，在低压大电流输出情况下，二极管的导通损耗占的比例大，使得电路效率难以调整，损耗的增加又带来了散热难度，需要增加相应的散热措施，增加了散热成本，模块化体积也难以做小，并降低了电路可靠性，同时实现不了DC/D本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有双向同步整流和死区自调节的变换器电路，包括左右对称的V1侧电路和V2侧电路，其特征在于，所述V1侧电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4，V2侧电路包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7和MOS管Q8，MOS管Q1的漏极连接MOS管Q2的漏极、电容Ca和电压V1，MOS管Q1的漏极连接电容Cr、MOS管Q3的漏极和同步整流IC1，MOS管Q2的源极连接变压器T1的绕组LM、MOS管Q4的漏极和同步整流IC1，MOS管Q1的栅极连接MOS管Q4的栅极和驱动信号Vg14，MOS管Q2的栅极连接MOS管Q3的栅极、MOS管Q17的漏极、二极管D2的阴极、MOS管...

【技术特征摘要】
1.一种具有双向同步整流和死区自调节的变换器电路，包括左右对称的V1侧电路和V2侧电路，其特征在于，所述V1侧电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4，V2侧电路包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7和MOS管Q8，MOS管Q1的漏极连接MOS管Q2的漏极、电容Ca和电压V1，MOS管Q1的漏极连接电容Cr、MOS管Q3的漏极和同步整流IC1，MOS管Q2的源极连接变压器T1的绕组LM、MOS管Q4的漏极和同步整流IC1，MOS管Q1的栅极连接MOS管Q4的栅极和驱动信号Vg14，MOS管Q2的栅极连接MOS管Q3的栅极、MOS管Q17的漏极、二极管D2的阴极、MOS管Q15的漏极、二极管D1的阴极和驱动信号Vg23，同步整流IC1还连接与门U1的输入端、二极管D1的阳极和MOS管Q15，MOS管Q15的栅极连接电容C5、电阻R1和三极管Q16的源极，三极管Q16的基极连接与门U1的另一个输入端和非门F1的输出端，与门U1的输出端连接DSP，二极管D2的阳极连接MOS管Q17的源极和与门U2的输出端，与门U2的一个输入端连接非门F2，与门U2的另一个输入端连接DSP的DSP的输出信号Vg4，MOS管Q17的栅极连接电阻R2、三极...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈飞，朱建国，李晨光，
申请(专利权)人：深圳市永联科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44