本发明专利技术公开了一种Y型功分器制造工艺，包括上盖板加工、下腔体加工和真空钎焊成型：S31：试装上盖板和下腔体，确保边缘凸台（2）与边缘凹槽（5）、Y分支槽凸止口（3）与Y分支槽凹止口（6）紧密贴合；S32：酸洗，去杂质；S33：装配上盖板、下腔体、钎料；S34：真空钎焊；S35：数控加工功分器外形及法兰盘；S36：钻、铰法销孔；S37：电化学处理；S38：测试电讯参数。本发明专利技术解决了因多次手工火焰焊接带来的焊接变形，通过凸台、凹槽、止口定位上盖板和下腔体，保证了功分器的尺寸一致性和精度；设计凸台、凹槽、止口等部位时考虑了焊片的崁入厚度，再增加配合间隙0.02～0.04mm，焊接时保证了钎料填缝的流动性，保证了组装后功分器的型腔尺寸精度。
【技术实现步骤摘要】
一种Y型功分器制造工艺
本专利技术涉及微波器件加工领域，特别是涉及一种Y型功分器制造工艺。
技术介绍
Y分支波导是集成光学中的常用器件，被广泛应用于分束器、光开关和调制器等波导器件中。现微波器件制造厂家制作Y型功分器的过程如下:将Y型功分器分成多个零件，采用传统手工火焰钎焊方法分多次组焊成型，包括盖板、Y分支槽和两个法兰盘的组合焊接。 其具体工艺流程如下:1、零件加工:1.1:盖板加工:备料一数铣一线切割一钳。 1.2:Y分支槽加工:备料一数铣一热处理退火一数铣一线切割一钳。 1.3:法兰盘I加工:备料一数铣一钳。 1.4:法兰盘2加工:备料一数铣一钳。 2、手工火焰焊接成型:2.1:分支波导:由盖板和Y分支槽手工火焰焊接成型，其工艺流程:配装盖板和Y分支槽一酸洗一火焰钎焊一清洗一钳一铣一钳。 2.2:Υ型功分器:由分支波导和两个法兰盘手工火焰焊接成型，其工艺流程:配装法兰盘和分支波导一酸洗一火焰钎焊一清洗一钳一酸洗一火焰钎焊一清洗一钳一铣一钳—电镀一油漆一装配。 传统手工火焰钎焊方法存在如下一些问题和缺陷:1、加工工序多、生产周期长； 2、操作人员工作量大，技能水平要求较高；3、传统手工火焰钎焊是局部加热，焊接时温度均匀性差，焊接后型腔的变形量较大，型腔尺寸精度难以保证；4、传统手工火焰钎焊成型的Y型功分器的一致性较差，尺寸精度差，对电讯参数影响大，增大了调试难度；5、为使钎料在母材间隙中润湿、毛细流动，钎焊填缝时须使用钎剂，而钎剂对母材本身的腐蚀作用大，钎焊后无法彻底清除残留钎剂残余物，导致功分器的防腐性能大幅降低，使用寿命大幅缩短。因此，传统制造工艺方法难以满足产品的质量要求和批量生产的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种新型的Y型功分器制造工艺，将传统由盖板、分支波导、法兰盘多次焊接成型设计为上盖板、下腔体，采用真空钎焊技术一次焊接成型，采用凹凸面控制功分器的装配尺寸精度，加工工序减少，劳动强度低，生产周期短；数控加工和真空钎焊保证批量生产尺寸精度的一致性；焊接不易变形，尺寸精度及产品质量高；真空钎焊无需使用钎剂，Y型功分器抗腐蚀性能好。 本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的:一种Y型功分器制造工艺，包括一个上盖板加工步骤、一个下腔体加工步骤和一个真空钎焊成型步骤: 所述的上盖板加工步骤包括以下子步骤:511:备料:根据产品设计尺寸将原材料切割出上盖板的外形，包括上盖板本体、边缘凸台和Y分支槽凸止口，预留3?5mm加工余量和3飞mm厚度余量；512:数控粗铣:利用数控铣床完成上盖板的粗铣加工，单边留余量2?3mm ；513:热处理退火:热处理退火温度范围为25(T280°C ；514:数控精铣:利用数控铣床完成上盖板的精铣加工；所述的下腔体加工步骤包括以下子步骤:521:备料:根据产品设计尺寸将原材料切割出下腔体的外形，包括下腔体本体、边缘凹槽和Y分支槽凹止口，预留3?5mm加工余量和3?5mm厚度余量；522:数控粗铣:利用数控铣床完成下腔体的粗铣加工，单边留余量2?3mm ；523:热处理退火:热处理退火温度范围为25(T280°C ；524:数控精铣:利用数控铣床完成下腔体的精铣加工；所述的真空钎焊成型步骤包括以下子步骤:531:试装上盖板和下腔体，确保边缘凸台与边缘凹槽、Y分支槽凸止口与Y分支槽凹止口紧密贴合；532:酸洗，去杂质，保证钎焊质量不受影响；533:装配上盖板、下腔体、钎料，保证装配后内腔尺寸满足设计要求；534:真空钎焊:设置真空钎焊加热曲线，加热保温，615°C温度下完成真空钎焊；535:数控加工Y型功分器外形及法兰盘；536:钳:钻、铰法兰盘上的销孔；537:电化学处理；538:调试:测试电讯参数。 所述备料加工上盖板和下腔体过程中，切割边缘凸台、Y分支槽凸止口、边缘凹槽和Y分支槽凹止口时考虑焊片的嵌入厚度，增加配合间隙0.02、.04mm。 步骤S32所述的杂质包括油污和氧化膜。 所述的上盖板和下腔体采用3A21铝合金板材。 所述上盖板和下腔体的底板厚度面留3mm加工余量，且平面度控制在0.02mm以内，四周各端面单边留2?3mm加工余量。 本专利技术的有益效果是:1)解决了因多次手工火焰焊接带来的焊接变形，提高了Y型功分器尺寸精度及产品质量;2)将法兰盘与上盖板、下腔体设计合为一体进行整体加工，增强了法兰盘的连接强度；3)使用数控加工技术加工上盖板、下腔体，可保证零件的一致性、型腔尺寸精度和表面粗糙度(可达Ral.6或更高精度)；4)Y型功分器真空钎焊时通过工装对其上、下方向进行限位，前、后、左、右方向由上盖板、下腔体自身设计的凸凹面及止口进行自定位，从而达到6度方向定位控制，从而保证Y型功分器真空钎焊的质量；通过凸台、凹槽、止口定位上盖板和下腔体，采用凹凸面控制功分器的装配精度，减少了组合零件的数量，保证了 Y型功分器的尺寸一致性和精度，同时提高了生产效率；5)Y型功分器主要是通过数控加工控制各零件的精度，以保证组装后内腔的尺寸精度达到设计要求6)设计凸台、凹槽、止口等部位时考虑了焊片的崁入厚度，再增加配合间隙0.02? 0.04mm，焊接时保证了钎料填缝的流动性，保证了组装后功分器的型腔尺寸精度；7)真空钎焊在钎焊过程中不需要钎剂，大大提高了Y型功分器的抗腐蚀性能；也能很好地连接高活性的铝合金金属，同时能获得致密光亮的钎焊接头，此接头具备优良的机械性能和抗腐蚀性能；8)经电性能测试该新型Y型功分器完全满足电性能设计指标，经多次验证，新型Y型功分器能够满足产品质量要求，适用于电子行业微波器件多品种功分器的批量生产；9)减少了加工工序，降低了劳动强度，缩短了生产周期。 【附图说明】 图1为本专利技术上盖板结构示意图；图2为本专利技术下腔体结构示意图；图3为本专利技术上盖板、下腔体装配结构示意图；图中，1-上盖板本体,2-边缘凸台，3-Y分支槽凸止口，4-下腔体本体，5-边缘凹槽，6-Y分支槽凹止口，?-法兰盘，8-销孔，9-焊片。 【具体实施方式】 下面结合附图进一步详细描述本专利技术的技术方案，但本专利技术的保护范围不局限于以下所述。 一种Y型功分器制造工艺，包括一个上盖板加工步骤、一个下腔体加工步骤和一个真空钎焊成型步骤:所述的上盖板加工步骤包括以下子步骤:511:备料:根据产品设计尺寸将原材料切割出上盖板的外形，如图1所示，包括上盖板本体1、边缘凸台2和Y分支槽凸止口 3，预留3飞mm加工余量和3飞mm厚度余量；512:数控粗铣:利用数控铣床完成上盖板的粗铣加工，单边留余量2?3mm ；513:热处理退火:热处理退火温度范围为25(T280°C ；514:数控精铣:利用数控铣床完成上盖板的精铣加工；所述的下腔体加工步骤包括以下子步骤:521:备料:根据产品设计尺寸将原材料切割出下腔体的外形，如图2所示，包括下腔体本体4、边缘凹槽5和Y分支槽凹止口 6，预留3?5mm加工余量和3?5mm厚度余量；522:数控粗铣:利用数控铣床完成下腔体的粗铣加工，单边留余量2?3mm ；523:热处理退火:热处理退火温度范围为25(T280°C ；524:数控精铣:利用数控铣床完成下腔本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种Y型功分器制造工艺，其特征在于：包括一个上盖板加工步骤、一个下腔体加工步骤和一个真空钎焊成型步骤：所述的上盖板加工步骤包括以下子步骤：S11：备料：根据产品设计尺寸将原材料切割出上盖板的外形，包括上盖板本体（1）、边缘凸台（2）和Y分支槽凸止口（3），预留3~5mm加工余量和3~5mm厚度余量；S12：数控粗铣：利用数控铣床完成上盖板的粗铣加工，单边留余量2~3mm；S13：热处理退火：热处理退火温度范围为250~280℃；S14：数控精铣：利用数控铣床完成上盖板的精铣加工；所述的下腔体加工步骤包括以下子步骤：S21：备料：根据产品设计尺寸将原材料切割出下腔体的外形，包括下腔体本体（4）、边缘凹槽（5）和Y分支槽凹止口（6），预留3~5mm加工余量和3~5mm厚度余量；S22：数控粗铣：利用数控铣床完成下腔体的粗铣加工，单边留余量2~3mm；S23：热处理退火：热处理退火温度范围为250~280℃；S24：数控精铣：利用数控铣床完成下腔体的精铣加工；所述的真空钎焊成型步骤包括以下子步骤：S31：试装上盖板和下腔体，确保边缘凸台（2）与边缘凹槽（5）、Y分支槽凸止口（3）与Y分支槽凹止口（6）紧密贴合；S32：酸洗，去杂质，保证钎焊质量不受影响；S33：装配上盖板、下腔体、钎料，保证装配后内腔尺寸满足设计要求；S34：真空钎焊：设置真空钎焊加热曲线，加热保温，615℃温度下完成真空钎焊；S35：数控加工Y型功分器外形及法兰盘（7）；S36：钳：钻、铰法兰盘（7）上的销孔（8）；S37：电化学处理；S38：调试：测试电讯参数。...
【技术特征摘要】
1.一种Y型功分器制造工艺，其特征在于:包括一个上盖板加工步骤、一个下腔体加工步骤和一个真空钎焊成型步骤: 所述的上盖板加工步骤包括以下子步骤: 511:备料:根据产品设计尺寸将原材料切割出上盖板的外形，包括上盖板本体(I)、边缘凸台(2)和Y分支槽凸止口(3)，预留3?5mm加工余量和3?5mm厚度余量； 512:数控粗铣:利用数控铣床完成上盖板的粗铣加工，单边留余量2?3mm ； 513:热处理退火:热处理退火温度范围为25(T280°C ； 514:数控精铣:利用数控铣床完成上盖板的精铣加工； 所述的下腔体加工步骤包括以下子步骤: 521:备料:根据产品设计尺寸将原材料切割出下腔体的外形，包括下腔体本体(4)、边缘凹槽(5)和Y分支槽凹止口(6)，预留3飞mm加工余量和3?5mm厚度余量； 522:数控粗铣:利用数控铣床完成下腔体的粗铣加工，单边留余量2?3mm ； 523:热处理退火:热处理退火温度范围为25(T280°C ； 524:数控精铣:利用数控铣床完成下腔体的精铣加工； 所述的真空钎焊成型步骤包括以下子步骤: 531:试装上盖板和下腔体，确保边缘凸台(2)与边缘凹槽(5...
【专利技术属性】
技术研发人员：周衢，龚建君，涂学明，
申请(专利权)人：成都锦江电子系统工程有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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