一种多层功分器上下层微带电路连接结构制造技术

本发明专利技术提供一种多层功分器上下层微带电路连接结构，包括上层微带电路(1)、下层微带电路(2)、地板(3)、金属导电柱(4)，冗余铜层电路(5)。金属导电柱(4)过金属化过孔贯穿所述上层微电路(1)，地板(3)，下层微带电路(2)，在所述上层微电路(1)与金属导电柱(4)的连接处上增加铜冗余电路(5)，在所述下层微带电路(2)与金属导电柱(4)的连接处下增加铜冗余电路(5)，所述铜冗余电路(5)增大了金属导电柱(4)与上层微带电路(1)金属导电柱(4)与下层微带电路(2)的接触面积。

Upper and lower layer microstrip circuit connection structure of multilayer power divider

The invention provides a connection structure of an upper and lower layer microstrip circuit for a multilayer power divider, which comprises an upper layer microstrip circuit (1), a lower layer microstrip circuit (2), a floor (3), a metal conductive column (4), a redundant copper layer circuit (5). Conductive metal column (4) a metallized hole penetrates the upper micro circuit (1), floor (3), (2), the lower microstrip circuit in the upper micro circuit (1) and conductive metal (4) increase the copper column redundancy circuit connecting part (5), in which the lower layer microstrip circuit (2) and (4) copper conductive metal column redundancy circuit connections under increased (5), the copper circuit (5) increases the conductive metal column (4) and the upper microstrip circuit (1) conductive metal column (4) and lower (2) contact microstrip circuit area.

【技术实现步骤摘要】
一种多层功分器上下层微带电路连接结构
本专利技术属于微波、天线领域，涉及一种多层功分器上下层微带电路连接结构。
技术介绍
功率分配器(功分器)将输入信号功率分成相等或不相等的多路输出的一种多端口微波网络。功分器可以采用多种传输线实现，最常用主要有波导功分器、同轴线功分器及微带线功分器。波导功分器具有损耗小、功率容量大的优点。但是其传输线结构决定了波导功分器不易集成、尺寸难以小型化的缺点。同轴线功分器的优点是功率容量大，损耗小，缺点是输出端驻波比较大且输出端口之间没有隔离度。微带线结构功分器虽然损耗稍大，但由于其结构紧凑、成本低廉、性能稳定、易于和其他有源器件集成的优点，在雷达系统中有着非常广泛的应用。然而随着雷达行业的快速发展，对功分器也提出了更高的性能指标和尺寸要求。在某新型雷达的研制生产中，装配的微带功分器电路具有集成度高﹑体积小，并大规模应用在有源相控阵天线微波阵列传输系统中。由于该雷达天线功能多，集成度高，并且对尺寸有着严格的要求，这也使得功分器在保证电性能的同时其尺寸要尽可能的小。多层功分器的设计可以有效地缩小功分器的尺寸，如图1所示。在传统的多层功分器设计中，金属化孔和导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层功分器上下层微带电路连接结构，包括上层微带电路(1)、下层微带电路(2)、地板(3)、金属导电柱(4)，冗余铜层电路(5)。金属导电柱(4)过金属化过孔贯穿所述上层微电路(1)，地板(3)，下层微带电路(2)，其特征在于，在所述上层微电路(1)与金属导电柱(4)的连接处上增加铜冗余电路(5)，在所述下层微带电路(2)与金属导电柱(4)的连接处下增加铜冗余电路(5)，所述铜冗余电路(5)增大了金属导电柱(4)与上层微带电路(1)金属导电柱(4)与下层微带电路(2)的接触面积。

【技术特征摘要】
1.一种多层功分器上下层微带电路连接结构，包括上层微带电路(1)、下层微带电路(2)、地板(3)、金属导电柱(4)，冗余铜层电路(5)。金属导电柱(4)过金属化过孔贯穿所述上层微电路(1)，地板(3)，下层微带电路(2)，其特征在于，在所述上层微电路(1)与金属导电柱(4)的连接处上增加铜冗余电路(5)，在所述下层微带电路(2)与金属导电柱(4)的连接处下增加铜冗余电路(5)，所述铜冗余电路(5)增大了金属导电柱(4)与上层微带电路(1)金属导电柱(4)与下层微带电路(2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔德武，吴杨生，唐杰，
申请(专利权)人：中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32