集成超级电容器制造技术

超级电容器具有衬底，在衬底内集成的至少两个多孔电极和在至少两个多孔电极之间延伸的电解质。电解质与衬底一体化，并且位于衬底内。至少两个多孔电极和电解质被配置为作为超级电容器存储电荷。

Integrated supercapacitor

The supercapacitor has a substrate, at least two porous electrodes integrated within the substrate, and an electrolyte extending between at least two porous electrodes. The electrolyte is integrated with the substrate and is located within the substrate. At least two porous electrodes and electrolytes are configured to store charge as a supercapacitor.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成超级电容器
本明一般涉及超级电容器，更具体地说，本专利技术涉及形成减薄型超级电容器。
技术介绍
尽管便携式电子设备的尺寸不断缩小，但其能量需求往往不能相对降低。例如，下一代MEMS加速度计的体积可以比现有技术的MEMS加速度计小10％，而且要求的功率比现有技术的MEMS加速度计的功率减少5％。在这种情况下，更多的MEMS管芯可以用于储能。不利地，这种趋势可以限制这种电子设备的小型化和适用性。该技术通过开发具有比常规电容器更大的电容的芯片级超级电容器(也称为“微型超级电容器”)来应对这个问题。具体来说，与传统的电容器和电池相比，超级电容器通常具有更高的功率密度，更短的充电和放电时间、更长的寿命周期和更快的开关能力。尽管它们的容量很大，但是超级电容器仍然具有进一步的限制-它们的高度/外形常常相对较大(例如，由于包装)，并且在模具上容纳/形成它们的可用区域通常很少。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，超级电容器具有衬底，整合在衬底内的至少两个多孔电极和在至少两个多孔电极之间延伸的电解质。电解质与衬底一体化，并且位于衬底内。至少两个多孔电极和电解质被配置为作为超级电容器存储电荷。衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超级电容器，包括：衬底；至少两个多孔电极集成在衬底内；和在所述至少两个多孔电极之间延伸的电解质，所述电解质与所述衬底一体化，所述电解质在所述衬底内，所述至少两个多孔电极和电解质配置成作为超级电容器存储电荷。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.08 US 14/509,9501.一种超级电容器，包括：衬底；至少两个多孔电极集成在衬底内；和在所述至少两个多孔电极之间延伸的电解质，所述电解质与所述衬底一体化，所述电解质在所述衬底内，所述至少两个多孔电极和电解质配置成作为超级电容器存储电荷。2.根据权利要求1所述的超级电容器，其中，所述衬底在三个方向上具有最大尺寸，所述至少两个电极完全位于所述衬底的最大尺寸内。3.根据权利要求1所述的超级电容器，还包括覆盖所述至少两个多孔电极的集电器。4.根据权利要求1所述的超级电容器，其中，所述至少两个多孔电极间隔开并且实质上彼此平行。5.根据权利要求1所述的超级电容器，其中所述衬底包括硅。6.根据权利要求1所述的超级电容器，其中，所述至少两个多孔电极和电解质在所述衬底内形成非直线路径。7.根据权利要求6所述的超级电容器，其中，所述至少两个多孔电极和电解质在所述衬底内形成蛇形路径。8.根据权利要求1所述的超级电容器，包括形成在衬底上和/或衬底中的MEMS结构，所述MEMS结构与所述至少两个多孔电极电耦合，所述至少两个多孔电极和电解质与MEMS结构。9.根据权利要求1所述的超级电容器，其中所述至少两个多孔电极包括石墨烯。10.根据权利要求1所述的超级电容器，还包括形成在所述衬底上和/或衬底中的有源电路，所述有源电路与所述至少两个多孔电极电耦合。11.一种能量存储装置，包括：衬底；集成在衬底内的至少两个电极；和在所述至少两个电极之间延伸的电解质，所述电解质与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜英琪，杨光隆，
申请(专利权)人：美国亚德诺半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国,US