Y制造技术

本发明专利技术公开了一种Y

Y

The invention discloses a Y

【技术实现步骤摘要】
Y3+、Nb5+复合施主掺杂ZnO压敏陶瓷及制备方法
本专利技术涉及一种ZnO压敏陶瓷及其制备方法，特别是一种无Al3+掺杂的Y3+、Nb5+复合施主掺杂ZnO压敏陶瓷及其制备方法。
技术介绍
ZnO压敏电阻是以ZnO为主要原料，添加少量Bi2O3、Co3O4、MnO2、Sb2O3、Cr2O3等原料，采用陶瓷烧结工艺制备而成。压敏电阻具有良好的非线性和大通流能力等优点，它作为雷电浪涌保护元件在电子电路和电力系统中得到了广泛的应用。随着微电子信息技术的迅猛发展，对元器件的小型化、集成化以至模块化要求愈来愈迫切。小型化的电子元件灵敏度高、抗过电压水平低，这提升了电子设备对雷电防护的需求，需要ZnO压敏电阻能有更低的残压保护水平。在雷电流侵入设备时，ZnO压敏电阻的ZnO晶界导通，其性能主要有ZnO晶粒电阻决定。要降低ZnO压敏电阻的残压，必须降低ZnO压敏电阻的电阻率。现有方法一：在工业生产中大多采用Al离子作为施主离子添加到ZnO压敏电阻原材料中。一般仅添加了0.005mol％Al离子作为施主离子，因此导致ZnO压敏电阻率降低并不明显。但是如果添加大量的Al离子作为施主离子，又会由于添本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Y

【技术特征摘要】
1.一种Y3+、Nb5+复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷，其特征在于：包括有基料和掺杂料，所述基料按重量份计包括有ZnO：87-95份、Bi2O3：2.0-4.0份、MnO2：0.4-0.7份、Sb2O3：1.5-3.5份、Co2O3：0.5-1.5份、Cr2O3：0.2-1.0份、籽晶掺杂料：1-5份；所述籽晶掺杂料为ZnO、Nb2O5和Y2O3，其质量分数比为ZnO：Nb2O5：Y2O3＝90-95：0.1-5：0.1-5。2.根据权利要求1所述的Y3+、Nb5+复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷，其特征在于：所述基料按重量份计包括有ZnO：89-92份、Bi2O3：2.5-3.5份、MnO2：0.5-0.6份、Sb2O3：2-3份、Co2O3：0.8-1.2份、Cr2O3：0.3-0.8份、籽晶掺杂料：2-4份；所述籽晶掺杂料为ZnO、Nb2O5和Y2O3，其质量分数比为ZnO：Nb2O5：Y2O3＝92-94：1-4：1-3。3.根据权利要求2所述的Y3+、Nb5+复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷，其特征在于：所述基料按重量份计包括有ZnO：90.5份、Bi2O3：3.0份、MnO2：0.5份、Sb2O3：2.5份、Co2O3：1份、Cr2O3：0.5份、籽晶掺杂料2份，所述籽晶掺杂料质量分数比为ZnO：Nb2O5：Y2O3＝94：3.5：2.5。4.一种根据权利要求1-3任一项所述的Y3+、Nb5+复合施主掺杂ZnO压敏陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)籽晶预制：将ZnO：Nb2O5：Y2O3按...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞驰，费自豪，张雷，施斌，
申请(专利权)人：贵阳高新益舸电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52