发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置制造方法及图纸

技术编号:16040579 阅读:26 留言:0更新日期:2017-08-19 22:43
提供一种具有长使用寿命的发光元件。提供一种在高亮度区域中呈现高发光效率的发光元件。提供一种在一对电极之间包括发光层的发光元件。该发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。该第一有机化合物由通式(G0)表示。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。在通式(G0)中,Ar

【技术实现步骤摘要】
发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置
本专利技术涉及一种利用电致发光(EL)的发光元件(还称为EL元件)、发光装置、电子设备以及照明装置。
技术介绍
近年来,广泛地对有机EL元件进行研究开发。在EL元件的基本结构中,包含发光物质的层配置于一对电极之间。通过对该元件施加电压,可以获得来自发光物质的发光。因为这种EL元件为自发光型,所以被认为该EL元件与液晶显示器相比具有像素的能见度高、不需要背光等优势,因此适合用作平板显示器元件。另外,还具有可将该EL元件制造成薄且轻的元件的较大优势。再者,响应速度极快也是这种元件的特征之一。因为EL元件可以形成为膜状,所以能够提供面发光。因此,可以较容易地形成大面积的元件。这是难以通过利用以白炽灯和LED为代表的点光源或以荧光灯为代表的线光源而得到的特征。因此,EL元件作为可应用于照明装置等的面光源还具有巨大潜力。根据发光物质是有机化合物还是无机化合物,可以对EL元件进行大致的分类。在采用将作为发光物质包含有机化合物的层设置于一对电极之间的有机EL元件的情况下,通过对该发光元件施加电压,来自阴极的电子和来自阳极的空穴注入到该包含有机化合物的层中,而电流流动。然后,所注入的电子和空穴使该有机化合物成为激发态,由此从被激发的有机化合物得到发光。作为有机化合物的激发态可以举出单重激发态和三重激发态,由单重激发态(S*)的发光被称为荧光,而由三重激发态(T*)的发光被称为磷光。在改进这种发光元件的元件特性中,物质所引起的问题很多,为了解决这些问题,已经进行了元件结构的改进、物质的开发等。例如,专利文献1公开了包括含有有机低分子空穴传输物质、有机低分子电子传输物质及磷光掺杂剂的混合层的有机发光元件。[参考文献][专利文献1]PCT国际申请日语翻译No.2004-515895。
技术实现思路
有机EL元件的开发在发光效率、可靠性、成本等方面还有改善的余地。为了实现使用有机EL元件的显示器或照明的实用化,有机EL元件例如被要求具有长使用寿命及在高亮度区域中呈现高发光效率。于是,本专利技术的一个方式的目的是提供一种具有长使用寿命的发光元件。本专利技术的一个方式的其他目的是提供一种在高亮度区域中呈现高发光效率的发光元件。本专利技术的一个方式的其他目的是提供一种通过使用上述发光元件而具有高可靠性的发光装置、电子设备以及照明装置。本专利技术的一个方式的发光元件在一对电极之间包括发光层,该发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。该第一有机化合物是叔胺并具有包括芴骨架、螺芴骨架或联苯骨架的两个取代基及包括咔唑骨架的一个取代基都直接键合于氮原子的结构。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。通过使发光层具有这种结构,发光元件可以具有长使用寿命。此外,发光元件能够在高亮度区域中呈现高发光效率。具体而言,本专利技术一个方式是一种在一对电极之间包括发光层的发光元件。该发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。该第一有机化合物由通式(G0)表示。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。[化学式1]在通式(G0)中,Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基或者取代或未取代的联苯基,并且Ar3表示包括咔唑骨架的取代基。本专利技术的其他方式是一种在一对电极之间包括发光层的发光元件。该发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。该第一有机化合物由通式(G1)表示。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。[化学式2]在通式(G1)中,Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基或者取代或未取代的联苯基;α表示取代或未取代的亚苯基或者取代或未取代的联苯二基;n表示0或1;并且A表示取代或未取代的3-咔唑基。本专利技术的其他方式是一种在一对电极之间包括发光层的发光元件。该发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。该第一有机化合物由通式(G2)表示。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。[化学式3]在通式(G2)中,Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基;R1至R4和R11至R17分别独立地表示氢、碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、或者未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基;Ar4表示碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基、或者未取代的三联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的三联苯基。本专利技术的其他方式是一种在一对电极之间包括发光层的发光元件。该发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。该第一有机化合物由通式(G3)表示。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。[化学式4]在通式(G3)中,Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基;R1至R4、R11至R17以及R21至R25分别独立地表示氢、碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、或者未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基。在上述本专利技术的一个方式中,优选的是,Ar1及Ar2在通式(G0)至(G3)的每一个中分别独立地表示取代或未取代的2-芴基、取代或未取代的螺环-9,9'-二芴-2-基、或者联苯-4-基。在上述本专利技术的一个方式中,优选的是,以与发光层接触的方式设置空穴传输层,该空穴传输层包含第三有机化合物,该第三有机化合物由通式(G0)表示,并且该第三有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。[化学式5]在通式(G0)中,Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基,并且Ar3表示包括咔唑骨架的取代基。在上述本专利技术的一个方式中,优选的是,以与发光层接触的方式设置空穴传输层,该空穴传输层包含第三有机化合物,该第三有机化合物由通式(G1)表示,并且该第三有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。[化学式6]在通式(G1)中,Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基;α表示取代或未取代的亚苯基或者取代或未取代的联苯二基;n表示0或1;并且A表示取代或未取代的3-咔唑基。在上述本专利技术的一个方式中,优选的是,以与发光层接触的方式设置空穴传输层,该空穴传输层包含第三有机化合物,该第三有机化合物由通式(G2)表示,并且该第三有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。[化学式7]在通式本文档来自技高网
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发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置

【技术保护点】
一种发光元件,在一对电极之间包括:第一有机化合物;第二有机化合物;以及磷光化合物,其中,所述第一有机化合物由通式(G0)表示,

【技术特征摘要】
2012.08.03 JP 2012-172944;2013.03.07 JP 2013-045121.一种发光元件,在一对电极之间包括:第一有机化合物;第二有机化合物;以及磷光化合物,其中,所述第一有机化合物由通式(G0)表示,其中,Ar1和Ar2分别独立地表示取代的或未取代的螺芴基或者取代的或未取代的联苯基,其中,Ar3表示包括咔唑骨架的取代基,其中,所述第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000,并且其中,所述第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。2.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述第一有机化合物由通式(G1)表示,其中,α表示取代的或未取代的亚苯基或者取代的或未取代的联苯二基,其中,n表示0或1,并且其中,A表示取代的或未取代的3-咔唑基。3.一种发光元件,在一对电极之间包括:第一有机化合物;第二有机化合物;以及磷光化合物,其中,所述第一有机化合物由通式(G2)表示,其中,Ar1和Ar2分别独立地表示取代的或未取代的螺芴基或者取代的或未取代的联苯基,其中,Ar4表示碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基、或者未取代的三联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的三联苯基,其中,R1至R4和R11至R17分别独立地表示氢、碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、或者未取代的联苯基或至少具有一个碳原...

【专利技术属性】
技术研发人员:滨田孝夫濑尾广美安部宽太竹田恭子濑尾哲史
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:日本,JP

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