包括具有非对称多能级的三耦合量子阱结构的光器件制造技术

提供一种光器件，包括有源层，该有源层包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱。该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。

Optical device comprising an asymmetric multi-level three coupled quantum well structure

An optical device is provided including an active layer including two external barriers and a coupled quantum well between the two outer barriers. The coupled quantum wells includes: a first quantum well layer second layer third; quantum well; quantum well layer; the first coupling barrier between the first layer and the second quantum well quantum well layer; and a second coupling barrier between the second and third layer quantum well quantum well layer. The second quantum well layer is between the first quantum well layer and the third quantum well layer. The band gap of the second quantum well layer is smaller than the band gap of the first quantum well layer, and the band gap of the third quantum well layer is equal to or less than the bandgap of the second quantum well layer.

【技术实现步骤摘要】
包括具有非对称多能级的三耦合量子阱结构的光器件对相关申请的交叉引用本申请要求于2016年1月8日向韩国特许厅提交的韩国专利申请No.10-2016-0002768的优先权，通过引用将其公开内容整体合并于此。
符合示范性实施例的器件涉及包括三耦合量子阱结构的光器件，而且更具体地，涉及包括具有非对称多能级的三耦合量子阱结构的光器件，其中可以在维持高光吸收强度的同时减小三耦合量子阱结构的驱动电压。
技术介绍
三维(3D)相机可以测量到物体的表面上的多个点的距离。已经提出多种算法用于测量物体与3D相机之间的距离，而且飞行时间(TOF)算法被广泛使用。根据TOF算法，照明光被照射到物体，而且测量从物体反射的照明光被光接收单元接收所用的TOF。可以通过测量照明光的相位延迟来获得照明光的TOF，而且使用光调制器来测量相位延迟。
技术实现思路
一个或多个示范性实施例提供包括具有非对称多能级的三耦合量子阱结构的光器件，其中可以在维持高光吸收强度的同时减小三耦合量子阱结构的驱动电压。其他方面部分地将在以下说明书中阐述，而且部分地从说明书将是显然的，或者可以通过示范性实施例的实践习得。根据一个示范性实施例的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光器件，包括：有源层，包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱，其中，该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间，其中，第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间，而且其中，第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。

【技术特征摘要】
2016.01.08 KR 10-2016-00027681.一种光器件，包括：有源层，包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱，其中，该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间，其中，第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间，而且其中，第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。2.如权利要求1所述的光器件，其中，第三量子阱层的能带隙小于第二量子阱层的能带隙。3.如权利要求1所述的光器件，其中，第一量子阱层的厚度和第三量子阱层的厚度小于第二量子阱层的厚度。4.如权利要求3所述的光器件，其中，第一量子阱层的厚度等于第三量子阱层的厚度。5.如权利要求3所述的光器件，其中，第一量子阱层的厚度和第三量子阱层的厚度在大约1nm到大约2nm的范围中，而第二量子阱层的厚度在大约4nm到大约8nm的范围中。6.如权利要求1所述的光器件，其中，第一耦合势垒的能带隙和第二耦合势垒的能带隙大于第一、第二、和第三量子阱层的能带隙，而且小于外势垒的能带隙。7.如权利要求1所述的光器件，其中，第一耦合势垒的厚度允许电子和空穴隧穿通过第一耦合势垒，而且第二耦合势垒的厚度允许电子和空穴隧穿通过第二耦合势垒。8.如权利要求7所述的光器件，其中，第一耦合势垒的厚度和第二耦合势垒的厚度在大约1nm到大约3nm的范围中。9.如权利要求1所述的光器件，其中，第一量子阱层包括AlzGa1–zAs(0<z<1)，第二量子阱层包括GaAs，第三量子阱层包括InxGa1–xAs(0≤x≤0.2)，第一和第二耦合势垒包括AlyGa1–yAs(y<1)，而且外势垒包括AlxGa1–xAs(x≤1)，其中z<y<x。10.如权利要求1所述的光器件，其中，第一、第二、和第三量子阱层包括InxGa1–xAs(0<x≤0.2)，第一和第二耦合势垒包括GaAs，而且外势垒包括GaAsyP1–y和InyGa1–yP(0.4≤y≤0.5)中的至少一个。11.如权利要求10所述的光器件，进一步包括衬底，其中第一、第二、和第三量子阱层中的每一个包括具有相对于该衬底的压缩应变的材料，而且外势垒包括具有相对于该衬底的拉伸应变的材料。12.如权利要求10所述的光器件，其中，第一量子阱层的组成比(x)的值小于第二量子阱层的组成比(x)的值和第三量子阱层的组成比(x)的值，而且第二量子阱层的组成比(x)的值和第三量子阱层的组成比(x)的值彼此相等。13.如权利要求10所述的光器件，其中，第一量子阱层的组成比(x)的值小于第二量子阱层的组成比(x)的值，而且第二量子阱层的组成比(x)的值小于第三量子阱层的组成比(x)的值。14.如权利要求1所述的光器件，其中，第一、第二、和第三量子阱层包括In1–xGaxAs和In1–x–yGaxAlyAs中的至少一个，第一和第二耦合势垒包括In1–x'–y'Gax'Aly'As(x'<x，y<y')和In1–x'Gax'AszP1–z(x'<x)...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗炳勋，朴昌泳，朴勇和，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR