【技术实现步骤摘要】
LC串联谐振型三相高频链矩阵式逆变器拓扑及调制方法
本专利技术涉及电力电子功率变换器拓扑及调制领域,尤其是一种LC串联谐振型三相高频链矩阵式逆变器的SVPWM与电流型解结耦相结合的半周期激励谐振调制方法。
技术介绍
逆变器是一种把直流电能转换成交流电能的拓扑装置。高频链逆变器采用高频变压器替代工频变压器克服了传统变压器体积大、噪声大、成本高等缺点。高频链矩阵式逆变器的变换过程有DC/HFAC/LFAC三种功率特征,其中,HFAC:高频交流,LFAC:低频交流。可知此类逆变器中出现了DC/AC即直流/交流逆变环节,该环节位于变压器原边,又出现了AC/AC即交流/交流变换环节,该环节也常称为周波变换器或矩阵变换器环节,位于变压器副边。矩阵变换器与传统变换器相比,没有中间储能环节,采用双向开关,可以实现能量的双向流动,结构紧凑、体积小、效率高,且输出电压幅值和频率可以独立控制。由于高频变压器漏感的存在,高频链矩阵式逆变器换流时,在变压器副边矩阵变换器的功率管上产生较大的电压过冲,因此变压器副边矩阵/周波变换器的安全换流一直是制约高频链逆变器实现大范围推广的技术难点。目前 ...
【技术保护点】
一种LC串联谐振型三相高频链矩阵式逆变器拓扑,其特征在于:所述逆变器拓扑由全桥LC串联谐振逆变器、高频变压器T、矩阵变换器、CL型滤波器依次连接构成;全桥LC串联谐振逆变器由直流输入电压U
【技术特征摘要】
1.一种LC串联谐振型三相高频链矩阵式逆变器拓扑,其特征在于:所述逆变器拓扑由全桥LC串联谐振逆变器、高频变压器T、矩阵变换器、CL型滤波器依次连接构成;全桥LC串联谐振逆变器由直流输入电压Ui、可控开关管S1、可控开关管S2、可控开关管S3、可控开关管S4、电感Lr、电容Cr组成;矩阵变换器由可控开关管S1a、可控开关管S4b、可控开关管S4a、可控开关管S1b、可控开关管S3a、可控开关管S6b、可控开关管S6a、可控开关管S3b、可控开关管S5a、可控开关管S2b、可控开关管S2a、可控开关管S5b组成;CL型滤波器由第一电感Lf1、第二电感Lf2、第三电感Lf3、第一电容Cf1、第二电容Cf2、第三电容Cf3、负载R1、负载R2、负载R3组成;直流输入电压Ui的正极分别与可控开关管S1的集电极、可控开关管S3的集电极相连,直流输入电压Ui的负极分别与可控开关管S2的发射极、可控开关管S4的发射极相连;可控开关管S1的发射极分别与电感Lr的一端、可控开关管S2的集电极相连;可控开关管S3的发射极分别与高频变压器T原边一端、可控开关管S4的集电极相连,电感Lr的另一端与电容Cr的一端连接,电容Cr的另一端与高频变压器T原边的另一端相连;高频变压器T副边的一端分别与可控开关管S1a的集电极、可控开关管S3a的集电极、可控开关管S5a的集电极相连,变压器T副边的另一端分别与可控开关管S1b的集电极、可控开关管S3b的集电极、可控开关管S5b的集电极相连;可控开关管S1a的发射极与可控开关管S4b的发射极相连,可控开关管S3a的发射极与可控开关管S6b的发射极相连,可控开关管S5a的发射极与可控开关管S2b的发射极相连;可控开关管S1b的发射极与可控开关管S4a的发射极相连,可控开关管S3b的发射极与可控开关管S6a的发射极相连,可控开关管S5b的发射极与可控开关管S2a的发射极相连;可控开关管S4a的集电极与可控开关管S4b的集电极相连后分别与第一电容Cf1一端、第一电感Lf1一端相连,第一电感Lf1另一端与负载R1一端相连,负载R1另一端分别与负载R2、负载R3相连;第一电容Cf1另一端分别与第二电容Cf2、第三电容Cf3...
【专利技术属性】
技术研发人员:闫朝阳,庞建霞,刘爽,赵丁选,孙喆,
申请(专利权)人:燕山大学,
类型:发明
国别省市:河北,13
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