集成双维电极的带非常规边缘的微三维轴对称振动传感器制造技术
【技术实现步骤摘要】
集成双维电极的带非常规边缘的微三维轴对称振动传感器
本专利技术属于微电子机械系统(MEMS)领域，具体涉及了一种三维振动传感器。
技术介绍
为实现高性能微壳体谐振陀螺，中国专利技术专利申请“微玻璃半球谐振陀螺及其圆片级制备方法”(专利公开号：CN105540530A)提出了一种嵌入式硅电极，这种电极嵌入在复合结构基底中，驱动和检测微壳体谐振子，但电极与微壳体谐振子的面积较小，导致电容较小，如果增大电容，则需减小电极与微壳体谐振子的间距，但这种设计提高了后续封装的难度，尤其对于MEMS器件的封装，封装的真空度较难达到10-2Pa-10-5Pa，间距减小到1um后需要很高的真空度，因此设计时倾向于增大面积；“微玻璃半球谐振陀螺及其圆片级制备方法”中的电容取决于壳体边缘的厚度，而厚度由于工作频率的限制，一般在300um以下，这就大大降低了面积，并且陀螺的控制和检测需要多个电极，一般为16个或20个等4的倍数个，当电极数量较多时，单个电极与微壳体谐振子的电容进一步减小。
技术实现思路
为了解决上述
技术介绍
提出的技术问题，本专利技术旨在提供集成双维电极的带非常规边缘的微三维轴对...
【技术保护点】
集成双维电极的带非常规边缘的微三维轴对称振动传感器，其特征在于：包括微壳体谐振子(10)、双维电极和基底(40)，所述微壳体谐振子(10)包括壳体(12)、单端柱(14)和非常规边缘(20)，所述单端柱(14)位于壳体(12)的内部中心轴处，单端柱(14)的底部与非常规边缘(20)的底部齐平，所述双维电极包括平面电极和非平面电极(50)，所述平面电极用于感应微壳体谐振子(10)的径向运动，所述非平面电极(50)用于感应微壳体谐振子(10)的轴向运动，且非平面电极(50)位于非常规边缘(20)的下方，所述基底(40)中嵌有导电通孔(44)，基底(40)的背面设有导电引出层(7...
【技术特征摘要】
1.集成双维电极的带非常规边缘的微三维轴对称振动传感器，其特征在于：包括微壳体谐振子(10)、双维电极和基底(40)，所述微壳体谐振子(10)包括壳体(12)、单端柱(14)和非常规边缘(20)，所述单端柱(14)位于壳体(12)的内部中心轴处，单端柱(14)的底部与非常规边缘(20)的底部齐平，所述双维电极包括平面电极和非平面电极(50)，所述平面电极用于感应微壳体谐振子(10)的径向运动，所述非平面电极(50)用于感应微壳体谐振子(10)的轴向运动，且非平面电极(50)位于非常规边缘(20)的下方，所述基底(40)中嵌有导电通孔(44)，基底(40)的背面设有导电引出层(70)，单端柱(14)的底部通过导电粘附层(60)与导电通孔(44)连接，且导电通孔(44)通过导电引出层(70)引出。2.根据权利要求1所述集成双维电极的带非常规边缘的微三维轴对称振动传感器，其特征在于：所述非常规边缘(20)的底面与非平面电极(50)平行，且非常规边缘(20)的底面的投影位于非平面电极(50)的内边沿(52B)和外边沿(52A)之间，非常规边缘(20)的底面与非平面电极(50)形成电容。3.根据权利要求1所述集成双维电极的带非常规边缘的微三维轴对称振动传感器，其特征在于：所述非平面电极(50)为柱状电极，且所述柱状电极包括至少一层工作电极，各层工作电极同轴设置但直径不同，每层工作电极包括4n个均匀排布的子电极，n取正整数。4.根据权利要求3所述集成双维电极的带非常规边缘的微三维轴对称振动传感器，其特征在于：所述非平面电极(50)还包括隔离电极，用于将每层工作电极中相邻的子电极隔开。5.根据权利要求3所述集成双维电极的带非常规边缘的微三维轴对称振动传感器，其特征在于：当非平面电极(50)包括m层工作电极时，在相邻层工作电极之间设有环形激励电极，m≥2。6.根据权利要求1所述集成双维电极的带非常规边缘的微三维轴对称振动传...
【专利技术属性】
技术研发人员：尚金堂，罗斌，梁栋国，苏兆喜，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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