氮化硼-银/纤维素复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化硼‑银/纤维素复合材料，其包括氮化硼纳米片、纤维素以及银纳米颗粒；其中，银纳米颗粒在氮化硼纳米片的水平方向上桥连至少两个氮化硼纳米片形成氮化硼‑银杂化填料，纤维素将叠层相邻的两层氮化硼‑银杂化填料相阻隔。本发明专利技术还公开了上述氮化硼‑银/纤维素复合材料的制备方法。根据本发明专利技术的氮化硼‑银/纤维素复合材料通过其中银纳米颗粒的桥连作用有效地降低了其中氮化硼之间的界面热阻，实现了高导热性能；同时，还兼具优异的柔性，在微电子、电机电器等领域具有更好的应用效果。

Boron nitride Ag / cellulose composite material and preparation method thereof

The invention discloses a boron nitride Ag / cellulose composite material, comprising boron nitride nanosheets, cellulose and silver nanoparticles; the silver nanoparticles in the horizontal direction of boron nitride on the bridge at least two boron nitride nanosheets form boron nitride silver hybrid filler, cellulose two nitride layer boron silver hybrid filler layer adjacent phase barrier. The invention also discloses a preparation method of the boron nitride Ag / cellulose composite material. According to the invention of the boron nitride silver / silver nanoparticles which bridge function effectively reduces the interface resistance between the boron nitride by cellulose composites, achieve high thermal conductivity; at the same time, also has excellent flexibility, has better application effect in the field of microelectronics, electrical appliances etc..

【技术实现步骤摘要】
氮化硼-银/纤维素复合材料及其制备方法
本专利技术属于功能材料
，具体地讲，涉及一种氮化硼-银/纤维素复合材料及其制备方法。
技术介绍
随着微电子集成与组装技术的飞速发展，电子元器件和逻辑电路的体积成倍地缩小，工作频率急剧增加，导致电子设备所产生的热量迅速积累，电子元件的工作温度随之增加，电子设备的寿命也因此降低；为了解决这一问题，必须采取相应的措施及时散去电子元件产生的热量。高分子材料由于具备优异的机械强度而被普遍用作电子元器件和逻辑电路的基底和封装材料，但是一般高分子材料都是热的不良导体，其导热系数一般都低于0.5W·m-1·K-1，为满足微电子、电机电器等诸多领域的发展需求，制备具有优良综合性能的高导热聚合物绝缘材料正成为该领域的研究热点，受到越来越多国内外研究同行的关注。六方氮化硼(简称h-BN)作为无机填料的一种，其理论导热系数高达2000W·m-1·K-1，实测导热系数达到360W·m-1·K-1，且其具有优异的机械性能。另外，h-BN因其较好的绝缘性可以在电子封装等领域用作绝佳的填料。目前国内外研究人员进行了h-BN/聚合物复合材料的制备及其导热性能的研究，研究表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化硼‑银/纤维素复合材料，其特征在于，包括氮化硼纳米片、纤维素以及银纳米颗粒；其中，所述银纳米颗粒在所述氮化硼纳米片的水平方向上桥连至少两个所述氮化硼纳米片形成氮化硼‑银杂化填料，所述纤维素将叠层相邻的两层所述氮化硼‑银杂化填料相阻隔。

【技术特征摘要】
1.一种氮化硼-银/纤维素复合材料，其特征在于，包括氮化硼纳米片、纤维素以及银纳米颗粒；其中，所述银纳米颗粒在所述氮化硼纳米片的水平方向上桥连至少两个所述氮化硼纳米片形成氮化硼-银杂化填料，所述纤维素将叠层相邻的两层所述氮化硼-银杂化填料相阻隔。2.根据权利要求1所述的氮化硼-银/纤维素复合材料，其特征在于，所述银纳米颗粒还附着在所述氮化硼纳米片的表面上。3.根据权利要求2所述的氮化硼-银/纤维素复合材料，其特征在于，在所述氮化硼-银杂化填料中，所述银纳米颗粒的质量百分数为0.05％～0.4％。4.根据权利要求1-3任一述的氮化硼-银/纤维素复合材料，其特征在于，所述氮化硼-银杂化填料与所述纤维素的质量之比为1:9～9:1。5.根据权利要求7所述的氮化硼-银/纤维素复合材料，其特征在于，所述氮化硼纳米片的侧向尺寸为2μm、10μm、18μm中的至少一种。6.根据权利要求4所述的氮化硼-银/纤维素复合材料，其特征在于，所述银纳米颗粒的粒径小于10nm。7.根据权利要求4所述的氮化硼-银/纤维素复合材料，其特征在于，所述纤维素选自微米级纤维素、纳米级纤维素、微米级纤维素微晶和纳米级纤维素微晶中的至少一种。8.根据权利要求4所述的氮化硼-银/纤维素复合材料，其特征在于，所述氮化硼-银/纤维素复合材料的厚度为20μm～80μm。9.根据权利要求1-3任...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙蓉，孙佳佳，曾小亮，么依民，潘桂然，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44