一种可控整流器的新型变频器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可控整流器的新型变频器，包括壳体，所述壳体的内部设有电路板，且电路板上焊接有耦合器U1和稳压器U2，所述耦合器U1的引脚3和引脚4分别连接有输出端Vo1和输出端Vo2，所述耦合器U1的引脚1连接有高电平VCC，且耦合器U1的引脚2连接有可控硅整流器DE的控制端，所述可控硅整流器DE的正极连接有二极管D1的负极、二极管D3的负极、二极管D5的负极和电阻R1，所述二极管D1的正极连接有二极管D2的负极和三相输入端的引脚R。本实用新型专利技术在可控硅整理器的输出端依次增设了滤波电路和稳压电路，变频器可以整流电路所整流后的电压进行滤波和稳压处理，保证了变频器上所连接的设备可以更好的运行，且避免了变频器上连接的设备造成损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种可控整流器的新型变频器
本技术涉及变频器
，尤其涉及一种可控整流器的新型变频器。
技术介绍
变频器是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流、滤波、逆变、制动单元、驱动单元、检测单元微处理单元等组成，现有的变频器内部缺少稳压模块和滤波模块，使得变频器上连接的设备不能正常运行，且变频器上连接的设备容易因接入电压的来回波动而发生损坏。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种可控整流器的新型变频器。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种可控整流器的新型变频器，包括壳体，所述壳体的内部设有电路板，且电路板上焊接有耦合器U1和稳压器U2，所述耦合器U1的引脚3和引脚4分别连接有输出端Vo1和输出端Vo2，所述耦合器U1的引脚1连接有高电平VCC，且耦合器U1的引脚2连接有可控硅整流器DE的控制端，所述可控硅整流器DE的正极连接有二极管D1的负极、二极管D3的负极、二极管D5的负极和电阻R1，所述二极管D1的正极连接有二极管D2的负极和三相输入端的引脚R，所述二极管D3的正极连接有二极管D4的负极和三相输入端的引脚S，所述二极管D5的正极连接有二极管D6的负极和三相输入端的引脚T，所述二极管D2的正极连接有二级挂D4的正极、二极管D6的正极、电容C1的负极、电阻R5、电容C4的负极和PNP型三极管Q3的集电极，所述电容C1的正极连接有电阻R2和NPN型三极管Q1的基极，且NPN型三极管Q1的发射极连接有电阻R2的另一端、电阻R1的另一端和可控整流器DE的负极，所述NPN型三极管Q1的发射极接地，且NPN型三级管Q1的集电极和稳压器U2的输入端相连接，所述稳压器U2的接地端连接有电阻R3的第一端，且电阻R3的第二端连接有电阻R3的滑动端和电容C2的负极，所述电阻R2的第二端接地，且电容C2的正极连接有稳压器U2的输出端、电阻R4、电容C3的正极和PNP型三极管Q2的发射极，所述电阻R4的另一端和电阻R5的另一端相连接，所述电容C3的负极和电容C4的正极相连接，所述PNP型三极管Q2的基极连接有输出端U，且PNP型三极管Q2的集电极连接有PNP型三极管Q3的发射极和输出端V，所述PNP型三极管Q3的基极连接有输出端W。优选的，所述耦合器U1为光电耦合器，且耦合器U1的型号为B44N25。优选的，所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5的阻值分别为10kΩ、1500Ω、9kΩ、1500Ω、1kΩ，且电阻R3为滑动电阻。优选的，所述电容C1、电容C2、电容C3和电容C4均为电解电容，且电容C1、电容C2、电容C3和电容C4的容值分别为30PF、22µF、30PF、30PF。优选的，所述稳压器U2为三端稳压器，且稳压器U2的型号为78T05。优选的，所述高电平VCC的电压值为12伏。本技术中，所述一种可控整流器的新型变频器中通过NPN型三极管分别与电阻R2、电容C1共同构成了滤波电路，滤波电路可以对经过二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6共同构成的整流电路所整流后的电压进行滤波处理，可以滤出市电输入时所产生的杂波，保证了变频器上所连接的设备进行正常运行，通过稳压器U2分别与电阻R3、电容C2共同构成了稳压电路，稳压电路可以对滤波所处理后的电压进行稳压处理，避免了变频器上连接的设备造成损坏，本技术在可控硅整理器的输出端依次增设了滤波电路和稳压电路，变频器可以整流电路所整流后的电压进行滤波和稳压处理，保证了变频器上所连接的设备可以更好的运行，且避免了变频器上连接的设备造成损坏。附图说明图1为本技术提出的一种可控整流器的新型变频器的工作原理图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。参照图1，一种可控整流器的新型变频器，包括壳体，壳体的内部设有电路板，且电路板上焊接有耦合器U1和稳压器U2，耦合器U1的引脚3和引脚4分别连接有输出端Vo1和输出端Vo2，耦合器U1的引脚1连接有高电平VCC，且耦合器U1的引脚2连接有可控硅整流器DE的控制端，可控硅整流器DE的正极连接有二极管D1的负极、二极管D3的负极、二极管D5的负极和电阻R1，二极管D1的正极连接有二极管D2的负极和三相输入端的引脚R，二极管D3的正极连接有二极管D4的负极和三相输入端的引脚S，二极管D5的正极连接有二极管D6的负极和三相输入端的引脚T，二极管D2的正极连接有二级挂D4的正极、二极管D6的正极、电容C1的负极、电阻R5、电容C4的负极和PNP型三极管Q3的集电极，电容C1的正极连接有电阻R2和NPN型三极管Q1的基极，且NPN型三极管Q1的发射极连接有电阻R2的另一端、电阻R1的另一端和可控整流器DE的负极，NPN型三极管Q1的发射极接地，且NPN型三级管Q1的集电极和稳压器U2的输入端相连接，稳压器U2的接地端连接有电阻R3的第一端，且电阻R3的第二端连接有电阻R3的滑动端和电容C2的负极，电阻R2的第二端接地，且电容C2的正极连接有稳压器U2的输出端、电阻R4、电容C3的正极和PNP型三极管Q2的发射极，电阻R4的另一端和电阻R5的另一端相连接，电容C3的负极和电容C4的正极相连接，PNP型三极管Q2的基极连接有输出端U，且PNP型三极管Q2的集电极连接有PNP型三极管Q3的发射极和输出端V，PNP型三极管Q3的基极连接有输出端W，耦合器U1为光电耦合器，且耦合器U1的型号为B44N25，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5的阻值分别为10kΩ、1500Ω、9kΩ、1500Ω、1kΩ，且电阻R3为滑动电阻，电容C1、电容C2、电容C3和电容C4均为电解电容，且电容C1、电容C2、电容C3和电容C4的容值分别为30PF、22µF、30PF、30PF，稳压器U2为三端稳压器，且稳压器U2的型号为78T05，高电平VCC的电压值为12伏。本技术中，三相输入端所接入的市电电压首先经过经过二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6共同构成的整流电路进行整流处理，整理电路的输出电压经过NPN型三极管分别与电阻R2、电容C1共同构成的滤波电路进行滤波处理，可以滤出市电输入时所产生的杂波，保证了变频器上所连接的设备进行正常运行，然后滤波电路输出的电压经过稳压器U2分别与电阻R3、电容C2共同构成的稳压电路进行稳压处理，避免了变频器上连接的设备造成损坏，另外二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6共同构成的整流电路通过可控硅整流器DE和耦合器U1相连通，大大降低了变频器对环境的要求。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可控整流器的新型变频器，包括壳体，所述壳体的内部设有电路板，且电路板上焊接有耦合器U1和稳压器U2，其特征在于，所述耦合器U1的引脚3和引脚4分别连接有输出端Vo1和输出端Vo2，所述耦合器U1的引脚1连接有高电平VCC，且耦合器U1的引脚2连接有可控硅整流器DE的控制端，所述可控硅整流器DE的正极连接有二极管D1的负极、二极管D3的负极、二极管D5的负极和电阻R1，所述二极管D1的正极连接有二极管D2的负极和三相输入端的引脚R，所述二极管D3的正极连接有二极管D4的负极和三相输入端的引脚S，所述二极管D5的正极连接有二极管D6的负极和三相输入端的引脚T，所述二极管D2的正极连接有二级挂D4的正极、二极管D6的正极、电容C1的负极、电阻R5、电容C4的负极和PNP型三极管Q3的集电极，所述电容C1的正极连接有电阻R2和NPN型三极管Q1的基极，且NPN型三极管Q1的发射极连接有电阻R2的另一端、电阻R1的另一端和可控整流器DE的负极，所述NPN型三极管Q1的发射极接地，且NPN型三级管Q1的集电极和稳压器U2的输入端相连接，所述稳压器U2的接地端连接有电阻R3的第一端，且电阻R3的第二端连接有电阻R3的滑动端和电容C2的负极，所述电阻R2的第二端接地，且电容C2的正极连接有稳压器U2的输出端、电阻R4、电容C3的正极和PNP型三极管Q2的发射极，所述电阻R4的另一端和电阻R5的另一端相连接，所述电容C3的负极和电容C4的正极相连接，所述PNP型三极管Q2的基极连接有输出端U，且PNP型三极管Q2的集电极连接有PNP型三极管Q3的发射极和输出端V，所述PNP型三极管Q3的基极连接有输出端W。...

【技术特征摘要】
1.一种可控整流器的新型变频器，包括壳体，所述壳体的内部设有电路板，且电路板上焊接有耦合器U1和稳压器U2，其特征在于，所述耦合器U1的引脚3和引脚4分别连接有输出端Vo1和输出端Vo2，所述耦合器U1的引脚1连接有高电平VCC，且耦合器U1的引脚2连接有可控硅整流器DE的控制端，所述可控硅整流器DE的正极连接有二极管D1的负极、二极管D3的负极、二极管D5的负极和电阻R1，所述二极管D1的正极连接有二极管D2的负极和三相输入端的引脚R，所述二极管D3的正极连接有二极管D4的负极和三相输入端的引脚S，所述二极管D5的正极连接有二极管D6的负极和三相输入端的引脚T，所述二极管D2的正极连接有二级挂D4的正极、二极管D6的正极、电容C1的负极、电阻R5、电容C4的负极和PNP型三极管Q3的集电极，所述电容C1的正极连接有电阻R2和NPN型三极管Q1的基极，且NPN型三极管Q1的发射极连接有电阻R2的另一端、电阻R1的另一端和可控整流器DE的负极，所述NPN型三极管Q1的发射极接地，且NPN型三级管Q1的集电极和稳压器U2的输入端相连接，所述稳压器U2的接地端连接有电阻R3的第一端，且电阻R3的第二端连接有电阻R3的滑动端和电容C2的负极，所述电阻R2的第二端接地，且电容C2的正...

【专利技术属性】
技术研发人员：谌笑斌，
申请(专利权)人：广州天世成方自动化技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44