【技术实现步骤摘要】
一种计算机内保护模块
本技术涉及一种保护电路,具体是一种计算机内保护模块。
技术介绍
计算机内现有很多保护模块采用大功率半导体开关器件设计,其所能承受的电流过载能力相对于旋转变流装置要低得多,如IGBT一般只能承受几十个μs甚至几个μs的过载电流,一旦短路发生就要求保护电路能在尽可能短的时间内关断开关器件,切断短路电流,使开关器件不致于因过流而损坏。但是,在短路情况下迅速关断开关器件,将导致负载电流下降过快而产生过大的di/dt,由于引线电感和漏感的存在,过大的di/dt将产生很高的过电压,而使开关器件面临过压击穿的危险。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种采用三极管设计的计算机内保护模块,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种计算机内保护模块,包括二极管D1、电阻R1、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和三极管Q4,所述二极管D1正极分别连接输入端Vi和三极管Q2,三极管Q2集电极连接电源VCC,二极管D1负极连接三极管Q1集电极,三极管Q1基极分别连接三极管Q2发射极和电阻R1,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、电阻R2和输出端Vo,电阻R2另一端分别连接三极管Q4集电极和三极管Q3基极,三极管Q3发射极分别连接三极管Q1发射极和二极管D2正极,三极管Q3集电极连接三极管Q4基极,三极管Q4发射极接地。作为本技术进一步的方案:所述电源VCC电压为12V。作为本技术进一步的方案:所述输入端Vi输入的为直流电信号。作为本技术进一步的方案:所述二极管D1和二极管D2均采用1N4007。作为本技术进一步的方案:所述三极管Q ...
【技术保护点】
一种计算机内保护模块,包括二极管D1、电阻R1、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和三极管Q4,其特征在于,所述二极管D1正极分别连接输入端Vi和三极管Q2,三极管Q2集电极连接电源VCC,二极管D1负极连接三极管Q1集电极,三极管Q1基极分别连接三极管Q2发射极和电阻R1,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、电阻R2和输出端Vo,电阻R2另一端分别连接三极管Q4集电极和三极管Q3基极,三极管Q3发射极分别连接三极管Q1发射极和二极管D2正极,三极管Q3集电极连接三极管Q4基极,三极管Q4发射极接地。
【技术特征摘要】
1.一种计算机内保护模块,包括二极管D1、电阻R1、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和三极管Q4,其特征在于,所述二极管D1正极分别连接输入端Vi和三极管Q2,三极管Q2集电极连接电源VCC,二极管D1负极连接三极管Q1集电极,三极管Q1基极分别连接三极管Q2发射极和电阻R1,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、电阻R2和输出端Vo,电阻R2另一端分别连接三极管Q4集电极和三极管Q3基极,三极管Q3发射极分别连接三极管Q1发射极和二极管D2正极,三极管Q3集电极连接三极管Q4基...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏晓莉,孟繁锋,张永根,
申请(专利权)人:东北农业大学,
类型:新型
国别省市:黑龙江,23
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