中波红外成像光谱仪的辐射和光谱一体化定标方法技术

公开了中波红外成像光谱仪的辐射和光谱一体化定标方法，涉及地面定标技术领域。本发明专利技术在采用黑体对中波红外成像光谱仪进行辐射定标的同时，将聚乙烯薄膜覆盖在黑体上，利用聚乙烯材料在光谱位置2920cm

【技术实现步骤摘要】
中波红外成像光谱仪的辐射和光谱一体化定标方法
本专利技术涉及地面定标
，尤其涉及中波红外成像光谱仪的辐射和光谱一体化定标方法。
技术介绍
以下对本专利技术的相关技术背景进行说明，但这些说明并不一定构成本专利技术的现有技术。定标是成像光谱仪应用的一个重要环节，是指确定遥感器输出准确数值的过程，主要包括辐射定标和光谱定标。辐射定标的任务是利用辐射参考标准,建立成像光谱仪的数字化输出与其接收的地面景物辐亮度之间的换算关系。光谱定标就是测量成像光谱仪随入射辐射波长变化的响应，其主要目的是确定探测器不同光谱通道中心波长的位置和光谱分辨率。辐射定标和光谱定标是保证成像光谱仪真实有效的获得地物目标信息的首要工作，是成像光谱仪定量化应用的关键。对于红外成像光谱仪来说，辐射定标通常采用黑体来完成，光谱定标通常采用激光器实现，这两个过程相对独立，并且定标设备复杂，尤其对于外场实验来说，一定程度上增加了成像光谱仪应用的复杂度。若能在采用黑体进行辐射定标的同时，完成光谱定标，即实现辐射、光谱的一体化定标工作，将大大降低红外成像光谱仪的应用及后续数据处理的难度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种中本文档来自技高网...

【技术保护点】
中波红外成像光谱仪的辐射和光谱一体化定标方法，其特征在于包括：S1、分别在第一定标温度和第二定标温度下采集黑体的干涉数据，基于该干涉数据确定光谱仪在第一定标温度下的第一响应值和在第二定标温度下的第二响应值；S2、在黑体表面覆盖聚乙烯薄膜，采集第二定标温度下的干涉数据，基于该干涉数据与第二响应值确定聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的位置坐标；S3、基于第一响应值、第二响应值以及黑体在第一定标温度和第二定标温度下的理论辐射亮度值，拟合成像光谱仪的辐射增益和辐射偏置，得到成像光谱仪的响应函数；S4、基于聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的位置坐标和其中一个特征吸收峰的理论光谱位置，确定聚乙烯薄膜另一个特征吸收峰的光谱...

【技术特征摘要】
1.中波红外成像光谱仪的辐射和光谱一体化定标方法，其特征在于包括：S1、分别在第一定标温度和第二定标温度下采集黑体的干涉数据，基于该干涉数据确定光谱仪在第一定标温度下的第一响应值和在第二定标温度下的第二响应值；S2、在黑体表面覆盖聚乙烯薄膜，采集第二定标温度下的干涉数据，基于该干涉数据与第二响应值确定聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的位置坐标；S3、基于第一响应值、第二响应值以及黑体在第一定标温度和第二定标温度下的理论辐射亮度值，拟合成像光谱仪的辐射增益和辐射偏置，得到成像光谱仪的响应函数；S4、基于聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的位置坐标和其中一个特征吸收峰的理论光谱位置，确定聚乙烯薄膜另一个特征吸收峰的光谱位置，根据确定出的光谱位置以及所述另一个特征吸收峰的理论光谱位置确定光谱仪的光谱定标精度；其中，第一定标温度与第二定标温度不相等。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2包括：在黑体表面覆盖聚乙烯薄膜；采集第一定标温度下的干涉数据，基于该干涉数据与第一响应值确定聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的第一位置坐标；采集第二定标温度下的干涉数据，基于该干涉数据与第二响应值确定聚乙烯薄膜两个特征吸收峰的第二位置坐标；针对聚乙烯薄膜的每一个特征吸收峰，以该特征吸收峰的第一位置坐标和第二位置坐标的平均值作为该特征吸收峰的位置坐标。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，成像光谱仪的响应函数为：M(σ)＝G(σ)·L(σ,T)+O(σ)式中，M(σ)为成像光谱仪在位置坐标σ处的响...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈艳，王广平，徐文斌，王淑华，陈伟力，雷浩，
申请(专利权)人：北京环境特性研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11