中子发生器制造技术

技术编号:15960421 阅读:79 留言:0更新日期:2017-08-08 09:58
本发明专利技术公开了中子发生器,包括绝缘管壁,绝缘管壁的一个端面封闭形成离子源的安装基板,另一端作为封接口,在安装基板上设置有一个环状阳极板,在环状阳极板内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块、阴极,环状阳极板通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网与板状阳极板连接,在绝缘管壁的内侧设置有与出口金属栅网分离的环形靶;还包括一个与阴极间隔设置的触发电极、以及电源系统。本发明专利技术结构采用了径向引出的方法,保持轴向放电的方式,金属离子仍然会分布在轴线上,最终大部分会损失在边壁上,而氘离子由于分布在边沿处,受引出电场的影响,会有较高的引出效率。

【技术实现步骤摘要】
中子发生器
本专利技术涉及中子发生器领域,具体是一种基于金属氘化物真空弧离子源的脉冲中子发生器。
技术介绍
中子发生器是一种产生中子的装置,应用于石油探井、武器点火等方向。它的主要部件包括了金属氘化物真空弧离子源,束流光学部件以及氚靶件。基本的原理是首先离子源产生氘离子,经束流光学部件引出后,打在靶上,氘离子与靶上的氚离子发生热核反应,产生中子。根据真空弧放电原理,离子源会产生多种离子,包括了各价态的金属离子以及氘离子,其中金属离子并非我们期望的产物,不仅不会参与热核反应产生中子,并且增大了束流负载,增大击穿风险,并且经引出的高能金属离子对靶也会造成损伤。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种中子发生器,解决现有技术中的中子发生器产生的金属离子过多而引起的束流负载大、击穿风险高、靶损伤等问题。本专利技术通过下述技术方案实现:中子发生器,包括一个内部为空腔结构的圆筒形绝缘管壁,绝缘管壁的一个端面封闭形成离子源的安装基板,另一端作为封接口,在安装基板上设置有一个环状阳极板,在环状阳极板内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块、阴极,环状阳极板通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网与板状阳极板连接,本文档来自技高网...

【技术保护点】
中子发生器,包括一个内部为空腔结构的圆筒形绝缘管壁(7),绝缘管壁(7)的一个端面封闭形成离子源的安装基板,另一端作为封接口(8),其特征在于:在安装基板上设置有一个环状阳极板(2),在环状阳极板(2)内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块(4)、阴极(1),环状阳极板(2)通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网(5)与板状阳极板(12)连接,在绝缘管壁(7)的内侧设置有与出口金属栅网(5)分离的环形靶(6);还包括一个与阴极(1)间隔设置的触发电极(3)、以及电源系统。

【技术特征摘要】
1.中子发生器,包括一个内部为空腔结构的圆筒形绝缘管壁(7),绝缘管壁(7)的一个端面封闭形成离子源的安装基板,另一端作为封接口(8),其特征在于:在安装基板上设置有一个环状阳极板(2),在环状阳极板(2)内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块(4)、阴极(1),环状阳极板(2)通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网(5)与板状阳极板(12)连接,在绝缘管壁(7)的内侧设置有与出口金属栅网(5)分离的环形靶(6);还包括一个与阴极(1)间隔设置的触发电极(3)、以及电源系统。2.根据权利要求1所述的中子发生器,其特征在于:所述的电源系统包括触发电源(9)、放电电源(10)、高压引出电源(11),其中触发电极(3)通过馈电杆连接至触发电源(9)的...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑乐龙继东董攀蓝朝晖刘飞翔李杰杨振刘尔祥陈德彪李天涛
申请(专利权)人:中国工程物理研究院流体物理研究所
类型:发明
国别省市:四川,51

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