一种报春石斛水培培养基及培养方法技术

本发明专利技术涉及一种报春石斛水培培养基及培养方法。所述报春石斛水培培养基，以1/2Hoagland培养基为基础培养基，用盐酸/氢氧化钠调pH至5.8～6.0，再添加1～2mg/L的氯霉素、10～20g/L的麦饭石而成。本发明专利技术基础培养基为水培报春石斛提供生长所需的各种营养元素，低密度海绵和雪佛板为其提供了固定根部的作用，可完全取代土壤满足报春石斛在自然条件下生长所需的各种条件，非常适宜报春石斛的水培，且配制简单，为报春石斛无土栽培的工业化生产提供了基础。

A kind of Dendrobium primulinum hydroponic culture medium and culture method

The invention relates to a Dendrobium primulinum hydroponic culture medium and culture method. The Dendrobium primulinum hydroponic culture medium as basic medium with hydrochloric acid / sodium hydroxide 1/2Hoagland, adjusting pH to 5.8 ~ 6, adding 1 ~ 2mg/L, 10 ~ 20g/L of chloramphenicol and Maifan stone. The invention provides a basic medium of various nutrients needed for growth of hydroponic culture of Dendrobium primulinum, low density foam and Chevron board provides a fixed role as its root, can completely replace the soil to meet the growth of Dendrobium primulinum for various conditions under natural conditions, very suitable for daily Dendrobium hydroponics, and has the advantages of simple preparation, provide the basis for industrialized production of Dendrobium primulinum soilless culture.

【技术实现步骤摘要】
一种报春石斛水培培养基及培养方法(一)
本专利技术涉及一种报春石斛水培培养基及培养方法。(二)
技术介绍
报春石斛为兰科石斛属多年生草本植物，花多而鲜艳，具有极高的观赏价值，多附生于海拔700～1800m的山地疏林中树干上，我国云南的东南部至西南部是其主要分布中心。目前有关金钗石斛和铁皮石斛等药用石斛的研究颇为广泛，但观赏性石斛如报春石斛和兜唇石斛的报道相对较少。近年来，石斛因广大消费者的保健需求而走进千家万户，消费市场的需求大增，兼有药用价值和观赏价值的石斛盆景也应运而生，但盆栽石斛大多采用树皮基质，上层疏松易失水，下层却容易积水，容易产生烂根和黄叶现象，在室内高温、干燥的环境条件下不易栽培成活，很多消费者从市场买来的石斛盆景往往不到一年就枯死了，其根本原因就是水分供应条件不易控制，而目前花卉市场又缺乏水培的石斛盆景，据调查，许多花卉市场的经营者也十分看好水培石斛盆景，但由于技术原因，一直没有试验成功。(三)
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种适宜于报春石斛无土栽培的水培培养基及培养方法，为报春石斛的无土栽培的推广提供基础。本专利技术采用的技术方案是：一种报春石斛水培培养基，以1/2Hoagland培养基为基础培养基，用盐酸/氢氧化钠调pH至5.8～6.0，再添加1～2mg/L的氯霉素、10～20g/L的麦饭石而成。Hoagland母液(pH5.8)成分如下：1/2Hoagland培养基即上述Hoagland母液中全部组分原始浓度减半。本专利技术所用氯霉素为委内瑞拉链丝菌产生的抗生素，属抑菌性广谱抗生素是对青苔和细菌的生长有抑制作用，有净化水中有害生物生物生长的功能。本专利技术在培养基中添加氯霉素，可以促进报春石斛的健康快速地生长。麦饭石属于新型无机抗菌剂载体，具有独特的溶出性和吸附性，在优化水质方面具有很好的功效。优选的，所述培养基以1/2Hoagland培养基为基础培养基，用盐酸/氢氧化钠调pH至5.8，再添加2mg/L的氯霉素、15g/L的麦饭石而成。本专利技术还涉及一种报春石斛的水培培养方法，所述方法包括：以1/2Hoagland培养基为基础培养基，用盐酸/氢氧化钠调pH至5.8～6.0，再添加1～2mg/L的氯霉素、10～20g/L的麦饭石得到水培培养基，用低密度海绵包裹报春石斛根部，将报春石斛固定于打孔的雪佛板孔中，将雪佛板漂浮于水培培养基液面上进行培养，7～10天更换水培培养基。本专利技术采用雪佛板漂浮于营养液上方式进行水培，可使石斛地上部不浸泡于营养液中，以免发生腐烂。优选的，选取6cm～10cm高的土培报春石斛种苗，根部用低密度海绵包裹、固定于雪佛板孔中，将雪佛板漂浮于水培培养基液面上进行培养。具体的，所述报春石斛种苗按如下方法培育获得：组培报春石斛种苗生长6个月后，炼苗3个月，选取长相一致，且生长健壮的石斛苗作为种苗。本专利技术的有益效果主要体现在：本专利技术基础培养基为水培报春石斛提供生长所需的各种营养元素，氯霉素可以抑制青苔，有害细菌的生长，麦饭石可以对水质起到净化的作用，低密度海绵和雪佛板为其提供了固定根部的作用，可完全取代土壤满足报春石斛在自然条件下生长所需的各种条件，非常适宜报春石斛的水培，且配制简单，为报春石斛无土栽培的工业化生产提供了基础。(四)附图说明图1左为报春石斛水培四个月的植株，右为报春石斛土培四个月之后的植株。(五)具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术进行进一步描述，但本专利技术的保护范围并不仅限于此：实施例1：首先按前述组成配制hoagland母液，按表格中各组分的稀释倍数得到1/2hoagland培养基，pH用盐酸/氢氧化钠调至5.8，以此为基础培养基，添加2.0mg/L的氯霉素、15g/L的麦饭石(粒径3～5mm)，得到水培营养液。选取生长选取6cm～10cm高的土培报春石斛，根部用低密度海绵包裹固定于雪佛板孔中，雪佛板漂浮于水培营养液中，每隔7-10天更换水培营养液。对照组：将初始状态基本相同的报春石斛培养于海草中，见干见湿，用1/2hoagland培养基浇灌。两组报春石斛栽种初期光照控制在1300Lux左右，生长期光照控制在1500Lux左右，光照周期为12h/d，培养4个月后记录两组报春石斛的生长情况，结果见图1和表1：表1：实验组与对照组培养4个月后生长情况比较组别平均胸径生长状况实验组3.2cm茎较粗，叶短、宽、较肥厚，生长较好。对照组2.4cm茎细，叶长、细、纤细，生长迟缓。表1中，株胸径(用软尺测量每处理中每个植株的最粗部分的周长)＝测量植株总胸径/测量的植株数。图1左侧是用本专利技术所述水培培养基及培养方法得到的报春石斛，右侧是用常规海草包裹后种植得到的报春石斛，初始状态一致，四个月后，可明显见左图水培报春石斛枝干粗壮，叶片肥厚，长势较好。由图1和表1可见，本专利技术培养基非常适宜报春石斛的水培，能够很好的促进报春石斛的生长。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种报春石斛水培培养基，以1/2Hoagland培养基为基础培养基，用盐酸/氢氧化钠调pH至5.8～6.0，再添加1～2mg/L的氯霉素、10～20g/L的麦饭石而成。

【技术特征摘要】
1.一种报春石斛水培培养基，以1/2Hoagland培养基为基础培养基，用盐酸/氢氧化钠调pH至5.8～6.0，再添加1～2mg/L的氯霉素、10～20g/L的麦饭石而成。2.如权利要求1所述的水培培养基，其特征在于所述培养基以1/2Hoagland培养基为基础培养基，用盐酸/氢氧化钠调pH至5.8，再添加2mg/L的氯霉素、15g/L的麦饭石而成。3.一种报春石斛的水培培养方法，所述方法包括：以1/2Hoagland培养基为基础培养基，用盐酸/氢氧化钠调pH至5.8～6.0，再添加1～2mg/L...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦玉川，王丽玲，童晓青，王衍彬，刘本同，方茹，黄旭波，钱华，
申请(专利权)人：浙江省林业科学研究院，
类型：发明
国别省市：浙江,33