一种苗木扦插全光雾育苗工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种苗木扦插全光雾育苗工艺，其特征在于，所述育苗工艺具体步骤如下：1）建设育苗池；2）插穗采集，3）清洗，4）消毒杀菌，5）修剪，6）生根剂浸泡，7）插入育苗床，8）育苗管理，9）生根后二次移栽到营养钵中或无纺布袋中。该工艺避免原有扦插技术的不足，经过多年的实践和改进，完善了一种苗木扦插育苗池及全光雾育苗的工艺流程，解决了育苗时间长、容易受季节影响、嫩枝扦插成活率低，无法做到在修剪的穗条在伤口愈合前不受细菌感染、生根率低、根系不发达，后期生长速度慢，对苗木母本损伤大的问题，从苗木母本上取下来的嫩梢第一条完全被充分利用。

Full fog seedling raising process for seedling cutting

The invention relates to a seedling culturing process of the mist, which is characterized in that the breeding process as follows: 1) the construction of seedling pool; 2) cuttings collected, 3) cleaning, disinfection and sterilization, 4) 5) 6) pruning, rooting agent soaking, 7) into the seedling bed, 8) the management of seedlings, 9) two times after root transplanting to the nutrition pot or non-woven bag. The process to avoid the lack of original cutting technology, after many years of practice and improvement, the process of a seedling cuttage seedling pool and the mist is perfect, solve the seedling long time and easily affected by season, softwood cuttings survival rate is low, can not do in the pruning of ear in wound healing before infection and the rooting rate is low, the root is not developed, the late slow growth, the problem of female seedlings injury, down from the female parent on the seedling shoot first completely be fully utilized.

【技术实现步骤摘要】
一种苗木扦插全光雾育苗工艺
本专利技术涉及一种育苗工艺，具体涉及一种苗木扦插全光雾育苗工艺，属于育苗方法

技术介绍
常规扦插培育苗木工艺简单，一般都采用泥炭或泥沙做基质材料，无法做到无菌培育，使穗条修剪后在伤口愈合前不受细菌感染，绝大部分都取用木质化和半木质化的穗条作插穗，这种插穗生根率不高，根系不发达，种植到大田后，生长速度缓慢，高矮参杂不齐，后期投入大，见效慢，而且取穗条时对母本苗木损失较大，还受到季节的影响，使用木质化枝条当做插穗，同时浪费了一些宝贵的嫩梢资源，例如从母本苗木上剪下来的枝条，取完木质化后，嫩稍被废弃扔掉造成了浪费，木质化穗条成苗后苗木生长慢，大大影响了苗木后期的生长速度和嫩稍的利用。因此，迫切的需要一种新的方案解决该技术问题。
技术实现思路
为了解决上述存在的问题，本专利技术公开了一种苗木扦插全光雾育苗工艺，该工艺避免上述原有扦插技术的不足，经过多年的实践和改进，完善了一种苗木扦插育苗池及全光雾育苗的工艺流程，解决了育苗时间长、容易受季节影响、嫩枝扦插成活率低，无法做到在修剪的穗条在伤口愈合前不受细菌感染、生根率低、根系不发达，后期生长速度慢，对苗木母本损伤大的问题，从苗木母本上取下来的嫩梢第一条完全被充分利用。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案如下，一种苗木扦插全光雾育苗工艺，其特征在于，所述育苗工艺具体步骤如下：1）建设育苗池；2）插穗采集，3）清洗，4）消毒杀菌，5）修剪，6）生根剂浸泡，7）插入育苗床，8）育苗管理，9）生根后二次移栽到营养钵中或无纺布袋中。作为本专利技术的一种改进，所述步骤1）中建设育苗池具体如下：11）在单体保温日光温室大棚和连体日光温室大棚内地面用水泥抺面，地面通道进水处高于出水处，高低比例为育苗池底水完全流出为宜，然后在上面建设育苗池，育苗池的长度依塑料大棚内的净宽度而定，在单体后墙为保温墙，座向朝南的温室大棚内建育苗池，育苗池中间留出120cm~160cm的通道，两边留出80cm的排水沟，育苗池为东西方向，南北排列，育苗池的宽度为80cm~160cm，育苗池内的深度为26cm~40cm，育苗池墙体厚为8cm~10cm，两个相邻的育苗池之间留出40cm~70cm的过道，育苗池的长度可建600~2000cm；12）浇灌雾化喷头支架的设置：育苗池每侧的边墙上在砌育苗池的时预留一根Ø2.5cm的PVC电工套管作为插孔，取长度Ø2.0cm的PVC管插入Ø2.5cm套管中弯到另一边的插孔中，在育苗池上形成半个椭圆圆弧，半椭圆圆弧的中心到地面的高度为110cm~160cm，在椭圆圆弧内安装一根C型镀锌钢卡槽用螺丝和卡件固定在半椭圆圆弧的中央部位，其走向依育苗池的长度方向，在C型镀锌卡槽下布一根Ø2.5cm黑色的PVC或PE供水管用镀塑铁扎丝将供水管与C型卡槽固定在一起，在供水管上每隔70~90cm向下安装一个四出口雾化喷头，安装的时候让喷头在一条线上，为使喷出的水雾能均匀的喷到育苗池内的所需范围，不能存在盲区，水管的两头向下弯曲后在适当的地方安装电磁阀，电磁阀的一端与主进水管连接，出水处水管中安装电磁阀的下端连接一段水管，水管的下端离水泥地面10~20cm作为排水口，连体日光温室大棚把通道放在中间宽150cm~200cm，进水管道由两侧进水，两边出水；13）在育苗池的底部铺一层Ø3~5cm的干净石子，厚度在5~10cm，作为透水层，在育苗池的出水端的墙底留多个排水孔：14）在育苗池内石子中分别以30cm×30cm均匀的铺上一层Ø8cm厚度为1.5cm的永磁磁铁，磁铁上方与石子上方平面相平，将磁铁N极朝上，用以对育苗床进行磁化，然后在石子和磁铁上方铺上一层透水率好的无纺布做隔层，防止珍珠岩堵住石子的空隙影响排水，然后在无纺布上铺上18cm~28cm厚，大小为10-40目的珍珠岩作基质材料；15）在育苗池的供水管中，将若干个育苗池的供水管进行分组，在每一组的入水管道中并联安装手动阀门和电磁阀，每一组的进水管道的口径适当加大，在每个育苗池的进水管上套上16个直径8cm厚度为1.5cm磁铁，用以对水进行磁化，在育苗池中安装与进水管组数相等的电子数码器和电器控制设备，用以自动控制电磁阀进行循环间隔喷洒水雾，进水的压力应维持在0.4mp~0.6mp，在同时打开2~3组水管时，雾化喷头喷出的水雾能够覆盖住育苗池的全部方位。作为本专利技术的一种改进，所述步骤2）插穗采集，具体如下，所述插穗采集是在晴天太阳出来之前采集插穗，阴雨天时可以全天采集，采集的插穗是半木质化部位带着嫩枝的部分。作为本专利技术的一种改进，所述步骤3）清洗，具体如下，洗净穗条上的灰尘、污物、虫卵、害虫、烂叶。作为本专利技术的一种改进，所述步骤4）消毒杀菌，具体如下，用多菌灵溶液对插穗进行浸泡消毒杀菌。作为本专利技术的一种改进，所述步骤5）中修剪具体如下，对从母本树上采集的穗条根据扦插的叶片片数和插穗的长度进行二次分剪，可以两叶两芽，也可以四叶四芽，枝叶太密或顶端的嫩芽可以处理成多芽一段，插穗在3~10cm之间，修剪时避免损伤插穗的皮层。作为本专利技术的一种改进，所述步骤6）生根剂浸泡具体如下，浸泡插穗使之生根，生根剂可以使用成品的，也可以使用自制的。例如：生根剂使用成品的ABT1号200PPM浸泡基部一小时，浸泡基部1—2cm。作为本专利技术的一种改进，所述步骤7）插入育苗床具体如下，将插穗插入育苗床前，先用高锰酸钾溶液对苗床进行消毒，将育苗床内的基质喷湿透，然后将基质打散整平，插穗插入育苗床的深度在2~3cm,插穗的株距与行距以叶片重叠在50%以下，同时避免损伤插穗基部的修剪处，并且插穗迁入育苗床的部分与育苗床的基质要紧密结合。作为本专利技术的一种改进，所述步骤8）育苗管理具体如下，插穗插入育苗床后，立即对插穗进行喷雾处理，第一次喷雾时要喷透插穗的育苗床，使育苗床的排水孔有水流流出，以后在白天的时候适当调整喷雾的间隔时间和喷雾持续时间，夜晚不需要喷水，在活化期喷雾时间间隔的标准是，叶片上的水分还有1/2的时候，即可进行下一次喷水，喷水的持续时间标准是叶片不出现萎蔫现象，以后的愈伤期的喷水时间间隔为叶片上还有1/3时即可进行下一次喷水，在出根期适当减少喷水的次数和喷水量，在75%以上的插穗出现二次生根时要减少喷水的次数和喷水量。作为本专利技术的一种改进，所述步骤9）生根后二次移栽到营养钵中或无纺布袋中，具体如下，生根后二次移栽到营养钵中是指插穗根系发达以后适时出苗移栽在营养钵或无纺布袋中，基质材料采用泥土进行炼苗，让幼苗的根系适应土壤的生长环境，提高苗木的成活率。相对于现有技术，本专利技术的优点如下，1）本专利技术可以使苗木培育的成苗时间缩短，绝大多数品种在30天内就可以成苗，某些品种甚至10天内就可以成苗，相对于常规扦插3至4个月甚至更长时间成苗而言，极大缩短了成苗的时间，该专利技术培育出的苗木根系比常扦插的苗更发达，扦插穗条在伤口愈合前不容易被细菌感染，健康的苗木后期长势旺盛，能达到速生化的程度；2）该技术方案不受季节的影响，一年四季任意时间都可以培育苗木，应用领域广泛，3）采用本专利技术工艺后，大多数品种的育苗成苗率可以达到95%以上，某些品种甚至可以达到99%以上的成苗率；4）本专利技术所使用的插穗是嫩梢和半木质化的穗条，所以减少了对母本苗木本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种苗木扦插全光雾育苗工艺，其特征在于，所述育苗工艺具体步骤如下：1）建设育苗池；2）插穗采集，3）清洗，4）消毒杀菌，5）修剪，6）生根剂浸泡，7）插入育苗床，8）育苗管理，9）生根后二次移栽到营养钵中或无纺布袋中。

【技术特征摘要】
1.一种苗木扦插全光雾育苗工艺，其特征在于，所述育苗工艺具体步骤如下：1）建设育苗池；2）插穗采集，3）清洗，4）消毒杀菌，5）修剪，6）生根剂浸泡，7）插入育苗床，8）育苗管理，9）生根后二次移栽到营养钵中或无纺布袋中。2.根据权利要求1所述的苗木扦插全光雾育苗工艺，其特征在于，所述步骤1）中建设育苗池具体如下：11）在单体保温日光温室大棚和连体日光温室大棚内地面用水泥抺面，地面通道进水处高于出水处，然后在上面建设育苗池，育苗池的长度依塑料大棚内的净宽度而定，在单体后墙为保温墙，座向朝南的温室大棚内建育苗池，育苗池中间留出120cm~160cm的通道，两边留出80cm的排水沟，育苗池为东西方向，南北排列，育苗池的宽度为80cm~160cm，育苗池内的深度为26cm~40cm，育苗池墙体厚为8cm~10cm，两个相邻的育苗池之间留出40cm~70cm的过道，育苗池的长度可建600~2000cm；12）浇灌雾化喷头支架的设置：育苗池每侧的边墙上在砌育苗池的时预留一根Ø2.5cm的PVC电工套管作为插孔，取长度Ø2.0cm的PVC管插入Ø2.5cm套管中弯到另一边的插孔中，在育苗池上形成半个椭圆圆弧，半椭圆圆弧的中心到地面的高度为110cm~160cm，在椭圆圆弧内安装一根C型镀锌钢卡槽用螺丝和卡件固定在半椭圆圆弧的中央部位，其走向依育苗池的长度方向，在C型镀锌卡槽下布一根Ø2.5cm黑色的PVC或PE供水管用镀塑铁扎丝将供水管与C型卡槽固定在一起，在供水管上每隔70~90cm向下安装一个四出口雾化喷头，安装的时候让喷头在一条线上，为使喷出的水雾能均匀的喷到育苗池内的所需范围，不能存在盲区，水管的两头向下弯曲后在适当的地方安装电磁阀，电磁阀的一端与主进水管连接，出水处水管中安装电磁阀的下端连接一段水管，水管的下端离水泥地面10~20cm作为排水口，连体日光温室大棚把通道放在中间宽150cm~200cm，进水管道由两侧进水，两边出水；13）在育苗池的底部铺一层Ø3~5cm的干净石子，厚度在5~10cm，作为透水层，在育苗池的出水端的墙底留多个排水孔：14）在育苗池内石子中分别以30cm×30cm均匀的铺上一层Ø8cm厚度为1.5cm的永磁磁铁，磁铁上方与石子上方平面相平，将磁铁N极朝上，用以对育苗床进行磁化，然后在石子和磁铁上方铺上一层透水率好的无纺布做隔层，防止珍珠岩堵住石子的空隙影响排水，然后在无纺布上铺上18cm~28cm厚，大小为10-40目的珍珠岩作基质材料；15）在育苗池的供水管中...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德军，
申请(专利权)人：江苏亿佳源农林科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32