低聚或聚仲胺的单烯键式不饱和单体的就地聚合制造技术

一种制备（共）低聚物或（共）聚合物的方法，包括：　　　　（Ⅰ）制备一种混合物，该混合物包括至少一种通式（Ｍ）的单烯键式不饱和单体、至少一种氧化剂（Ａ）和至少一种通式（Ⅰ）的聚合物或低聚物、以及任选的自由基引发剂（Ｂ），　　　　ＨＲ↑［１］Ｃ＝ＣＲ↑［２］Ｒ↑［３］　　（Ｍ）　　　　其中，Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］、Ｒ↑［３］彼此无关选自氢原子、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］的烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］的环烷基、Ｃ↓［６］－Ｃ↓［２４］的芳基、卤原子、氰基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］的烷基酯、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］的环烷基酯、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］的烷基酰胺、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］的环烷基酰胺、Ｃ↓［６］－Ｃ↓［２４］的芳酯或Ｃ↓［６］－Ｃ↓［２４］的芳酰胺，　　　　＊＊＊　　（Ⅰ）　　　　其中，Ｙ是基于对应于通式ＨＲ↑［１］Ｃ＝ＣＲ↑［２］Ｒ↑［３］的烯键式不饱和单体（Ｍ）的有机残基，　　　　Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］、Ｒ↑［３］具有上述定义，　　　　ｍ是１－５０的整数，　　　　ｎ是１－３００的整数，　　　　Ｉ↓［１］表示引发剂，和　　　　Ｒ↑［４］表示仲或叔碳原子，彼此无关选自Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１８］烷基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１８］链烯基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１８］的炔基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［１２］的环烷基或Ｃ↓［３］－Ｃ↓［１２］的杂环烷基、Ｃ↓［６］－Ｃ↓［２４］的芳基，它们可以是未取代的或被ＮＯ↓［２］、卤原子、氨基、羟基、氰基、羧基、酮、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氧基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷硫基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氨基取代，　　　　Ｘ表示仲或叔碳原子，彼此无关选自Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１８］烷基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１８］链烯基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１８］的炔基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［１２］的环烷基、或Ｃ↓［３］－Ｃ↓［１２］的杂环烷基、Ｃ↓［６］－Ｃ↓［２４］的芳基，它们可以是未取代的或被ＮＯ↓［２］、卤原子、氨基、羟基、氰基、羧基、酮、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氧基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷硫基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氨基取代，和　　　　（Ⅱ）在０℃－２２０℃的温度下加热该混合物。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及聚合，具体的说，本专利技术涉及(共)聚合物的制备。专利技术简述本专利技术描述了一种(共)低聚物或(共)聚合物的制备方法。该方法包括首先，制备含有符合通式(M)的单烯键式不饱和单体、氧化剂和至少一种符合通式(I)的聚合物或低聚物，以及任选的自由基引发剂的混合物，然后，在0℃-220℃范围内加热该混合物。HR1C＝CR2R3(M) 专利技术背景目前，大量工厂中对具有特定分子量、窄分子量分布和/或明确限定的端基的均聚物、无规共聚物和嵌段共聚物的需求不断增加。这些大分子的受控结构使得它们具有新的性能，并使它们具有专门定做的性能。许多新技术例如电子、计算机科学、通信、基因工程、生物技术和材料科学领域要求受控结构聚合物。工业上，许多聚合物是通过自由基聚合制备的，这是由于所要求的条件很少，即，可以用水作溶剂，能使用的温度范围很宽，以及能够聚合的单体的范围较宽。此外，自由基共聚提供了改善聚合物性能的许多机会。然而，自由基中性的另一面是，它是不可逆链转移反应和终止反应的主要原因，这是包括聚合度、多分散性、末端官能团和链结构的大分子结构控制性差的主要原因。另一方面，受控自由基聚合(C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：C·德特雷姆布罗伊尔，C·吕迪格尔，R·V·迈尔，
申请(专利权)人：拜尔公司，
类型：发明
国别省市：