一种掠入射板条放大器制造技术

技术编号:15902024 阅读:39 留言:0更新日期:2017-07-28 23:55
本实用新型专利技术属于激光器领域,具体涉及一种半导体泵浦固体激光器中使用的掠入射板条放大器。该放大器的板条为由Nd:YVO4晶体和非掺杂YVO4晶体键合而成的复合板条;其中,Nd:YVO4晶体具有与键合面相对的泵浦面;非掺杂YVO4晶体具有与键合面相对的冷却面;冷却面的热流方向与泵浦面的泵浦光方向相同。本实用新型专利技术的板条为由Nd:YVO4晶体和非掺杂YVO4晶体键合而成的复合板条,通过与泵浦方向相同的面进行冷却,能够实现较好的热管理,减少由温度梯度引起的激光波前畸变和热透镜等效应,从而提高输出激光的光束质量。

【技术实现步骤摘要】
一种掠入射板条放大器
本技术属于激光器领域,具体涉及一种半导体泵浦固体激光器中使用的掠入射板条放大器。
技术介绍
随着半导体泵浦固体激光技术的迅速发展,特别是半导体泵浦的板条激光器的发展,使得固体激光器的输出功率得到了进一步的提高,光束质量也得到了很大的改善。由于LD抽运板条固体激光器具有结构紧凑、效率高、光束质量好等优势,在工业领域中的应用前景非常广阔,是目前激光领域的研究热点。但是随着泵浦功率的提高,激光介质的热效应成为制约高功率输出、高光束质量的重要因素。掠入射板条激光器作为典型的板条激光器之一,具有增益高,结构简单,易于小型化等优势。如图1所示传统的板条放大器结构中,由于Nd:YVO4晶体具有非常高的增益系数,因此增益介质采用板条Nd:YVO4晶体;泵浦方式采用LD在YOZ侧面泵浦,Nd:YVO4晶体具有极高的吸收系数,增益集中在介质侧面薄薄的一层上,因此种子光通过掠入射的方式能够获得极高的增益;冷却方式采用晶体XOY大面冷却。对于这种传统的掠入射板条放大器,种子光在晶体表面发生一次全发射,即增加了种子光在晶体增益区域的光程,又对X方向增益不均匀引起的畸变进行了补偿,提高了光束质量。采用这种XOY大面冷却方式,晶体两个XOZ侧面为绝热面,所以Y方向不存在温度梯度;而在Z方向存在较大的温度梯度,会产生温度梯度引起的热透镜效应和波前畸变。因此,这种冷却方式限制了高光束质量的放大输出。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本技术的目的是提出一种掠入射板条放大器,以解决如何降低现有板条放大器的因温度梯度导致的热透镜效应和波前畸变问题。(二)技术方案为解决上述技术问题,本技术提出一种掠入射板条放大器,该放大器的板条为由Nd:YVO4晶体和非掺杂YVO4晶体键合而成的复合板条;其中,Nd:YVO4晶体具有与键合面相对的泵浦面;非掺杂YVO4晶体具有与键合面相对的冷却面;冷却面的热流方向与泵浦面的泵浦光方向相同。进一步地,非掺杂YVO4晶体的冷却面面积大于键合面的面积。(三)有益效果本技术的板条为由Nd:YVO4晶体和非掺杂YVO4晶体键合而成的复合板条,通过与泵浦方向相同的面进行冷却,能够实现较好的热管理,减少由温度梯度引起的激光波前畸变和热透镜等效应,从而提高输出激光的光束质量。附图说明图1为传统掠入射板条放大器结构示意图;图2为本技术实施例的掠入射板条放大器结构示意图。具体实施方式为使本技术的目的、内容、和优点更加清楚,下面结合附图和实施例,对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。本技术的实施例提出一种掠入射板条放大器,其结构如图2所示。为了增大散热面积,将Nd:YVO4晶体和非掺杂YVO4晶体2键合在一起。采用增益Nd:YVO4晶体1的XOY面泵浦,非掺杂YVO4晶体2的XOY大面冷却。XOZ面和YOZ面为绝热面。因此在Y方向和X方向不存在温度梯度。由于非掺杂YVO4晶体2XOY大面为冷却面,因此在Z方向上存在较高的温度梯度。但由于种子光在Nd:YVO4晶体1泵浦面上发生了一次全反射,对Z方向上的增益不均匀引起的畸变和温度梯度引起的热透镜效应和波前畸变都进行了补偿。因此这种热流方向和泵浦方向一致的冷却方式即继承了传统掠入射板条放大器增益高,结构简单等优势,也弥补了热流方向引起的温度梯度对种子光的影响,提升了光束质量。以上所述仅是本技术的优选实施方式,应当指出,对于本
的普通技术人员来说,在不脱离本技术技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网
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一种掠入射板条放大器

【技术保护点】
一种掠入射板条放大器,其特征在于,所述放大器的板条为由Nd:YVO4晶体和非掺杂YVO4晶体键合而成的复合板条;其中,所述Nd:YVO4晶体具有与键合面相对的泵浦面;所述非掺杂YVO4晶体具有与所述键合面相对的冷却面;所述冷却面的热流方向与所述泵浦面的泵浦光方向相同。

【技术特征摘要】
1.一种掠入射板条放大器,其特征在于,所述放大器的板条为由Nd:YVO4晶体和非掺杂YVO4晶体键合而成的复合板条;其中,所述Nd:YVO4晶体具有与键合面相对的泵浦面;所述非掺杂YVO...

【专利技术属性】
技术研发人员:王万祎公丕华曾璞丁戗赵子俊胡少佩孙子泰温锋石超骥余吉庆张治旭
申请(专利权)人:西南技术物理研究所
类型:新型
国别省市:四川,51

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