一种单片集成的可调光功率解复用器及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种单片集成的可调光功率解复用器及制作方法，属于光通信技术领域。所述单片集成的可调光功率解复用器，包括：在同一块衬底材料上集成的阵列波导光栅解复用器和基于马赫曾德尔干涉原理的可调光衰减器阵列，所述阵列波导光栅解复用器通过阵列波导与可调光衰减器阵列连接。本发明专利技术具有成本低、可靠性高、体积小等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种单片集成的可调光功率解复用器及制作方法
本专利技术涉及光通信
，特别是涉及一种单片集成的可调光功率解复用器及制作方法。
技术介绍
多波长光信号传输常用于长距离的骨干网中，以实现高速大容量的光通信。多波长光通信的密集波分复用（DWDM）系统中，光学解复用器一直扮演者重要的角色。在通信系统的节点处，需要光学解复用器将多波信号分解成单个单一波长的信号光。光在长距离传输的过程中产生的光学损耗一般由EDFA来弥补，然而EDFA本身所固有的增益不平坦特性，使得我们从解复用器下载下来的各个波长的信号光功率参差不齐。目前常规的可调波分复用器中，包含了光功率可调的复用/解复用器，主要是将多波复用/解复用器和可调光衰减器阵列，通过尾纤对尾纤的熔接并加以电路上的控制实现的。该类光功率可调的复用/解复用器，一般由两个器件（复用器，光衰减器阵列）组成。分立器件组装成的光功率可调的复用/解复用器比起单片集成的器件，往往存在高制作成本、低可靠性、体积庞大等问题。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种单片集成的可调光功率解复用器及制作方法，本专利技术具有成本低、可靠性高、体积小等优点。本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单片集成的可调光功率解复用器，其特征在于，包括：在同一块衬底材料上集成的阵列波导光栅解复用器（3）和基于马赫曾德尔干涉原理的可调光衰减器阵列（4），所述阵列波导光栅解复用器（3）通过阵列波导（2）与可调光衰减器阵列（4）连接。

【技术特征摘要】
1.一种单片集成的可调光功率解复用器，其特征在于，包括：在同一块衬底材料上集成的阵列波导光栅解复用器（3）和基于马赫曾德尔干涉原理的可调光衰减器阵列（4），所述阵列波导光栅解复用器（3）通过阵列波导（2）与可调光衰减器阵列（4）连接。2.根据权利要求1所述的一种单片集成的可调光功率解复用器，其特征在于，所述阵列波导光栅解复用器（3），依次包括AWG输入波导（5）、AWG输入星形耦合器（6）、AWG阵列波导（7）、AWG输出星形耦合器（8）、AWG输出阵列波导（9）输出，完成解复用功能；其中，AWG输入波导（5）与AWG输入星形耦合器（6）连接，AWG输入星形耦合器（6）通过AWG阵列波导（7）与AWG输出星形耦合器（8）连接，AWG输出星形耦合器（8）与AWG输出阵列波导（9）连接。3.根据权利要求2所述的一种单片集成的可调光功率解复用器，其特征在于，所述可调光衰减器阵列（4），包含有多个可调光衰减器，每个所述可调光衰减器分为上下两路光波导，以及与上下两路光波导两端连接的VOA输入波导（10）、VOA输出波导（11），其中一路光波导镀有加热电极（12），且所述加热电极（12）还连接有加热电极引线（13）。4.一种单片集成的可调光功率解复用器的制作方法，其特征在于，包括：步骤S1、采用湿热氧化法，在硅基晶圆衬底（14）上氧化一层二氧化硅下包层（15）；步骤S2、利用化学气相沉积法，在下包层（15）上沉积波导芯层（16）；步骤S3、在波导芯层（16）上利用反应离子刻蚀技术形成阵列波导光栅解复用器（3）光路和可调光衰减器阵列（4）光路，所述阵列波导光栅解复用器（3）光路通过阵列波导（2）与可调光衰减器阵列（4）光路连接；步骤S4、利用化学气相沉积法沉积一层二氧化硅上包层（18）；步骤S5、在上包层（18）上采用金属薄膜溅射工艺形成加热电极层（17）和加热电极引线层（19）；步骤S6、采用等离子体化...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈辉，徐晓辉，黄钊，张伊，梁凉，吴晓平，肖清明，闵玉岚，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42