[problem] electronic components using Cu Co Ni Si alloy, the copper alloy with high strength in addition to corsan and high conductivity besides the general strength of both difficult and bending resistance, improve reliability. [means] for the electronic components using Cu Co Ni Si alloy, which contains 0.5~3.0 mass% Co and 0.1~1.0 mass% Ni, Ni relative to the concentration of Co (mass%) than 0.1~1.0 (Ni/Co) to be adjusted, and the quality of /Si containing Si (Co+Ni) more than 3~5, and the rest by Cu and unavoidable impurities, for at least 100 of the second phase particles were determined by Co with respect to Ni concentration ratio (Co/Ni) of the coefficient of variation is less than 20%.
【技术实现步骤摘要】
电子部件用Cu-Co-Ni-Si合金
本专利技术涉及适合用于电子部件、特别是连接器、电池端子、插孔、继电器、开关、引线框架等的电子部件用Cu-Co-Ni-Si合金。
技术介绍
以往，一般而言作为电气·电子设备用材料，除了铁系材料之外，还广泛使用电子导电性和导热性优异的磷青铜、红色黄铜（丹銅）、黄铜等铜系材料。近年，针对电气·电子设备的小型化、轻量化、高性能化、进一步伴随这些的高密度安装化的要求提高，对适用于其的铜系材料也要求多种特性。伴随部件的小型化，推进了材料的薄壁化，要求材料强度的提高。在继电器等的用途中，对疲劳特性的要求提高，需要提高强度。此外，伴随部件的小型化，弯曲加工时的条件变得严苛，在具备高强度的同时还要求弯曲加工性优异。进一步，对部件而言，在进行加工后，伴随通电量的上升而存在发热的情况，从抑制发热的观点出发，要求提高导电率。在专利文献1中，公开了弯曲加工性、强度、导电率的平衡优异的Cu-Ni-Co-Si系合金，将板表面的来自{111}面的衍射强度设为I{111}、来自{200}面的衍射强度设为I{200}、来自{220}面的衍射强度设为I{220}、...
【技术保护点】
电子部件用Cu‑Co‑Ni‑Si合金，其含有0.5~3.0质量%的Co和0.1~1.0质量%的Ni，以Ni相对于Co的浓度(质量%)比(Ni/Co)达到0.1~1.0的方式进行调整，并且以(Co+Ni)/Si质量比达到3~5的方式含有Si，并且余量由Cu和不可避免的杂质构成，对至少100个第二相粒子进行测定得到的Co相对于Ni的浓度比(Co/Ni)的变动系数为20%以下。
【技术特征摘要】
2015.10.05 JP 2015-1978581.电子部件用Cu-Co-Ni-Si合金，其含有0.5~3.0质量%的Co和0.1~1.0质量%的Ni，以Ni相对于Co的浓度(质量%)比(Ni/Co)达到0.1~1.0的方式进行调整，并且以(Co+Ni)/Si质量比达到3~5的方式含有Si，并且余量由Cu和不可避免的杂质构成，对至少100个第二相粒子进行测定得到的Co相对于Ni的浓度比(Co/Ni)的变动系数为20%以下。2.权利要求1所述的合金，其进一步含有总计最大1.0质量%的选自Fe、Mg...
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