The invention relates to the technical field of printer consumables, in particular to an operating method of consumable chip, consumable chip, consumable container and consumable material equipment. A high-speed storage module through internal supplies chip, because of the high speed memory module read faster, making the program running on the high speed memory module in frequency chip MCU can reach more than 100MHz. The utility model improves the speed of the complicated calculation of the consumable chip, and enables the consumable chip to process the printer command to satisfy the time requirement of the printer.
【技术实现步骤摘要】
耗材芯片的操作方法、耗材芯片、耗材容器、耗材设备
本专利技术涉及打印机耗材
,尤其涉及一种耗材芯片的操作方法、耗材芯片、耗材容器和耗材设备。
技术介绍
耗材安装在成像设备上时,需要通过成像设备的上机认证、以及成像设备的成像操作过程中的认证才能够被允许被使用。为了通过成像设备的认证,耗材需要按照成像设备的认证机制对成像设备进行反馈响应,如果耗材没有按照成像设备预期的操作反馈,则会导致耗材无法在该成像设备上使用。目前耗材普遍使用了芯片作为耗材信息的介质,芯片内含一个MCU内核,程序代码存储于闪存(NORFlash)中。芯片上电后,程序在闪存中运行。受限于当前闪存的工艺,其读写速度限制MCU的主频低于30MHz,导致耗材芯片因某些打印机命令的处理时间过长而无法使用。
技术实现思路
本专利技术为解决上述技术问题,本专利技术提供一种耗材芯片的操作方法,其特征在于:在高速代码被执行之前,将存储在低速存储模块中的所述高速代码和执行所述高速代码所需的数据,从所述低速存储模块复制到所述高速存储模块;执行存储在高速存储模块中的高速代码;所述高速存储模块的读/写速度比所述低速存储模块的读/写速度快。作为优选,包括步骤:步骤S1,执行存储在所述低速存储模块中的启动代码;步骤S2,轮到执行存储在所述低速存储模块中的高速代码时,跳转至所述高速存储模块,并且执行存储在所述高速存储模块中的高速代码;所述启动代码根据分散加载文件将所述高速代码和执行所述高速代码所需的数据从所述低速存储模块复制到所述高速存储模块。作为优选,所述分散加载文件包括所述高速代码在所述低速存储模块中的存储地址信息和 ...
【技术保护点】
一种耗材芯片的操作方法,其特征在于:在高速代码被执行之前,将存储在低速存储模块中的所述高速代码和执行所述高速代码所需的数据,从所述低速存储模块复制到所述高速存储模块;执行存储在高速存储模块中的高速代码;所述高速存储模块的读/写速度比所述低速存储模块的读/写速度快。
【技术特征摘要】
1.一种耗材芯片的操作方法,其特征在于:在高速代码被执行之前,将存储在低速存储模块中的所述高速代码和执行所述高速代码所需的数据,从所述低速存储模块复制到所述高速存储模块;执行存储在高速存储模块中的高速代码;所述高速存储模块的读/写速度比所述低速存储模块的读/写速度快。2.根据权利要求1所述的一种耗材芯片的操作方法,其特征在于,包括步骤:步骤S1,执行存储在所述低速存储模块中的启动代码;步骤S2,轮到执行存储在所述低速存储模块中的高速代码时,跳转至所述高速存储模块,并且执行存储在所述高速存储模块中的高速代码;所述启动代码根据分散加载文件将所述高速代码和执行所述高速代码所需的数据从所述低速存储模块复制到所述高速存储模块。3.根据权利要求2所述的一种耗材芯片的操作方法,其特征在于:所述分散加载文件包括所述高速代码在所述低速存储模块中的存储地址信息和长度信息,所述高速代码在所述高速存储模块中的存储地址信息。4.根据权利要求3所述的一种耗材芯片的操作方法,其特征在于:所述分散加载文件包括运行起始地址,所述运行起始地址指向存储在所述低速存储模块的低速代码,所述低速代码的运算量比所述高速代码的运算量小。5.根据权利要求2所述的一种耗材芯片的操作方法,其特征在于,还包括:步骤S3,存储在所述高速存储模块中的高速代码执行完毕后,跳转回所述低速存储模块,并且执行存储在所述低速存储模块中的位于所述高速代码之后的程序代码。6.根据权利要求5所述的一种耗材芯片的操作方法,其特征在于,所述步骤S2包括,步骤S2-1,保存当前运算状态;步骤S2-2,获取高速代码在所述高速存储模块中的高速代码起始地址;步骤S2-3,根据所述高速代码起始地址访问所述高速存储模块,并且执行存储在高速存储模块中的所述高速代码。7.根据权利要求1或2或3或4或5或6所述的一种耗材芯片的操作方法,其特征在于:所述低速存储模块和所述高速存储模块的地址不同。8.一种耗材芯片,包括低速存储模块、运算模块和临时存储模块,所述低速存储模块存储程序代码以及执行所述程序代码所需的数据,所述运算模块执行所述程序代码,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈志,孙云,黄文溪,彭新平,
申请(专利权)人:杭州旗捷科技有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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