一种应用于MMIC设计的热电耦合模型建立方法技术

本发明专利技术提供一种应用于MMIC设计的热电耦合模型建立方法，包括以下步骤：S1、建立发热元器件可缩放的紧凑型模型；S2、根据芯片封装环境和版图布局，搭建芯片热电耦合参数网络；S3、对发热元器件的热传输特性进行热仿真，并根据热仿真数据，提取热电耦合参数网络中各个参数值随温度的变化关系；S4、将发热元器件可缩放的紧凑型模型和热电耦合参数网络按照端口对应关系进行连接，得到晶体管的热电耦合模型。本发明专利技术将紧凑型热电耦合模型和基于热数值仿真的热电耦合模型相结合，既具有紧凑型模型求解速度快，收敛性好的优点，又能够模拟各种封装环境和不同版图布局对芯片电性能的影响，可用于优化封装环境和芯片布局。

A thermoelectric coupling model building method for MMIC design

Methods to establish the thermoelectric coupling model of the invention provides an application for MMIC design, which comprises the following steps: S1, a compact model of heating component can zoom; S2, according to the chip packaging environment and layout, build a thermoelectric coupling network chip parameters; heat transfer characteristics of S3, the heating element for thermal simulation, and according to the thermal simulation data, extraction parameters of thermoelectric coupling parameter values in the network as a function of temperature; S4, compact model and thermoelectric coupling parameters of the network connected according to the corresponding relationship between port heating elements can zoom, get the thermoelectric coupling model of the transistor. The present invention will compact thermoelectric coupling model and numerical simulation of the coupled thermo electrical model based on the combination of both has a compact solution speed model of fast convergence, good advantages, and can simulate all kinds of packaging environment and different layout effect on the electrical properties of the chip, can be used to optimize the environment and the layout of the chip package.

【技术实现步骤摘要】
一种应用于MMIC设计的热电耦合模型建立方法
本专利技术属于半导体器件
，具体涉及一种应用于MMIC设计的热电耦合模型建立方法。
技术介绍
对于功率放大器、大功率开关等射频微波大功率芯片，其工作时，芯片温度明显升高，因此在微波单片集成电路(MMIC)设计过程中必须考虑热效应对器件和电路性能的影响，这就要求器件模型具有描述热效应和电性能之间相互影响的功能，这种模型即所谓的热电耦合模型。晶体管作为大功率芯片中热效应最明显的器件，其热电偶合模型的精度直接影响到电路设计的成功率。目前MMIC电路设计中常用的晶体管热电耦合模型为紧凑型模型，这种模型基于晶体管的等效电路，采用一组经验公式来描述晶体管的直流、线性和非线性特性，并采用热电耦合参数来模拟热效应和电特性的相互影响，比如Angelov模型中的热阻Rth和热容Cth，以及EE-HEMT模型中的热系数Peff等。这种紧凑型热电耦合模型的优点是采用解析公式计算的方法，迭代速度快，收敛性好，而且热电耦合参数可以通过测量方法提取，参数提取容易；但它也存在一些缺点，比如这种模型没有考虑芯片封装对热阻的影响，另外随着芯片的集成密度越来越高，芯片上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于MMIC设计的热电耦合模型建立方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、建立发热元器件可缩放的紧凑型模型；S2、根据芯片封装环境和版图布局，搭建芯片热电耦合参数网络；S3、对发热元器件的热传输特性进行热仿真，并根据热仿真数据，提取热电耦合参数网络中各个参数值随温度的变化关系；S4、将发热元器件可缩放的紧凑型模型和热电耦合参数网络按照端口对应关系进行连接，得到晶体管的热电耦合模型。

【技术特征摘要】
2016.12.14 CN 20161115532481.一种应用于MMIC设计的热电耦合模型建立方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、建立发热元器件可缩放的紧凑型模型；S2、根据芯片封装环境和版图布局，搭建芯片热电耦合参数网络；S3、对发热元器件的热传输特性进行热仿真，并根据热仿真数据，提取热电耦合参数网络中各个参数值随温度的变化关系；S4、将发热元器件可缩放的紧凑型模型和热电耦合参数网络按照端口对应关系进行连接，得到晶体管的热电耦合模型。2.根据权利要求1所述的应用于MMIC设计的热电耦合模型建立方法，其特征在于，所述步骤S2中的热电参数...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇波，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51