电源开启重置电路制造技术

一种电源开启重置电路，包括第一二极管接法晶体管、第二二极管接法晶体管、电阻器以及电流比较电路。第一二极管接法晶体管的阴极耦接至参考电压。电阻器的第一端耦接至电源电压。电阻器的第二端耦接至第一二极管接法晶体管的阳极。第二二极管接法晶体管的阴极耦接至参考电压。第二二极管接法晶体管的阳极耦接至电阻器的第一端。电流比较电路耦接至第一二极管接法晶体管与第二二极管接法晶体管。电流比较电路可以比较第一二极管接法晶体管的电流与第二二极管接法晶体管的电流而获得比较结果，其中该比较结果决定重置信号。

【技术实现步骤摘要】
电源开启重置电路
本专利技术涉及一种重置信号产生电路，且特别涉及一种电源开启重置电路(power-on-resetcircuit)。
技术介绍
在设计电子电路时，往往会加入重置(reset)机制在电路中，以使所设计的电子电路在需要时得以恢复为初始状态。尤其在对电子电路开启电源(开机)的初时，系统电路中各元件(例如寄存器)处于不确定状态，此时即需要重置此系统电路，以将系统电路中各元件设定为初始状态。电源开启重置电路可以检测电源电压(powervoltage)的电平。在电源开启(power-on)过程中，当电源电压超过电压检测点Vdet，电源开启重置电路可以给一个重置信号来重置逻辑电路(系统电路)的状态。然而，所述电压检测点Vdet的电平往往受温度的影响，尤其是在先进工艺更是如此。
技术实现思路
本专利技术提供一种电源开启重置电路，以在电源开启(power-on)过程中即时产生重置信号。本专利技术的实施例提供一种电源开启重置电路，用以在电源开启初时产生重置信号。电源开启重置电路包括第一二极管接法晶体管(diode-connectedtransistor)、第二二极管接法晶体管、第一电阻器以及电流比较电路。第一二极管接法晶体管具有阳极与阴极。第一二极管接法晶体管的阴极耦接至参考电压。第一电阻器的第一端耦接至电源电压。第一电阻器的第二端耦接至第一二极管接法晶体管的阳极。第二二极管接法晶体管具有阳极与阴极。第二二极管接法晶体管的阴极耦接至参考电压。第二二极管接法晶体管的阳极耦接至第一电阻器的第一端。电流比较电路耦接至第一二极管接法晶体管与第二二极管接法晶体管。电流比较电路可以比较第一二极管接法晶体管的电流与第二二极管接法晶体管的电流而获得比较结果，其中该比较结果决定该重置信号。在本专利技术的一实施例中，上述的第一二极管接法晶体管与第二二极管接法晶体管为N沟道金属氧化物半导体晶体管。在本专利技术的一实施例中，上述的第一二极管接法晶体管的沟道宽长比值大于第二二极管接法晶体管的沟道宽长比值。在本专利技术的一实施例中，当第一二极管接法晶体管与第二二极管接法晶体管未进入次阈值区域(sub-thresholdregion)时，第一二极管接法晶体管的等效电阻值与第一电阻器的阻值的总和小于第二二极管接法晶体管的等效电阻值，使得第一二极管接法晶体管的电流大于第二二极管接法晶体管的电流。在本专利技术的一实施例中，当第一二极管接法晶体管与第二二极管接法晶体管进入次阈值区域时，第一二极管接法晶体管的等效电阻值与第一电阻器的阻值的总和大于第二二极管接法晶体管的等效电阻值，使得第一二极管接法晶体管的电流小于第二二极管接法晶体管的电流。在本专利技术的一实施例中，上述的电源开启重置电路还包括第二电阻器。第二电阻器的第一端耦接至电源电压。第二电阻器的第二端耦接至第一电阻器的第一端与第二二极管接法晶体管的阳极。在本专利技术的一实施例中，上述的电流比较电路包括第一晶体管、第二晶体管以及电流镜。第一晶体管的控制端耦接至第一二极管接法晶体管的栅极。第一晶体管的第一端耦接至参考电压。第一晶体管的第二端耦接至电流比较电路的输出节点，其中该输出节点提供比较结果。第二晶体管的控制端耦接至第二二极管接法晶体管的栅极。第二晶体管的第一端耦接至参考电压。电流镜的主电流端耦接至第二晶体管的第二端。电流镜的仆电流端耦接至输出节点。在本专利技术的一实施例中，上述的电流镜包括第三晶体管以及第四晶体管。第三晶体管的第一端耦接至电源电压。第三晶体管的第二端耦接至电流镜的主电流端。第三晶体管的控制端耦接至第三晶体管的第二端。第四晶体管的第一端耦接至电源电压。第四晶体管的第二端耦接至电流镜的仆电流端。第四晶体管的控制端耦接至第三晶体管的控制端。在本专利技术的一实施例中，上述的电源开启重置电路还包括输出级电路。输出级电路耦接至电流比较电路，以接收比较结果，用以依据比较结果而对应产生重置信号。在本专利技术的一实施例中，上述的输出级电路包括施密特触发缓冲器。施密特触发缓冲器的输入端耦接至电流比较电路，以接收该比较结果。施密特触发缓冲器的输出端提供重置信号。在本专利技术的一实施例中，上述的输出级电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管。第一晶体管的第一端耦接至电源电压。第一晶体管的控制端耦接至电流比较电路，以接收比较结果。第二晶体管的第一端耦接至第一晶体管的第二端。第二晶体管的控制端耦接至电流比较电路，以接收比较结果。第三晶体管的第一端耦接至参考电压。第三晶体管的控制端耦接至电流比较电路，以接收比较结果。第四晶体管的第一端耦接至第三晶体管的第二端。第四晶体管的第二端耦接至第二晶体管的第二端。第四晶体管的控制端耦接至电流比较电路，以接收比较结果。第五晶体管的控制端耦接至第二晶体管的第二端与第四晶体管的第二端。第五晶体管的第一端耦接至电源电压。第五晶体管的第二端耦接至输出级电路的输出端，以供该重置信号。第六晶体管的控制端耦接至第五晶体管的控制端。第六晶体管的第一端耦接至参考电压。第六晶体管的第二端耦接至第五晶体管的第二端。在本专利技术的一实施例中，上述的输出级电路还包括第七晶体管以及第八晶体管。第七晶体管的第一端耦接至第一晶体管的第二端。第七晶体管的第二端耦接至参考电压。第七晶体管的控制端耦接至第二晶体管的第二端。第八晶体管的第一端耦接至第三晶体管的第二端。第八晶体管的第二端耦接至电源电压。第八晶体管的控制端耦接至第四晶体管的第二端。基于上述，本专利技术实施例所提供电源开启重置电路可以在电源开启过程中即时产生重置信号，以便重置逻辑电路(系统电路)的状态。本专利技术实施例所提供电源开启重置电路具有温度补偿，进而可以缩小在不同温度下电压检测点的变动范围。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1是依照本专利技术一实施例所绘示的一种电源开启重置电路的电路方块示意图。图2是依照本专利技术一实施例说明图1所示电流比较电路及输出级电路的电路示意图。【符号说明】100：电源开启重置电路120：电流比较电路121、122、124、125：晶体管123：电流镜130：输出级电路131～138：晶体管140：比较结果GNDK：参考电压ID1、ID2：电流MN1、MN2：二极管接法晶体管Nout：输出节点POR：重置信号R1、R2：电阻器VCCK：电源电压具体实施方式在本申请说明书全文(包括权利要求书)中所使用的「耦接(或连接)」一词可指任何直接或间接的连接手段。举例而言，若文中描述第一装置耦接(或连接)于第二装置，则应该被解释成该第一装置可以直接连接于该第二装置，或者该第一装置可以通过其他装置或某种连接手段而间接地连接至该第二装置。另外，凡可能之处，在图式及实施方式中使用相同标号的元件/构件/步骤代表相同或类似部分。不同实施例中使用相同标号或使用相同用语的元件/构件/步骤可以相互参照相关说明。图1是依照本专利技术一实施例所绘示的一种电源开启重置电路100的电路方块示意图。在电源开启初时，电源电压VCCK会从低电压上升至额定电压电平。在电源开启初时，当电源电压VCCK超过电压检测点Vdet(电压检测点Vdet小于额定电压)时，电源开启重置电路100可以即时产生重置信号POR给系统电路(未绘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源开启重置电路，用以在电源开启初时产生重置信号，其特征在于，该电源开启重置电路包括：第一二极管接法晶体管，具有阳极与阴极，其中该第一二极管接法晶体管的该阴极耦接至参考电压；第一电阻器，具有第一端与第二端，其中该第一电阻器的该第一端耦接至电源电压，而该第一电阻器的该第二端耦接至该第一二极管接法晶体管的该阳极；第二二极管接法晶体管，具有阳极与阴极，其中该第二二极管接法晶体管的该阴极耦接至参考电压，而该第二二极管接法晶体管的该阳极耦接至该第一电阻器的该第一端；以及电流比较电路，耦接至该第一二极管接法晶体管与该第二二极管接法晶体管，用以比较该第一二极管接法晶体管的电流与该第二二极管接法晶体管的电流而获得比较结果，其中该比较结果决定该重置信号。

【技术特征摘要】
2016.01.12 TW 1051007571.一种电源开启重置电路，用以在电源开启初时产生重置信号，其特征在于，该电源开启重置电路包括：第一二极管接法晶体管，具有阳极与阴极，其中该第一二极管接法晶体管的该阴极耦接至参考电压；第一电阻器，具有第一端与第二端，其中该第一电阻器的该第一端耦接至电源电压，而该第一电阻器的该第二端耦接至该第一二极管接法晶体管的该阳极；第二二极管接法晶体管，具有阳极与阴极，其中该第二二极管接法晶体管的该阴极耦接至参考电压，而该第二二极管接法晶体管的该阳极耦接至该第一电阻器的该第一端；以及电流比较电路，耦接至该第一二极管接法晶体管与该第二二极管接法晶体管，用以比较该第一二极管接法晶体管的电流与该第二二极管接法晶体管的电流而获得比较结果，其中该比较结果决定该重置信号。2.如权利要求1所述的电源开启重置电路，其特征在于，该第一二极管接法晶体管与该第二二极管接法晶体管为N沟道金属氧化物半导体晶体管。3.如权利要求1所述的电源开启重置电路，其特征在于，该第一二极管接法晶体管的沟道宽长比值大于该第二二极管接法晶体管的沟道宽长比值。4.如权利要求1所述的电源开启重置电路，其特征在于，当该第一二极管接法晶体管与该第二二极管接法晶体管未进入次阈值区域时，该第一二极管接法晶体管的等效电阻值与该第一电阻器的阻值的总和小于该第二二极管接法晶体管的等效电阻值，使得该第一二极管接法晶体管的电流大于该第二二极管接法晶体管的电流。5.如权利要求1所述的电源开启重置电路，其特征在于，当该第一二极管接法晶体管与该第二二极管接法晶体管进入次阈值区域时，该第一二极管接法晶体管的等效电阻值与该第一电阻器的阻值的总和大于该第二二极管接法晶体管的等效电阻值，使得该第一二极管接法晶体管的电流小于该第二二极管接法晶体管的电流。6.如权利要求1所述的电源开启重置电路，其特征在于，所述电源开启重置电路还包括：第二电阻器，具有第一端与第二端，其中该第二电阻器的该第一端耦接至该电源电压，而该第二电阻器的该第二端耦接至该第一电阻器的该第一端与该第二二极管接法晶体管的该阳极。7.如权利要求1所述的电源开启重置电路，其特征在于，该电流比较电路包括：第一晶体管，具有第一端、第二端与控制端，其中该第一晶体管的该控制端耦接至该第一二极管接法晶体管的栅极，该第一晶体管的该第一端耦接至该参考电压，而该第一晶体管的该第二端耦接至该电流比较电路的输出节点，其中该输出节点提供该比较结果；第二晶体管，具有第一端、第二端与控制端，其中该第二晶体管的该控制端耦接至该第二二极管接法晶体管的栅极，而该第二晶体管的该第一端耦接至该参考电压；以及电流镜，具有主电流端与仆电流端，其中该主电流端耦接至该第二晶体管的该第二端，而该仆电流端耦接至该输出节点。8.如权利要求7...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤凯能，廖期圣，
申请(专利权)人：智原科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71