一种高产无污染的大豆种植方法技术

技术编号:15660947 阅读:72 留言:0更新日期:2017-06-21 12:00
本发明专利技术公开了一种高产无污染的大豆种植方法,包括耕前施肥、起垄覆膜、种子处理、播种和密植。本发明专利技术成本较低、可操作性强,有利于提高生产效益;不会对土壤造成二次污染,有利于环境保护;通过根瘤菌拌种和微肥拌种,有利于提高种子的抗菌能力和生长能力;通过耕前施肥,有利于提高土壤肥力;通过对种子进行处理,有利于提高种植质量和产量。

High yield and pollution-free soybean cultivation method

The invention discloses a high-yield pollution-free soybean planting methods, including tillage before fertilization, seed treatment, sowing, Ridge Film Mulching and planting. The invention is of low cost, strong operability, is conducive to improve the production efficiency; two will not cause pollution to the soil, is conducive to environmental protection; by Rhizobium treatment and fertilizer dressing, improve seed antibacterial ability and growth ability; through before tillage fertilization, improve soil fertility through processing; seeds, improve planting quality and yield.

【技术实现步骤摘要】
一种高产无污染的大豆种植方法
本专利技术属于农产品种植
,特别是涉及一种高产无污染的大豆种植方法。
技术介绍
大豆(学名:Glycinemax(L.)Merr),通称黄豆,豆科大豆属一年生草本植物。原产中国,中国各地均有栽培,亦广泛栽培于世界各地。大豆是中国重要粮食作物之一,已有五千年栽培历史,古称菽,中国东北为主产区,是一种其种子含有丰富植物蛋白质的作物。大豆最常用来做各种豆制品、榨取豆油、酿造酱油和提取蛋白质。豆渣或磨成粗粉的大豆也常用于禽畜饲料。随着社会的发展,人们的生活水平越来越高,对大豆的品质要求也相应提高,且大豆是豆类中营养价值最高的品种,含有大量的不饱和脂肪酸,多种微量元素、维生素及优质蛋白质,人们对大豆的需求量日益增大。四川省大豆种植面积居全国第6位,全省2009年推广种植大豆面积480万亩,总产量达到65.3万吨,大豆生产在四川省粮食生产中具有重要的作用。土壤在大豆生长发育中起着重要的作用,而四川省农用土壤不同程度受到锌、铬、汞、铅、铜、砷等重金属元素的污染,严重危害着大豆的生长。环境中重金属锌污染具有隐蔽性、长期性和不可逆性等特点,使得重金属以各种形态在土壤中累积。当农作物在受重金属污染的土壤上种植时,其根系吸收土壤中的重金属,并在植株体内富集,造成农作物产量和品质的下降,并通过食物链的放大作用对生物体产生更大的危害。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高产无污染的大豆种植方法,通过该方法的应用,解决了现有的问题。为解决上述技术问题,本专利技术是通过以下技术方案实现的:本专利技术为一种高产无污染的大豆种植方法,包括耕前施肥、起垄覆膜、种子处理、播种和密植,所述的耕前施肥是指耕前每亩撒施土杂肥1600kg~1700kg、碳酸氢铵30kg、过磷酸钙50kg、硫酸钾10kg、辛硫磷颗粒农药1.5kg,耕后耙平耙细地面;所述的起垄覆膜是指当年早春,在一次施足肥料和深耕整地的基础上,按垄距90cm、垄高10cm~15cm、垄顶呈弧形的规格起垄,垄顶加盖90cm宽、0.007mm~0.008mm厚的黑色地膜,地膜要紧贴垄面,两边要垂直埋入垄边土下,垄顶膜上要压土带防风揭膜;所述的种子处理是包括晒种和拌种;所述的播种是指当5cm土层的日平均温度稳定达到10℃~12℃时播种最适宜;所述的密植是指播种时,在覆膜的垄上,按小行距30cm,平均行距45cm,穴距30cm,两行间调角打穴,穴深3cm~4cm,每穴播1粒~2粒种子;当大豆两瓣夹一心至第一片复叶展开时进行定苗,每穴选留一株。进一步地,所述晒种是指在播种前,将大豆种子晒4天~5天。进一步地,所述的拌种包括根瘤菌拌种和微肥拌种。进一步地,所述根瘤菌拌种是指,在新开垦地、重迎茬地或多年未种过大豆的地块,每亩大豆种子用根瘤菌剂550克;所述的是微肥拌种是指,根据土壤微量元素缺乏情况,用钼酸铵或硼砂拌种,其中用钼酸铵拌种时,每千克大豆种子拌钼酸铵5克~6克;用硼砂拌种时,每千克大豆种子拌硼砂4克~5克。本专利技术具有以下有益效果:本专利技术成本较低、可操作性强,有利于提高生产效益;不会对土壤造成二次污染,有利于环境保护;通过根瘤菌拌种和微肥拌种,有利于提高种子的抗菌能力和生长能力;通过耕前施肥,有利于提高土壤肥力;通过对种子进行处理,有利于提高种植质量和产量。当然,实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例,对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本专利技术保护的范围。本专利技术为一种高产无污染的大豆种植方法,包括耕前施肥、起垄覆膜、种子处理、播种和密植,所述的耕前施肥是指耕前每亩撒施土杂肥1600kg~1700kg、碳酸氢铵30kg、过磷酸钙50kg、硫酸钾10kg、辛硫磷颗粒农药1.5kg,耕后耙平耙细地面;所述的起垄覆膜是指当年早春,在一次施足肥料和深耕整地的基础上,按垄距90cm、垄高10cm~15cm、垄顶呈弧形的规格起垄,垄顶加盖90cm宽、0.007mm~0.008mm厚的黑色地膜,地膜要紧贴垄面,两边要垂直埋入垄边土下,垄顶膜上要压土带防风揭膜;所述的种子处理是包括如下步骤:(1)晒种,播种前将大豆种子晒4天~5天;(2)拌种,一是进行根瘤菌拌种,在新开垦地、重迎茬地或多年未种过大豆的地块,每亩大豆种子用根瘤菌剂550克,二是微肥拌种,根据土壤微量元素缺乏情况,用钼酸铵或硼砂拌种,其中用钼酸铵拌种时,每千克大豆种子拌钼酸铵5克~6克;用硼砂拌种时,每千克大豆种子拌硼砂4克~5克;所述的播种是指当5cm土层的日平均温度稳定达到10℃~12℃时播种最适宜;所述的密植是指播种时,在覆膜的垄上,按小行距30cm,平均行距45cm,穴距30cm,两行间调角打穴,穴深3cm~4cm,每穴播1粒~2粒种子;当大豆两瓣夹一心至第一片复叶展开时进行定苗,每穴选留一株。在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本专利技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。最后需要说明的是,以上公开的本专利技术优选实施例只是用于帮助阐述本专利技术。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该专利技术仅为所述的具体实施方式。显然,根据本说明书的内容,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本专利技术的原理和实际应用,从而使所属
技术人员能很好地理解和利用本专利技术。本专利技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种高产无污染的大豆种植方法,其特征在于:包括耕前施肥、起垄覆膜、种子处理、播种和密植,所述的耕前施肥是指耕前每亩撒施土杂肥1600kg~1700kg、碳酸氢铵30kg、过磷酸钙50kg、硫酸钾10kg、辛硫磷颗粒农药1.5kg,耕后耙平耙细地面;所述的起垄覆膜是指当年早春,在一次施足肥料和深耕整地的基础上,按垄距90cm、垄高10cm~15cm、垄顶呈弧形的规格起垄,垄顶加盖90cm宽、0.007mm~0.008mm厚的黑色地膜,地膜要紧贴垄面,两边要垂直埋入垄边土下,垄顶膜上要压土带防风揭膜;所述的种子处理是包括晒种和拌种;所述的播种是指当5cm土层的日平均温度稳定达到10℃~12℃时播种最适宜;所述的密植是指播种时,在覆膜的垄上,按小行距30cm,平均行距45cm,穴距30cm,两行间调角打穴,穴深3cm~4cm,每穴播1粒~2粒种子;当大豆两瓣夹一心至第一片复叶展开时进行定苗,每穴选留一株。

【技术特征摘要】
1.一种高产无污染的大豆种植方法,其特征在于:包括耕前施肥、起垄覆膜、种子处理、播种和密植,所述的耕前施肥是指耕前每亩撒施土杂肥1600kg~1700kg、碳酸氢铵30kg、过磷酸钙50kg、硫酸钾10kg、辛硫磷颗粒农药1.5kg,耕后耙平耙细地面;所述的起垄覆膜是指当年早春,在一次施足肥料和深耕整地的基础上,按垄距90cm、垄高10cm~15cm、垄顶呈弧形的规格起垄,垄顶加盖90cm宽、0.007mm~0.008mm厚的黑色地膜,地膜要紧贴垄面,两边要垂直埋入垄边土下,垄顶膜上要压土带防风揭膜;所述的种子处理是包括晒种和拌种;所述的播种是指当5cm土层的日平均温度稳定达到10℃~12℃时播种最适宜;所述的密植是指播种时,在覆膜的垄上,按小行距30cm,平均行距45...

【专利技术属性】
技术研发人员:王亚男范思静樊友鑫王宝军
申请(专利权)人:安徽金培因科技有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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