场效应管驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种场效应管驱动电路，包括高频变压器B1以及场效应管,所述高频变压器B1的其中一个次级绕组的场效应管驱动电路为次级绕组的一端依次经电容C3、电阻R1以及二极管D2后连接场效应管Q5的栅极，该次级绕组的另一端连接场效应管Q5的源极，电阻R1和二极管D1正极的连接节点通过电阻R3连接三极管Q3的基极，三极管Q3的集电极连接场效应管Q5的源极，三极管Q3的发射极连接场效应管Q5的栅极，其它次级绕组的驱动电路与上述次级绕组的驱动电路相同。本实用新型专利技术通过三极管Q3将放电电流进行放大，能够更快的泄放场效应管的栅极电压，使得场效应管下次开启时，没有残留的电压(电流)，以更好的保护场效应管。

【技术实现步骤摘要】
场效应管驱动电路
本技术属于电子
，具体涉及一种场效应管驱动电路。
技术介绍
如图1所示，在高频开关电源中，普通型驱动电路在MOS管关断时，通过二极管与高频变压器的绕组进行放电，放电电流经二极管、绕组流向MOS管的源极，放电电流较小，放电速度慢，在MOS管下次开启时，还会有残余电流，长时间累计后，容易导致MOS管损坏。
技术实现思路
本技术需要解决的技术问题是提供一种快速泻放栅极电压，提高场效应管寿命，增加电源可靠性的场效应管驱动电路。为解决上述问题，本技术所采取的技术方案是：一种场效应管驱动电路，包括高频变压器B1以及场效应管,所述高频变压器B1包括一个以上的次级绕组，其中一个次级绕组的场效应管驱动电路包括电容C3、电阻R1、R3、二极管D2、场效应管Q5以及三极管Q3，该次级绕组的一端依次经电容C3、电阻R1以及二极管D2后连接场效应管Q5的栅极，该次级绕组的另一端连接场效应管Q5的源极，电阻R1和二极管D2正极的连接节点通过电阻R3连接三极管Q3的基极，三极管Q3的集电极连接场效应管Q5的源极，三极管Q3的发射极连接场效应管Q5的栅极，其它次级绕组的场效应管驱动电路与上述次级绕组的场效应管驱动电路具有相同的电路结构。进一步的，所述场效应管Q5的栅极和源极之间还并联有稳压管D4，所述稳压管D4的正极连接场效应管Q5的源极，稳压管D4的负极连接场效应管Q5的栅极。采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本技术通过三极管Q3将放电电流进行放大，能够更快的泄放场效应管的栅极电压，使得场效应管下次开启时，没有残留的电压(电流)，以更好的保护场效应管，场效应管的栅极和源极之间并联稳压管，可以更好的保护场效应管的栅极，提高使用寿命。附图说明图1是现有的普通型场效应管驱动电路原理图，图2是本技术电路原理图。具体实施方式下面结合附图对技术做进一步详细描述：本技术是一种用于开关电源的场效应管驱动电路，与传统驱动电路相比，可以快速的将栅极的电压泻放，防止电压累积，损坏场效应管。如图2所示，本技术包括高频变压器B1,所述高频变压器B1包括一个以上的次级绕组，其中一个次级绕组的场效应管驱动电路包括电容C3、电阻R1、R3、二极管D2、场效应管Q5以及三极管Q3，该次级绕组的一端依次经电容C3、电阻R1以及二极管D2后连接场效应管Q5的栅极，该次级绕组的另一端连接场效应管Q5的源极，电阻R1和二极管D2正极的连接节点通过电阻R3连接三极管Q3的基极，三极管Q3的集电极连接场效应管Q5的源极，三极管Q3的发射极连接场效应管Q5的栅极，另一个次级绕组的场效应管驱动电路包括电容C2、电阻R2、R4、二极管D3、场效应管Q6以及三极管Q4，该次级绕组的一端依次经电容C2、电阻R2以及二极管D3后连接场效应管Q6的栅极，该次级绕组的另一端连接场效应管Q6的源极，电阻R2和二极管D3正极的连接节点通过电阻R4连接三极管Q4的基极，三极管Q4的集电极连接场效应管Q6的源极，三极管Q4的发射极连接场效应管Q6的栅极，所述场效应管Q5的栅极和源极之间还并联有稳压管D4，所述稳压管D4的正极连接场效应管Q5的源极，稳压管D4的负极连接场效应管Q5的栅极。场效应管Q6的栅极和源极之间还并联有稳压管D5，所述稳压管D5的正极连接场效应管Q6的源极，稳压管D5的负极连接场效应管Q6的栅极。由图1可以看出，另一次级绕组的场效应管驱动电路与其中一个次级绕组的场效应管驱动电路具有相同的电路结构。因此，如果高频变压器B1的次级绕组为两个以上，其余绕组的场效应管驱动电路也应具有相同的电路结构。工作原理：如图2所示，当输入端PWM-OUT有驱动信号时，驱动信号经过图腾柱电路以及高频变压器B1后，经电容C2、电容C3进行相位翻转后，提供给场效应管Q5、Q6，稳压管D4、D5用以保护场效应管的栅极，当场效应管Q5、Q6关断时，通过三极管Q3、Q4给场效应管放电，能够更好的提高功率管(即场效应管)的使用寿命，增加电源的可靠性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应管驱动电路，包括高频变压器B1以及场效应管,其特征在于：所述高频变压器B1包括一个以上的次级绕组，其中一个次级绕组的场效应管驱动电路包括电容C3、电阻R1、R3、二极管D2、场效应管Q5以及三极管Q3，该次级绕组的一端依次经电容C3、电阻R1以及二极管D2后连接场效应管Q5的栅极，该次级绕组的另一端连接场效应管Q5的源极，电阻R1和二极管D2正极的连接节点通过电阻R3连接三极管Q3的基极，三极管Q3的集电极连接场效应管Q5的源极，三极管Q3的发射极连接场效应管Q5的栅极，其它次级绕组的场效应管驱动电路与上述次级绕组的场效应管驱动电路具有相同的电路结构。

【技术特征摘要】
1.一种场效应管驱动电路，包括高频变压器B1以及场效应管,其特征在于：所述高频变压器B1包括一个以上的次级绕组，其中一个次级绕组的场效应管驱动电路包括电容C3、电阻R1、R3、二极管D2、场效应管Q5以及三极管Q3，该次级绕组的一端依次经电容C3、电阻R1以及二极管D2后连接场效应管Q5的栅极，该次级绕组的另一端连接场效应管Q5的源极，电阻R1和二极管D2正极的连接节点通过电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔英杰，邓兴培，张广，申立锋，
申请(专利权)人：石家庄泽润科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13