化学腐蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种化学腐蚀装置，其包括底座和把手；所述底座的底部镂空设置，且所述底座的四周边缘垂直设置有边框，所述底座的底部和边框定义磷化铟晶圆片的收容腔；所述边框上还设置有安装耳，所述把手的两端分别凹陷设置有形状与所述安装耳形状相对应的安装槽，所述把手通过所述安装耳和安装槽拆卸地安装于所述底座上。应用本实用新型专利技术的化学腐蚀装置进行减薄抛光时，有利于贴有InP晶圆片的载具实现方便地放入和取下，且在化学腐蚀过程中，有利于搅拌的浓盐酸流通更顺畅，浓盐酸与InP晶圆的反应更加充分，克服了现有的InP晶圆片减薄抛光方法中，存在的速率慢、表面划痕多、以及减薄过程中容易破裂等问题。

Chemical etching device

The utility model provides a chemical etching device, which comprises a base and a handle; the bottom of the hollow of the base set, and vertically arranged around the edge of the base frame, the housing cavity at the bottom of the base frame and the definition of InP wafer; the frame is disposed on the mounting ears, both ends the handle is provided with mounting grooves respectively in ear shape corresponding to the shape and installation, the handle through the mounting ear and the mounting groove is removably mounted to the base. Application of chemical etching device of the utility model are thinning and polishing, is conducive to a InP wafer carrier is convenient to add and remove, and in the process of chemical corrosion, is conducive to the mixing of concentrated hydrochloric acid to flow more smoothly, concentrated hydrochloric acid and InP wafer reaction more fully, to overcome the existing InP wafer the thinning and polishing method, problems of rate, surface scratches, and thinning easily in the process of rupture.

【技术实现步骤摘要】
化学腐蚀装置
本技术涉及晶圆制备
，尤其涉及一种化学腐蚀装置。
技术介绍
磷化铟(InP)是重要的III-V族化合物半导体材料，是继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后的新一代电子功能材料。通常，InP器件制备在InP单晶抛光片的表面，所以抛光片的表面质量会影响器件性能的优劣。磷化铟的化学性质活泼，容易与氧化剂发生化学反应，尤其在酸性环境下，极易发生剧烈化学反应而出现“闪光”现象；另一方面，磷化铟的克氏硬度较小，且具有一定的脆性，容易产生加工损伤。目前，国内外常用的InP单晶片的抛光方法一种是化学腐蚀减薄，主要是Br2、HBr、溴甲醇等卤素系列腐蚀剂。虽然，上述卤素系列腐蚀剂具有良好的抛光性能，但是减薄速率不够高，而且对人体产生蓄积性毒害，不适用工业化生产。另外一种是化学机械抛光(CMP)，主要是在抛光液中加入高氯化物、过氧化氢等氧化物，在化学作用和机械作用的同时作用下进行减薄抛光。然而，此方法的减薄速率较慢，且不稳定，生产效率也不高，长时间减薄还会造成表面划痕增多的问题。因此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种化学腐蚀装置，以克服现有技术中存在的不足。为实现上述技术目的，本技术提供一种化学腐蚀装置，其包括底座和把手；所述底座的底部镂空设置，且所述底座的四周边缘垂直设置有边框，所述底座的底部和边框定义磷化铟晶圆片的收容腔；所述边框上还设置有安装耳，所述把手的两端分别凹陷设置有形状与所述安装耳形状相对应的安装槽，所述把手通过所述安装耳和安装槽拆卸地安装于所述底座上。作为本技术的化学腐蚀装置的改进，所述底部开设有若干镂空通孔，所述若干镂空通孔以环形阵列形式排布于所述底座的底部。作为本技术的化学腐蚀装置的改进，所述底座的底部开设有若干镂空通孔，所述镂空通孔为扇形。作为本技术的化学腐蚀装置的改进，所述环形阵列的圆心为所述底座的底部的中心。作为本技术的化学腐蚀装置的改进，所述安装耳包括连接部和安装部，所述安装部通过所述连接部设置于所述边框的顶面，所述连接部的厚度和宽度分别小于所述安装部的厚度和宽度。作为本技术的化学腐蚀装置的改进，所述安装耳对称设置于所述边框上。作为本技术的化学腐蚀装置的改进，所述把手为U形，所述安装槽设置于所述U形把手两端的内侧壁上。作为本技术的化学腐蚀装置的改进，所述底座的底面还设置有支撑脚，所述支撑脚倾斜设置。与现有技术相比，本技术的有益效果是：应用本技术的化学腐蚀装置进行减薄抛光时，有利于贴有InP晶圆片的载具实现方便地放入和取下，且在化学腐蚀过程中，有利于搅拌的浓盐酸流通更顺畅，浓盐酸与InP晶圆的反应更加充分，克服了现有的InP晶圆片减薄抛光方法中，存在的速率慢、表面划痕多、以及减薄过程中容易破裂等问题。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为应用本技术的化学腐蚀装置的磷化铟晶圆片减薄抛光方法一具体实施方式的方法流程示意图；图2为本技术的化学腐蚀装置一具体实施方式的立体示意图；图3为图2中虚线部分的放大示意图。具体实施方式下面结合附图所示的各实施方式对本技术进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本技术的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本技术的保护范围之内。如图1所示，应用本技术的化学腐蚀装置的磷化铟晶圆片减薄抛光方法包括如下步骤：S1、物理研磨步骤，将磷化铟晶圆片在研磨盘上进行物理研磨，将磷化铟晶圆片厚度从300～500μm减薄至180～240μm。具体地，将磷化铟晶圆片在研磨盘上进行物理研磨时，使用主要成分为氧化铝粉的研磨液进行研磨，优选地，所述研磨盘为石英研磨盘。控制减薄速率为5～10μm/min，从而在物理研磨的作用下，磷化铟晶圆片厚度从300～500μm减薄至180～240μm。S2、化学腐蚀步骤，将经过物理研磨的磷化铟晶圆片放置于化学腐蚀装置中，在浓盐酸中进行化学腐蚀。具体地，进行化学腐蚀时，控制减薄速率为20～30μm/min，将放置磷化铟晶圆片的化学腐蚀装置，在30℃～40℃的浓盐酸中，在磁力搅拌下进行化学腐蚀。如图2所示，其中，所述化学腐蚀装置包括底座1和把手2。所述底座1具有放置磷化铟晶圆片及其载具的收容腔。具体地，所述底座1的底部镂空设置，为实现该目的，所述底部开设有若干镂空通孔10，所述若干镂空通孔10以环形阵列形式排布于所述底座1的底部。优选地，所述镂空通孔10为扇形，所述环形阵列的圆心为所述底座1的底部的中心。通过设置所述镂空通孔10，腐蚀时搅拌的浓盐酸流通更顺畅，从而，浓盐酸与InP晶圆的反应更加充分。此外，所述底座1的底部还设置有若干支撑脚3，所述支撑脚3倾斜地设置有所述底座1的底面上，如此设置，以为所述底座1提供稳固的支撑作用力。优选地，所述支撑脚3的数量为3个。进一步地，所述底座1的四周边缘垂直设置有边框11，所述底座1的底部和边框11定义所述磷化铟晶圆片及其载具的所述收容腔。为了实现所述把手2方便地安装和拆卸，所述底座1和把手2进行拆卸式连接。具体地，所述边框11还设置有安装耳13，优选地，所述安装耳13对称设置。同时，所述把手2的两端分别凹陷设置有形状与所述安装耳13形状相对应的安装槽20，所述把手2通过所述安装耳13和安装槽20拆卸地安装于所述底座1上。优选地，所述安装耳13对称跌设置于所述边框11上。所述把手2为U形，所述安装槽20位于所述U形把手2两端的内侧壁上。上述实施方式中，所述安装耳13包括连接部131和安装部132，其中，所述安装部132通过所述连接部131设置于所述边框11的顶面，所述连接部132的厚度和宽度分别小于所述安装部131的厚度和宽度。从而，所述连接部131的尺寸小于所述安装部132的尺寸，二者之间形成台阶结构。如此设置，当安装所述把手2时，由于把手2具有一定的弹性，从而，可将把手2撑开，然后按照所述安装耳13的安装方向，将所述安装耳13安装于所述安装槽20中。此时，所述台阶结构形成所述把手2的限位结构，避免其在水平和竖直方向发生移动。当拆卸所述把手2时，可将把手2撑开，使所述安装耳13和安装槽20分离，进而实现所述把手2的拆卸。S3、化学机械抛光步骤，将经过化学腐蚀后的磷化铟晶圆片在尼龙绒布上进行化学机械抛光。具体地，所述化学机械抛光步骤中，使用NaOH-H2O2系列抛光液，并控制所述抛光速率为0.3～0.6μm/min，将经过化学腐蚀后的磷化铟晶圆片在尼龙绒布上进行化学机械抛光。综上所述，应用本技术的化学腐蚀装置进行减薄抛光时，有利于贴有InP晶圆片的载具实现方便地放入和取下，且在化学腐蚀过程中，有利于搅拌的浓盐酸流通更顺畅，浓盐酸与InP晶圆的反应更加充分，克服了现有的InP晶圆片减薄抛光方法中，存在的速率慢、表面划痕多、以及减薄过程中容易破裂等问题。对于本领域技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学腐蚀装置，其特征在于，所述化学腐蚀装置包括底座和把手；所述底座的底部镂空设置，且所述底座的四周边缘垂直设置有边框，所述底座的底部和边框定义磷化铟晶圆片的收容腔；所述边框上还设置有安装耳，所述把手的两端分别凹陷设置有形状与所述安装耳形状相对应的安装槽，所述把手通过所述安装耳和安装槽拆卸地安装于所述底座上。

【技术特征摘要】
1.一种化学腐蚀装置，其特征在于，所述化学腐蚀装置包括底座和把手；所述底座的底部镂空设置，且所述底座的四周边缘垂直设置有边框，所述底座的底部和边框定义磷化铟晶圆片的收容腔；所述边框上还设置有安装耳，所述把手的两端分别凹陷设置有形状与所述安装耳形状相对应的安装槽，所述把手通过所述安装耳和安装槽拆卸地安装于所述底座上。2.根据权利要求1所述的化学腐蚀装置，其特征在于，所述底部开设有若干镂空通孔，所述若干镂空通孔以环形阵列形式排布于所述底座的底部。3.根据权利要求2所述的化学腐蚀装置，其特征在于，所述底座的底部开设有若干镂空通孔，所述镂空通孔为扇形。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李瑞彬，潘之炜，郭栓银，吴涛，谭少阳，周立，张鹏，
申请(专利权)人：苏州长光华芯光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32