一种振动传感器制造技术

技术编号:15847304 阅读:130 留言:0更新日期:2017-07-18 20:24
本发明专利技术提供了一种振动传感器,所述振动传感器包括:单晶硅基底;形成于所述单晶硅基底的下表面的梯形开口,其是在所述单晶硅基底的下表面进行刻蚀得到的;形成于具有梯形开口的单晶硅基底上表面的波形多层结构,所述波形多层结构包括至少一组相对设置的结构层,所述一组结构层包括两层结构层,所述两层结构层中至少一层结构层为波形;形成于所述波形结构层表面的电极层;其中,所述至少一组结构层构造成在外力的作用下能够发生相对位移,以检测外界的振动作用。本申请方案可实现振动传感器的小型化,另外,由于可增大孔口的体积,可在将振动传感器用于音响传感器时增大音响声顺。

【技术实现步骤摘要】
一种振动传感器
本专利技术涉及传感器领域,具体涉及一种振动传感器。
技术介绍
目前,正应用半导体集成电路制造技术对如下的振动传感器进行开发,该振动传感器在硅基板上层积单晶硅或多晶硅而形成薄膜,并且将该薄膜用作膜片。由硅构成的膜片与铝或钛等金属相比,内部应力少且密度低,因此能够得到灵敏度高的振动传感器,并且与半导体集成电路制造工序的匹配性良好。现有技术的该电容式麦克风中,在由单晶硅面构成的半导体基板的表面形成有膜片(可动电极)和固定电极之后,在该半导体基板的背面外周部形成蚀刻用掩模,从背面侧到表面蚀刻半导体基板,在半导体基板的中央部开设有贯通孔。其结果是,膜片将其周围固定在半导体基板的表面,中央部中空地支承在贯通孔之上,可由声音振动等而振动。但是,在这种结构的电容式麦克风中,对(100)面半导体基板从背面侧进行晶体各向异性蚀刻,因此在贯通孔的内周面出现基于(111)面的倾斜面,贯通孔成为在背面侧较大开口的截棱锥形的空间。因此,与膜片的面积相比,贯通孔背面侧的开口面积变大,难以将电容式麦克风小型化。另外,若减小半导体基板的厚度,则能够减小贯通孔背面的开口面积相对于表面的开口面积的比率,但本文档来自技高网...
一种振动传感器

【技术保护点】
一种振动传感器,其特征在于,所述振动传感器包括:单晶硅基底;形成于所述单晶硅基底的下表面的梯形开口,其是在所述单晶硅基底的下表面进行刻蚀得到的;形成于具有梯形开口的单晶硅基底上表面的波形多层结构,所述波形多层结构包括至少一组相对设置的结构层,所述一组结构层包括两层结构层,所述两层结构层中至少一层结构层为波形;形成于所述波形结构层表面的电极层;其中,所述至少一组结构层构造成在外力的作用下能够发生相对位移,以检测外界的振动作用。

【技术特征摘要】
1.一种振动传感器,其特征在于,所述振动传感器包括:单晶硅基底;形成于所述单晶硅基底的下表面的梯形开口,其是在所述单晶硅基底的下表面进行刻蚀得到的;形成于具有梯形开口的单晶硅基底上表面的波形多层结构,所述波形多层结构包括至少一组相对设置的结构层,所述一组结构层包括两层结构层,所述两层结构层中至少一层结构层为波形;形成于所述波形结构层表面的电极层;其中,所述至少一组结构层构造成在外力的作用下能够发生相对位移,以检测外界的振动作用。2.根据权利要求1所述的振动传感器,其特征在于,所述波形多层结构包括两组相对设置的结构层。3.根据权利要求2所述的振动传感器,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:甘立军
申请(专利权)人:佛山市合宏泰业科技有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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