基于拉锥光纤平板波导耦合的电场测量传感器封装结构制造技术

针对目前发展迅速的基于拉锥光纤平板波导耦合方式的电场测量传感器，本发明专利技术提出了一种基于拉锥光纤平板波导耦合的电场测量传感器封装结构。包括衬底，衬底上具有V型槽，V型槽的表面涂有掩蔽膜；拉锥光纤放置于V型槽中，V型槽上设置有平板波导。其中，衬底材料选择为单晶硅。本发明专利技术能够将光纤固定并且保持光纤拉锥区和平板波导的间距固定，能够有效的解决波导和光纤模场的匹配性以及耦合的准直性都带有很大的随机性的问题。

【技术实现步骤摘要】
基于拉锥光纤平板波导耦合的电场测量传感器封装结构
本专利技术属于测量传感器的封装领域，特别是对拉锥光纤平板波导耦合方式的电场测量传感器提出的一种封装结构。
技术介绍
目前主要解决波导和光纤模场的匹配性以及耦合的随机性问题的封装方法有：（1）直接微调光纤对准法。但由于其调整自由度太多，增加了调整的难度，同时光纤与波导易发生耦和退化等现象。（2）“倒装”耦和结构。该方法虽然有较高的耦和精度。但其使用硅片较大，影响波导上的电接触和器件的高频性能。再者硅片与波导的热膨胀性不同影响耦和的热稳定性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种工艺简单、低成本、间距固定并且能够保持波导和光纤模场有效匹配的基于拉锥光纤平板波导耦合方式的电场测量传感器封装结构。为了实现上述目的本专利技术采用的技术方案如下：基于拉锥光纤平板波导耦合的电场测量传感器封装结构，包括衬底，衬底上具有V型槽，V型槽的表面涂有掩蔽膜；拉锥光纤放置于V型槽中，使拉锥光纤中段的锥部区域位于V型槽的中央位置，拉锥光纤锥部区域所处位置的V型槽上横跨设置有平板波导。所述拉锥光纤锥部区域所处位置的V型槽中具有耦和油，使拉锥光纤与平板波本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于拉锥光纤平板波导耦合的电场测量传感器封装结构，其特征在于：包括衬底，衬底上具有V型槽，V型槽的表面涂有掩蔽膜；拉锥光纤放置于V型槽中，使拉锥光纤中段的锥部区域位于V型槽的中央位置，拉锥光纤锥部区域所处位置的V型槽上横跨设置有平板波导。

【技术特征摘要】
1.基于拉锥光纤平板波导耦合的电场测量传感器封装结构，其特征在于：包括衬底，衬底上具有V型槽，V型槽的表面涂有掩蔽膜；拉锥光纤放置于V型槽中，使拉锥光纤中段的锥部区域位于V型槽的中央位置，拉锥光纤锥部区域所处位置的V型槽上横跨设置有平板波导。2.根据权利要求1所述基于拉锥光纤平板波导耦合的电场测量传感器封装结构，其特征在于：所述拉锥光纤锥部区域所处位置的V型槽中具有耦和油，使拉锥光纤与平板波导相对固定。3.根据权利要求1或2所述基于拉锥光纤平板波导耦合的电场测量传感器封装结构，其特征在于：所述衬底的材料为单晶硅。4.根据权利要求3所述基于拉锥光纤平板波导耦合的电场测量传感器封装结构，其特征在于：所述V...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨帆，陈思远，王涉，陈洋，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：重庆,50