具备SiO2保护层的频率可重构全息天线的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种具备SiO2保护层的频率可重构全息天线的制备方法，所述全息天线包括SOI衬底、第一天线臂、第二天线臂及全息圆环；其中，所述制备方法包括：选取SOI衬底；制备具备SiO2保护层的固态等离子体PiN二极管；所述固态等离子体PiN二极管依次首尾相连构成固态等离子体PiN二极管串；由多段所述固态等离子体PiN二极管串组成所述第一天线臂、第二天线臂及全息圆环；制作所述直流偏置线和同轴馈线；以形成所述可重构全息天线。本发明专利技术制备的全息天线体积小、结构简单、易于加工、无复杂馈源结构、频率可快速跳变，且天线关闭时将处于电磁波隐身状态，易于组阵，可用作相控阵天线的基本组成单元。

With SiO

The present invention relates to a SiO

【技术实现步骤摘要】
具备SiO2保护层的频率可重构全息天线的制备方法
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种具备SiO2保护层的频率可重构全息天线的制备方法。
技术介绍
可重构天线的概念提出于20世纪60年代。可重构是指多天线阵列中各阵元之间的关系是可以根据实际情况灵活可变的，而非固定的。它主要是通过调整状态可变器件，实现天线性能的可重构。可重构天线按功能可分为频率可重构天线(包括实现宽频带和实现多频带)、方向图可重构天线、极化可重构天线和多电磁参数可重构天线。通过改变可重构天线的结构可以使天线的频率、波瓣图、极化方式等多种参数中的一种或几种实现重构，因其具有体积小、功能多、易于实现分集应用的优点，已经成为研究热点。全息天线由源天线和全息结构组成。结合实际需求，选择适当的天线作为源天线，通过加载全息结构来改变馈源的辐射，以获得所需的目标天线的辐射特性，通过给定的电磁波辐射的干涉图进而推算天线结构。与传统的反射面天线相比，全息结构具有灵活的构建形式，便于和应用环境一体设计，应用范围很广泛。因此，如何制作高性能的频率可重构全息天线，尤其是利用半导体工艺来进行制作，就变得非常有意义。专利
技术实现思路
为了解决现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具备SiO

【技术特征摘要】
1.一种具备SiO2保护层的频率可重构全息天线的制备方法，其特征在于，所述全息天线包括SOI衬底、第一天线臂、第二天线臂及全息圆环；其中，所述制备方法包括：选取SOI衬底；刻蚀所述SOI衬底形成有源区沟槽；对所述有源区沟槽分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；光刻引线孔并金属化处理以形成具备SiO2保护层的固态等离子体PiN二极管；所述固态等离子体PiN二极管依次首尾相连构成固态等离子体PiN二极管串；由多段所述固态等离子体PiN二极管串组成所述第一天线臂、第二天线臂及全息圆环；制作所述直流偏置线和同轴馈线；以形成所述可重构全息天线。2.如权利要求1所述的制备方法，选取SOI衬底；刻蚀所述SOI衬底形成有源区沟槽，其特征在于，包括：利用CVD工艺，在所述SOI衬底表面形成第一保护层；采用第一掩膜版，利用光刻工艺在所述第一保护层上形成有源区图形；利用干法刻蚀工艺，在所述有源区图形的指定位置处刻蚀所述第一保护层及所述SOI衬底顶层Si层从而形成有所述有源区沟槽。3.如权利要求1所述的制备方法，对所述有源区沟槽分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区，其特征在于，包括：在整个衬底表面淀积第二保护层；采用第二掩膜板，利用光刻工艺在所述第二保护层表面形成P区图形；利用湿法刻蚀工艺去除P区图形上的所述第二保护层；利用原位掺杂工艺，在所述有源区沟槽内淀积P型Si材料形成所述P区；在整个衬底表面淀积...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡辉勇，王斌，苗渊浩，张鹤鸣，苏汉，郝敏如，宣荣喜，舒斌，宋建军，康海燕，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61