存储器装置刷新方法及可调整刷新操作频率的存储器装置制造方法及图纸

一种存储器装置刷新方法及可调整刷新操作频率的存储器装置，适用于存储器装置的其中一个半导体阱区的一存储器阵列。本发明专利技术的刷新方法包括以下步骤。记录每个擦除指令中的擦除脉冲次数及/或擦除电压位准。判断未被选择的多个扇区。判断任一擦除脉冲次数或任一擦除电压位准是否大于等于一预定值。当擦除脉冲次数或擦除电压位准大于等于预定值时，使用第二刷新操作频率刷新未被选择的扇区。当擦除脉冲次数或擦除电压位准小于预定值时，使用第一刷新操作频率刷新未被选择的扇区。第一刷新操作频率小于第二刷新操作频率。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置刷新方法及可调整刷新操作频率的存储器装置
本专利技术是有关于存储器装置刷新方法及可调整刷新操作频率的存储器装置，特别是有关于一种可调整刷新操作频率的存储器装置的刷新方法。
技术介绍
一般而言，闪存(例如NOR闪存)包括多个存储元，这些存储元被划分为多个扇区(sectors)。以序列反或型闪存(SPINORflash)为例，一个扇区可具有4096字节(4Kbyte)的存储元。为了减少闪存的面积，多个扇区可共用一个半导体阱区。闪存可接收擦除指令与编程指令。擦除指令是用以擦除被选择的存储元，使被选择的存储元处于较低的临界电压状态；编程指令是用以编程被选择的存储元，使被选择的存储元处于较高的临界电压状态。其中，擦除指令包括预编程(pre-program)、擦除、以及后编程(post-program)操作，而擦除的最小单位为扇区。实务上，依据擦除的单位，擦除指令可分为扇区擦除指令、存储块擦除指令、以及芯片擦除指令，分别用以擦除一个扇区、一个存储块(block)、以及整个芯片(chip)。举例来说，当闪存接收到扇区擦除指令时，其中一个扇区会被选择以进行擦除操作。此时，一负电压会施加至被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置的刷新方法，适用于一存储器装置的其中一个半导体阱区的一存储器阵列，其特征在于，包括：记录每个擦除指令中的擦除脉冲次数及/或擦除电压位准；判断未被选择的多个扇区；判断任一所述擦除脉冲次数或所述擦除电压位准是否大于等于一预定值；当任一所述擦除脉冲次数或所述擦除电压位准大于等于所述预定值时，使用一第二刷新操作频率刷新所述未被选择的扇区；以及当所述擦除脉冲次数或所述擦除电压位准小于所述预定值时，使用一第一刷新操作频率刷新所述未被选择的扇区，且所述第一刷新操作频率小于所述第二刷新操作频率。

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置的刷新方法，适用于一存储器装置的其中一个半导体阱区的一存储器阵列，其特征在于，包括：记录每个擦除指令中的擦除脉冲次数及/或擦除电压位准；判断未被选择的多个扇区；判断任一所述擦除脉冲次数或所述擦除电压位准是否大于等于一预定值；当任一所述擦除脉冲次数或所述擦除电压位准大于等于所述预定值时，使用一第二刷新操作频率刷新所述未被选择的扇区；以及当所述擦除脉冲次数或所述擦除电压位准小于所述预定值时，使用一第一刷新操作频率刷新所述未被选择的扇区，且所述第一刷新操作频率小于所述第二刷新操作频率。2.如权利要求1所述的刷新方法，其特征在于，所述存储器装置为一闪存。3.如权利要求1所述的刷新方法，其特征在于，于执行固定数量的擦除指令之后，执行所述的刷新方法，且所述第二刷新操作频率刷新的未被选择的扇区的数目大于所述第一刷新操作频率刷新的未被选择的扇区的数目。4.如权利要求3所述的刷新方法，其特征在于，更包括记录已刷新的未被选择的扇区的地址，且使用所述第一刷新操作频率或所述第二刷新操作频率刷新未曾被刷新的所述未被选择的扇区。5.如权利要求1所述的刷新方法，其特征在于，于执行可变数量的擦除指令之后，执行所述的刷新方法，且当使用所述第二刷新操作频率时，于刷新操作前对选择的扇区执行擦除指令的次数小于使用所述第一刷新操作频率时于刷新操作前对选择的扇区执行擦除指令的次数。6.如权利要求5所述的刷新方法，其特征在于，使用所述第一刷新操作频率或所述第二刷新操作频率刷新所有的所述未被选择的扇区。7.如权利要求5所述的刷新方法，其特征在于，所述第二刷新操作频率刷新的未被选择的扇区的数目大于所述第一刷新操作频率刷新的未被选择的扇区的数目。8.如权利要求7所述的刷新方...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宗仁，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71