一种低功耗短路保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种低功耗短路保护电路，包括功率转换部分A和保护电路部分B；其中功率转换部分包括脉宽调制器PWM、金氧半场效晶体管MOSFET以及功率变压器T1；保护电路B包括电流互感器T2、整流管V4、滤波电容C2、三极管V6、稳压管V5以及第五电阻R5、第七电阻R7；T2的初级与T1的次级输出端串联，T2的次级的同名端连接整流管V4的正极，V4的负极分别连接滤波电容C2的正极和稳压管V5的负极，C2的负极连接T2的次级的异名端，V5的正极通过第六电阻R6连接三极管V6的基极，V6的集电极连接至PWM的参考电压端即vref端口，V6的发射级连接至PWM的电压采样端即vfb端口；第五电阻R5并联在T2的次级，作为T2的负载电阻；第七电阻R7连接在V6的基极和发射级之间。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗短路保护电路
本专利技术属于电力电子
，主要涉及一种低功耗短路保护电路。
技术介绍
直流-直流变换器扮演着将一次母线电压变换为二次电压的角色，是航天器内部能量使用者和有效载荷能量提供者的接口单元，其性能和可靠性直接关系到航天器的安全运行。直流-直流变换器作为功率处理单元，是系统可靠性设计的薄弱环节，其中，过流和短路是两种常见的异常工作模式。当直流-直流变换器工作在过流或短路状态时，若不能及时正确处理，不仅会导致直流-直流变换器自身受损，还会危及变换器的前级或后级电路。目前国内外使用的直流-直流变换器均存在短路功耗大、过流保护点不精切的缺点，Interpiont和IR公司的厚膜变换器的短路功耗在1.2W～30W之间(输出功率不同，短路功耗有差异)，国内产品的短路功耗比国外产品稍低一些，但都超过1W。因此，对可靠性要求极高的航天系统中，采用具有高精度、低功耗过流/短路保护电路的直流-直流变换器，有利于提高系统可靠性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种低功耗短路保护电路，在实现短路保护的同时具备低功耗的特点。为了达到上述目的，本专利技术的技术方案为：一种低功耗短路保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗短路保护电路，其特征在于，包括功率转换部分A和保护电路部分B；其中功率转换部分包括脉宽调制器PWM、金氧半场效晶体管MOSFET以及功率变压器T1；所述脉宽调制器PWM的参考电压端vref接收输入的参考电压、电压采样端vfb接收输入的电压采样值，依据参考电压对输入的电压采样值进行脉宽调制后，输出宽度可调的方波电压至MOSFET；所述金氧半场效晶体管MOSFET在所述方波电压的驱动下，处于开关状态，其中在方波电压的高电平时状态为开，在方波电压的低电平时状态为关；所述功率变压器T1接收MOSFET在开状态下的输出电压，对该输出电压进行功率和电压的转换，得到最终的输出电压；所述保护电路B包...

【技术特征摘要】
1.一种低功耗短路保护电路，其特征在于，包括功率转换部分A和保护电路部分B；其中功率转换部分包括脉宽调制器PWM、金氧半场效晶体管MOSFET以及功率变压器T1；所述脉宽调制器PWM的参考电压端vref接收输入的参考电压、电压采样端vfb接收输入的电压采样值，依据参考电压对输入的电压采样值进行脉宽调制后，输出宽度可调的方波电压至MOSFET；所述金氧半场效晶体管MOSFET在所述方波电压的驱动下，处于开关状态，其中在方波电压的高电平时状态为开，在方波电压的低电平时状态为关；所述功率变压器T1接收MOSFET在开状态下的输出电压，对该输出电压进行功率和电压的转换，得到最终的输出电压；所述保护电路B包括电流互感器T2、整流管V4、滤波电容C2、三极管V6、稳压管V5以及第五电阻R5、第七电阻R7；其中T2的初级与T1的次级输出端串联，T2的次级的同名端记为pp端、异名端为pm端，pp端连接整流管V4的阳极，V4的阴极分别连接滤波电容C2的正极和稳压管V5的阴极，C2的负极连接pm端，V5的阳极通过第六电阻R6连接三极管V6的基极，V6的集电极连接至PWM的参考电压端即vref端口，V6的发射级与PWM的vfb端口、C2的负极以及pm端均相连；第五电阻R5并联在T2的次级，作为T2的负载电阻；第七电阻R7连接在V6的基极和发...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德全，李博，范英哲，吴临玉，喻涛，李智荣，王其岗，
申请(专利权)人：兰州空间技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：甘肃,62