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本发明涉及一种具备SiO2保护层的频率可重构全息天线的制备方法，所述全息天线包括SOI衬底、第一天线臂、第二天线臂及全息圆环；其中，所述制备方法包括：选取SOI衬底；制备具备SiO2保护层的固态等离子体PiN二极管；所述固态等离子体PiN二...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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