一种OLED显示面板制造技术

本实用新型专利技术实施例提供一种OLED显示面板，涉及显示技术领域，可减少制备OLED显示面板过程中，金属掩模板对发光单元的不良影响。该OLED显示面板，包括衬底、设置在所述衬底上的像素定义层，还包括设置在所述像素定义层远离所述衬底一侧的绝缘介质层；所述绝缘介质层的开口与所述像素定义层的开口在所述衬底的正投影重叠，且所述像素定义层的开口的边缘超出所述绝缘介质层的开口的边缘。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED显示面板
本技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED显示面板。
技术介绍
有机电致发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)是一种有机薄膜电致发光器件，其具有制备工艺简单、成本低、易形成柔性结构、视角宽等优点，因此，利用OLED的显示技术已成为一种重要的显示技术。现有技术中，如图1和图2所示，OLED显示面板的制备，一般为先在衬底10上通过构图工艺形成阳极101和像素定义层20，之后将图案化的金属掩模板30与形成有阳极101和像素定义层20的基板对位贴合，使金属掩模板30的开孔与像素定义层的开口201对应，然后蒸镀有机材料产生蒸汽，蒸汽通过金属掩膜的开孔，在基板上沉积形成有机材料功能层102。之后蒸镀形成阴极103。其中，为避免蒸镀材料外溢而产生阴影效应，在蒸镀过程中，金属掩模板与基板不能有大的间隙，如图1所示，通常的做法是设置磁铁40，让金属掩模板30的掩模条因磁力的吸引而贴合于基板的像素定义层20。然而，一方面，由于金属掩模板30的掩模条边缘，尤其是大尺寸金属掩模板30的掩模条边缘极易皱褶变形，变形的金属掩模板30与基板紧密贴合时会因为受力不均形成挤压像素定义层20，造成像素定义层20的开口边缘塌陷，因而容易导致发光单元出现不良；另一方面，由于基板与金属掩模板30在传送过程中会发生相对位移及摩擦，因此，容易对发光单元边缘造成刮伤，导致发光单元出现黑点黑斑；再一方面，金属掩模板30在使用过程中其开孔边缘可能凝结有颗粒性物质，这些颗粒性物质在金属掩模板30与基板分离过程中容易对发光单元造成压伤。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种OLED显示面板，可减少制备OLED显示面板过程中，金属掩模板对发光单元的不良影响。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案：一方面，提供一种OLED显示面板，包括衬底、设置在所述衬底上的像素定义层，还包括设置在所述像素定义层远离所述衬底一侧的绝缘介质层；所述绝缘介质层的开口与所述像素定义层的开口在所述衬底的正投影重叠，且所述像素定义层的开口的边缘超出所述绝缘介质层的开口的边缘。优选的，所述绝缘介质层的厚度为1～5μm。优选的，所述OLED显示面板还包括设置在所述像素定义层远离所述衬底一侧，且靠近所述像素定义层的开口的突起结构；所述突起结构环绕所述像素定义层的开口设置，且所述突起结构的高度小于所述绝缘介质层的高度。进一步优选的，所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构的材料均不相同；或者，所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构三者中至少有两者的材料相同。基于上述，优选的，所述OLED显示面板还包括薄膜晶体管和发光单元；所述发光单元包括阳极、有机材料功能层和阴极，所述阳极与所述薄膜晶体管的漏极电连接；所述薄膜晶体管设置在所述像素定义层与所述衬底之间；所述阳极设置在所述像素定义层与所述衬底之间，且所述像素定义层的开口露出部分所述阳极；所述有机材料功能层设置在所述像素定义层的开口内；所述阴极至少设置在所述像素定义层的开口内。另一方面，提供一种OLED显示面板的制备方法，包括：在衬底上形成像素定义层，还包括：在所述像素定义层远离所述衬底的一侧形成绝缘介质层；所述绝缘介质层的开口与所述像素定义层的开口在所述衬底的正投影重叠，且所述像素定义层的开口的边缘超出所述绝缘介质层的开口的边缘。优选的，所述制备方法还包括：在所述像素定义层远离所述衬底一侧，且靠近所述像素定义层的开口形成突起结构；所述突起结构环绕所述像素定义层的开口设置，且所述突起结构的高度小于所述绝缘介质层的高度。进一步可选的，形成所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构，包括：利用第一掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述像素定义层；在所述像素定义层上，利用第二掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述绝缘介质层；利用第三掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述突起结构。或者，可选的，形成所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构，包括：利用第一掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述像素定义层；在所述像素定义层上，形成第一绝缘介质薄膜，利用第一灰阶掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述绝缘介质层和所述突起结构。或者，可选的，形成所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构，包括：形成第二绝缘介质薄膜，利用第二灰阶掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述像素定义层和所述突起结构；在所述像素定义层上，利用第二掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述绝缘介质层。或者，可选的，形成所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构，包括：形成第三绝缘介质薄膜，利用第三灰阶掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述像素定义层和绝缘介质层；在所述像素定义层上，利用第三掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述突起结构。或者，可选的，形成所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构，包括：形成第四绝缘介质薄膜，利用第四灰阶掩模板，并采用一次光刻工艺，形成所述像素定义层、所述绝缘介质层和所述突起结构。基于上述，优选的，所述制备方法还包括形成薄膜晶体管和发光单元；所述发光单元包括阳极、有机材料功能层和阴极，所述阳极与所述薄膜晶体管的漏极电连接；所述薄膜晶体管形成在所述像素定义层与所述衬底之间；所述阳极形成在所述像素定义层与所述衬底之间，且所述像素定义层的开口露出部分所述阳极；所述有机材料功能层形成在所述像素定义层的开口内且后于所述绝缘介质层形成；所述阴极至少形成在所述像素定义层的开口内。本技术的实施例提供一种OLED显示面板，通过在像素定义层远离衬底一侧设置绝缘介质层，且使像素定义层的开口的边缘超出绝缘介质层的开口的边缘，可以在后续蒸镀形成有机材料功能层以及位于有机材料功能层上方的电极例如阴极时，使金属掩模板与绝缘介质层贴合，而且使金属掩模板的开孔边缘处于悬空状态，而不与像素定义层的开口边缘发生直接接触，因而，即使金属掩模板发生皱褶变形，或者传送时金属掩模板发生相对位移，也可极大的减少发生压塌或刮伤发光单元边缘的几率，此外，也极大的减少了金属掩模板开孔边缘凝结的颗粒压伤发光单元的几率。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的一种OLED显示面板制备过程基板与金属掩模板贴合的示意图；图2为现有技术提供的一种OLED显示面板的结构示意图；图3为本技术实施例提供的一种OLED显示面板的结构示意图；图4为本技术实施例提供的一种OLED显示面板制备过程中基板与金属掩模板贴合的示意图；图5为本技术实施例提供的一种OLED显示面板的结构示意图；图6为本技术实施例提供的一种OLED显示面板制备过程中基板与金属掩模板贴合的示意图；图7为本技术实施例提供的一种OLED显示面板的结构示意图；图8(a)-8(d)为本技术实施例提供的一种形成绝缘介质层和突起结构的过程示意图；图9(a)-9(d)为本技术实施例提供的一种形成像素定义层和突本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED显示面板，包括衬底、设置在所述衬底上的像素定义层，其特征在于，还包括设置在所述像素定义层远离所述衬底一侧的绝缘介质层；所述绝缘介质层的开口与所述像素定义层的开口在所述衬底的正投影重叠，且所述像素定义层的开口的边缘超出所述绝缘介质层的开口的边缘。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板，包括衬底、设置在所述衬底上的像素定义层，其特征在于，还包括设置在所述像素定义层远离所述衬底一侧的绝缘介质层；所述绝缘介质层的开口与所述像素定义层的开口在所述衬底的正投影重叠，且所述像素定义层的开口的边缘超出所述绝缘介质层的开口的边缘。2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述绝缘介质层的厚度为1～5μm。3.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，还包括设置在所述像素定义层远离所述衬底一侧，且靠近所述像素定义层的开口的突起结构；所述突起结构环绕所述像素定义层的开口设置，且所述突起结构的高度小于所述绝缘介质层的高度。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱儒晖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11